KR960006080A - 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 박막트랜지스터에 관한 것으로, 특히 에치스토퍼(Etch Stopper)층을 양극 산화막으로 형성한 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것이다.
이와 같은 본 발명의 박막트랜지스터 제조방법은 유리기판위에 게이트전극을 형성하고 전면에 게이트 절연막을 형성하는 공정과, 상기 게이트 절연막위의 활성영역에 활성층을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극 상측의 활성층에 에치스토퍼용 금속을 형성하고, 양극 산화하여 에치스토퍼를 형성하는 공정과, 전면에 오믹접촉층과 소오스 및 드레인 전극용 금속을 차례로 증착하고 상기 에치 스토퍼의 오믹 접촉층과 소오스 및 드레인 전극용금속을 선택적으로 제거하여 소오스 및 드레인영역을 형성하는 공정으로 이루어진 것이다. 따라서 소자의 신뢰도가 향상된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 박막트랜지스터 공정단면도.
제2도는 본 발명의 박막트랜지스터 공정단면도.
Claims (4)
- 유리기판위에 게이트전극을 형성하고 전면에 게이트 절연막을 형성하는 공정과, 상기 게이트 절연막위의 활성영역에 활성층을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극 상측의 활성층에 에치스토퍼용 금속을 형성하고 양극산화하여 에치토퍼를 형성하는 공정과, 전면에 오믹접촉층과 소오스 및 드레인 전극용 금속을 차례로 증착하고 상기 에치스토퍼의 오믹접촉층과 소오스 및 드레인 전극용 금속을 선택적으로 제거하여 소오스 및 드레인영역을 생성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 에치스토퍼용 금속은 Ta로형성함을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.
- 제1항에 또는 제2항에 있어서, 에치스토퍼용 금속은 500-800A두께로 형성함을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.
- 제3항에 있어서, 에치스토퍼용 금속은 500-800A두께로 형성함을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940018159A KR960006080A (ko) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940018159A KR960006080A (ko) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960006080A true KR960006080A (ko) | 1996-02-23 |
Family
ID=66697901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940018159A KR960006080A (ko) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960006080A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7947539B2 (en) | 2006-04-24 | 2011-05-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel for a display device and a method of manufacturing the same |
-
1994
- 1994-07-26 KR KR1019940018159A patent/KR960006080A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7947539B2 (en) | 2006-04-24 | 2011-05-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel for a display device and a method of manufacturing the same |
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