KR960029861A - 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 스토리지 캐패시터 구조 및 그 제조방법 - Google Patents

박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 스토리지 캐패시터 구조 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

이 발명은 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자 및 제조방법에 관한 것으로서, 이중 스토리지 캐패시터 구조에 의해 스토리지 캐패시터의 면적을 줄이면서도 높은 개구율을 얻을 수 있는 박막트랜시스터 액정 디스플레이 소자를 제공하기 위한, 기판 위에 n+ 폴리실리콘 패턴이 형성되어 있고, 상기 n+폴리실리콘 패턴의 상부에 제1절연막 패턴이 형성되어 있고, 상기 제1절연막 패턴의 상부에 액티브폴리실리콘과 제2절연막이 차례로 적층되어 있고, 상기 제2절연막의 상부에 게이트폴리실리콘 패턴이 형성되어 있고, 상기 게이트폴리실리콘 패턴의 상부에 층간절연막 패턴이 형성되어 있고, 상기 층간절연막 패턴의 상부에 메탈이 적층되어 있는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

Description

박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 스토리지 캐패시터 구조 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 박막트랜지스터 액정디스플레이 소자의 스토리지 캐패시터 구조를 나타낸 측단면도이고, 제4도는 (가)∼(마)는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 박막트랜지스터 액정디스플레이 소자의 스토리지 캐패시터 구조의 공정순서를 나타낸 측단면도이고, 제5도는 본 발명의 제2실시예에 따른 박막트랜지스터 액정디스플레이 소자의 스토리지 캐패시터 구조의 측단면도이다.

Claims (10)

  1. 기판(2) 위에 n+ 폴리실리콘(4) 패턴이 형성되어 있고, 상기 n+ 폴리실리콘 (4) 패턴의 상부에 제1절연막(6) 패턴이 형성되어 있고, 상기 제1절연막(6) 패턴의 상부에 액티브폴리실리콘(8)과 제2절연막(10)이 차례로 적층되어 있고, 상기 제2절연막(10)의 상부에 게이트폴리실리콘(12) 패턴이 형성되어 있고, 상기 게이트폴리실리콘(12) 패턴의 상부에 층간절연막(14) 패턴이 형성되어 있고 상기 층간절연막 (14) 패턴의 상부에 메탈(16)이 적층되어 있는 박막트랜지스트 액정 디스플레이 소자의 스토리지 캐패시터 구조.
  2. 제1항에 있어서, 상기 n+ 폴리실리콘(4) 패턴은 콘택보강층(2－1)과 스토리지 캐패시터 하부전극(2－2)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 스토리지 캐패시터 구조.
  3. 제2항에 있어서, 상기 콘택보강층(2－1)은 그 두께가 1000A 인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 스토리지 캐패시터 구조.
  4. 제1항에 있어서, 상기 게이트폴리실리콘(12)은 그 두께가 3000A 인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 스토리지 캐패시터 구조.
  5. 제1항에 있어서, 상기 층간절연막(14)은 그 두께가 6000A 인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 스토리지 캐패시터 구조.
  6. 제1항에 있어서, 상기 메탈(16) 패턴은 그 두께가 8000A 인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 스토리지 캐패시터 구조.
  7. 기판(2) 위에 n+ 폴리실리콘(4) 패턴이 형성되어 있고, 상기 n+ 폴리실리콘 (4) 패턴의 상부에 제1절연막(6) 패턴이 형성되어 있고, 상기 제1절연막(6) 패턴의 상부에 액티브폴리실리콘(8)과 제2절연막(10)이 차례로 적층되어 있고, 상기 제2절연막(10)의 상부에 게이트폴리실리콘(12) 패턴이 형성되어 있고, 상기 게이트폴리실리콘(12) 패턴의 상부에 층간절연막(14) 패턴이 형성되어 있고, 상기 층간절연막 (14) 패턴의 상부에 메탈(16)이 적층되어 있는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 스토리지 캐패시터 구조의 제조공정.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1절연막(6)의 형성은 열산화 또는 오엔오(ONO) 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 스토리지 캐패시터 구조의 제조공정.
  9. 제7항에 있어서, 상기 액티브폴리실리콘(8)의 형성은 800A의 두께로 아몰퍼스실리콘을 증착후 열산화 또는 오엔오(ONO) 구조로 제2절연막을 형성하면 300A 정도의 두께로 폴리실리콘으로 변화하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 스토리지 캐패시터 구조의 제조공정.
  10. 기판(62) 위에 n+ 폴리실리콘(64) 패턴이 형성되어 있고, 상기 n+ 폴리실리콘(64) 패턴의 상부에 제1절연막(66) 패턴이 형성되어 있고, 상기 제1절연막(66) 패턴의 상부에 액티브폴리실리콘(68)과 제2절연막(70)이 차례로 적층되어 있고, 상기 제2절연막(70)의 상부에 게이트폴리실리콘(72) 패턴이 상기 n+ 폴리실리큰(64)과 연결되게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레 소자의 스토리지 캐패시터 구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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