KR960006077A - 박막트랜지스터 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 절연막(21)상에 분리되어 패터닝된 소오스 및 드레인 폴리실리콘막(22A,22B); 상기 소오스(22A)와, 드레인(22B)이 분리된 지역의 소오스(22A) 및 드레인(22B) 측벽과 접속되고, 소오스(22A)와 드레인(22B) 상부 일부 지역에 절연막(23)을 통해 절연되어 오버랩(overlap)되도록 형성된 채널 폴리실리콘막(24); 상기 채널 폴리실리콘막(24) 상에 형성된 게이트 절연막(25); 상기 게이트 절연막(25) 상이 게이트 폴리실리콘막(26)을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터에 관한 것으로, 소오스 및 드레인용 폴리실리콘막을 채널에 비해 두껍게 형성하여 소오스 및 드레인 저항을 감소시켜 박막트랜지스터의 온 전류를 향상시키는 효과가 있다.

Description

박막트랜지스터 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 박막트랜지스터 구조를 나타내는 단면도.
제2도는 본 발명에 따른 박막트랜지스터 구조를 나타내는 단면도.
제3a도 내지 제3e도는 본 발명에 따른 박막트랜지스터 제조 공정도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
21 : 절연막 22,22A,22B : 소오스 및 드레인 폴리실리콘막
23 : 마스크용 산화막 24 : 채널 폴리실리콘막
25 : 게이트 산화막 26 : 게이트 폴리실리콘막

Claims (2)

  1. 절연막(21)상에 분리되어 패터닝된 소오스 및 드레인 폴리실리콘막(22A,22B); 상기 소오스(22A)와, 드레인(22B)이 분리된 지역의 소오스(22A) 및 드레인(22B) 측벽과 접속하고, 소오스(22A)와, 드레인(22B) 상부 일부 지역에 절연막(23)을 통해 절연되어 오버랩(overlap)되도록 형성된 채널 폴리실리콘막(24); 상기채널 폴리실리콘막(24) 상에 형성된 게이트 절연막(25); 상기 게이트 절연막(25) 상의 게이트 폴리실리콘막(26)을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
  2. 박막트랜지스터 제조 방법에 있어서; 제1절연막(31)이 기형성된 기판사에 소오스 및 드레인용 제1폴리실리콘막(32)과, 제2절연막(33)을 차례로 형성하는 단계; 소오스 및 드레인 마스크를 사용하여 상기 제2절연막(33) 및 제1폴리실리콘막(32)의 소정 부위를 제1절연막(31)이 노출되도록 식각하는 단계; 전체 구조 상부에 채널용 제2폴리실리콘막(34)을 형성하는 단계; 제2폴리실리콘막(34) 상에 제3절연막(35)을 형성하는 단계; 제3절연막(35)상에 게이트용 제3폴리실리콘막(36)을 형성하는 단계; 게이트 마스크를 사용하여 제3폴리실리콘막(36), 제3절연막(35), 제2폴리실리콘막(34), 제2절연막(33)을 차례로 식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940016876A 1994-07-13 1994-07-13 박막트랜지스터 및 그 제조 방법 KR0135243B1 (ko)

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