KR890007108A - 박막트랜지스터열 및 이것을 이용한 액정표시장치 - Google Patents

박막트랜지스터열 및 이것을 이용한 액정표시장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

박막트렌지스터열 및 이것을 이용한 액정표시장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도(a)는 본 발명의 실시예 1의 TFT열의 평면도.
제1도(b)는 제1도(a)의 A-'선 단면도.
제1도(c)는 제1도(a)의 B-B'선 단면도.

Claims (17)

  1. 절연기판위에 설치한 박막 트랜지스터와 전술한 박막트랜지스터의 소오스(또는 드레인)전극에 접속된 희소전극과 희소전극에 접속된 박막콘덴서를 구성요소로 하여 포함하는 박막트랜지스터열에서 박막콘덴서의 유전체 재료로서 산화탄탈과 질화실리콘의 2중층을 구성요소로 하여 포함한 박막 트랜지스터 열.
  2. 제1항에 있어서, 박막 카패시터의 유전체 재료로서 질화실리콘의 한쪽의 주평면에 산화탄탈, 다른쪽의 주평면에 비결정질 실리콘을 접하여서 된 3중층을 구성요소로 하여 포함한 박막 트랜지스터 열.
  3. 제1항에 있어서, 박막 트랜지스터의 게이트 절연층이 산화탈탄과 질화실리콘의 2중층을 구성요소로 포함한 박막 트랜지스터 열.
  4. 제1항에 있어서, 박막 콘덴서의 한쪽이 전극이 게이트 전극이 박막 트랜지스터 열.
  5. 제1항에 있어서, 게이트전극과 희소전극이 동일평면상에 분리형성되어 게이트전극과 희소전극상에 산화탄탈, 질화실리콘을 순차 적층하여서 될 박막 트랜지스터 열.
  6. 제1항에 있어서, 게이트전극이 희소전극이 구성하는 재료로서 적어도 일부를 형성하여서 된 박막 트랜지스터 열.
  7. 제1항에 있어서, 희소전극상의 일부에 게이트 전극을 구성하는 재료를 형성하여서 된 박막 트랜지스터 열.
  8. 제1항에 있어서, 산화탄탈의 막두께가 게이트층의 막두께보다 크고, 질화실리콘의 막두께가 1000Å이상인 박막 트랜지스터 열.
  9. 제1항에 있어서, 기판상에 SiO2를 부착 형성한 박막 트랜지스터 열.
  10. 절연기판상에 설치한 박막 트랜지스터와, 박막트랜지스터의 소오스 또는 드레인전극에 접속된 희소전극과 희소전극에 접속된 박막콘덴서등을 구성요소로 포함한 박막트랜지스터열에 있어서, 박막콘덴서의 유전체 재료로서 산화탄탈과 산화 실리콘의 2중층을 구성요소로 포함한 액정표시장치.
  11. 제10항에 있어서, 콘덴서의 유전체 재료로서 질화실리콘의 한쪽주평면에 산화탄탈, 다른쪽의 주평면에 비결정질 실리콘을 접하여서 된 3중층을 구성요소로 포함한 박막트랜지스터열을 사용한 액정표시장치.
  12. 제10항에 있어서, 박막 트랜지스터의 게이트 절연층이 산화탈탄과 질화실리콘의 2중층을 구성요소로 포함한 박막트랜지스터열을 사용한 액정표시장치.
  13. 제10항에 있어서, 박막 콘덴서의 한쪽전극이 게이트 전극인 박막트랜지스터 열을 사용한 액정표시장치.
  14. 제10항에 있어서, 게이트전극과 희소전극이 동일평면상에 분리형성되어 게이트전극과 희소전극상에 산화탄탈, 질화실리콘을 순차 적층하여서 된 박막트랜지스터열을 이용한 액정표시장치.
  15. 제10항에 있어서, 게이트전극이 희소전극을 구성하는 재료로 적어도 일부를 형성하여서 된 박막트랜지스터열을 사용한 액정표시장치.
  16. 제10항에 있어서, 희소전극상의 일부에 게이트 전극을 구성하는 재료로 형성 된 박막트랜지스터 열을 사용한 액정표시장치.
  17. 제10항에 있어서, 산화탄탈의 막두께가 게이트층의 막두께가 게이트 층의 막두께보다 크고, 질화실리콘의 막두께가 1000Å이상인 박막트랜지스터열을 사용한 액정표시장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880013422A 1987-10-16 1988-10-14 박막 트랜지스터 배열 및 이것을 사용한 액정 표시장치 KR920006076B1 (ko)

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