KR940012656A - 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본고안은 게이트 배선의 저 저항화와 절연막의 양질화를 꾀한 박막트랜지스터에 관한 것으로, 종래에는 게이트전극으로 Ta를 사용하거나 순수한 A1를 사용하였다 따라서, 저항 성분이 높거나 순수한 A1사용시 고오넹서 힐록이 발생하여 대면적 TFT-LCD에 적용이 곤란하였다.
본발명은 알루미늄 금속과 알루미늄에 Ta, Ti, Si등이 합금된 금속을 적층한 2층 구조의 게이트전극을 패터닝하여 상기 합금된 금속을 양극산화하여 절연막을 형성하였다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본발명의 박막트랜지스터 공정 단면도.
제3도는 본발명 다른 실시예의 박막트랜지스터 공정 단면도.
Claims (2)
- 절연기판(1)위에 알루미늄으로 된 제1금속(2a)과 알루미늄에 Ta, Si, Ti 중 하나와 합금된 제2금속(2b)이 적층된 게이트 전극을 형성하는 제1공정과, 상기 제2금속을 양극 산화하여 제1절연막(3)을 형성하는 제2공정과 전면에 제2절연막(4)을 증착하고 게이트전극 상측 영역에 반도체층(5)을 형성하는 제3공정과, 반도체층(5)에 오믹 접촉층(6)을 형성하는 제4공정과, 전면에 금속을 증착하여 불필요한 부분을 제거하여 소오스/드레인 전극(7)을 형성하고 불필요한 오믹접촉층(6)을 제거하는 제5공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 제1공정의 제1금속(2a)와 제2금속(2b)의 적층은 제1금속(2a)을 제2금속(2b)이 감싸도록 적층됨을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
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Publications (2)
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| KR940012656A true KR940012656A (ko) | 1994-06-24 |
| KR950005488B1 KR950005488B1 (ko) | 1995-05-24 |
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Country Status (1)
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| KR (1) | KR950005488B1 (ko) |
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1992
- 1992-11-06 KR KR1019920020824A patent/KR950005488B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
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| KR950005488B1 (ko) | 1995-05-24 |
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