KR940008124A - 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로 종래에는 반도체층 위에 절연층인 식각방지층을 형성한 다음 그 식각방지층 위에 도핑된 반도체층과 소스.드레인전극을 형성하여 제조하므로 게이트 절연막의 두께에 따라 단선현상이 발생함과 동시에 턴온 전류를 감소시켜 소자의 성능을 저하시키는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 감안하여 반도체층 위에 절연층인 식각방지층을 형성하고 이후 금속층을 형성하여 양극산화하므로 이증구조의 절연층을 형성하여 핀흘과 파티클에 의하 단선현상을 방지할 수 있으며 턴온 전류 감소를 방지하여 소자의 특성을 개선하는 효과가 있다.

Description

박막트랜지스터 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제4도의 (가)내지(자)는 본 발명의 박막트랜지스터 제조공정을 보인 단면도.

제5도는 본 발명의 박막트랜지시터 부분별 수직 단면도.

제6도는 제5도의 평면도.

Claims (4)

1. 기관(1)위에 게이트전극(2)과 게이트 절연막(3)을 형성하는 공정과, 그게이트 절연막(3)위에 반도체층(4), 식각방지층(5) 및 산하막(6)을 형성하는 공정과, 그 산화막(6)과 식각방지층(5)을 패턴구조로 형성하는 공정과, 그 산화막(6)위에 도핑된 반도체층(7)을 형성하는 공정과, 상기 게이트 절연막(3)위에 투명도전막(8)을 형성하는 공정과, 그 투명도전막(8)과 상기 도칭된 반도체층 (7)위에 소스 드레인전극 (9)을 형성하는 공정으로 제조하는 박막트랜지스터 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 산화막(6)은 상기 식각방지층(5)위에 금속층(10)을 증착하여 패턴을 형성한 후 양극산화로제조하는 박막트랜지스터 제조방법.
3. 제1항에 있어서. 산화막(6)은 상기 식각방지층 (5)위의 금속층(10)을 양극산화후 패턴을 형성하여 제조하는 박막트랜지스터 제조방법.
4. 제2항 또는 제3항에 있어서. 금속층 (10)은 탄탈(Ta), 티탄(Ti), 알루미늄 (Al). 니오븀(Nb)중 하나로 제조하는 박막트랜지스터 제조방법

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.