KR930015084A - 박막 트랜지스터의 구조와 그 제조방법 - Google Patents

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황명하
김성진
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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Abstract

본 발명은 트랜지스터의 드레인을 n+- n-- n+영역으로 구성하여 n-영역위에 제2의 게이트를 형성하므로서 오프전류를 감소시키고 온전류를 증가시켜 온/오프 전류비를 크게 향상시킨 박막트랜지스터에 관한 것이다.

Description

박막트랜지스터의 구조와 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도의 (a)-(c)는 본 발명에 따른 박막트랜지스터의 제조공정도.

Claims (2)

  1. 산화층(20)위에 제1영역(28)이 제2영역(25)과 제3영역(24)사이에 수평으로 형성되고 상기 제2영역(25)과 제3영역(24)위에 산화막(22)을 사이에 두고 제2게이트(26)와 제2게이트(27)가 형성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 구조.
  2. 실리콘층(21)에 제1영역(28), 제2영역(25), 제3영역(24)을 형성하는 공정과, 상기 제2영역(25)위에 제1게이트(26)를 형성하고 상기 제3영역(24)위에 제2게이트(27)를 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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