KR910013574A - 박막 디바이스 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도(a)는 본 발명의 박막디바이스인 박막트랜지스터의 일실시예의 구성을 도시한 평면도,
제1도(b)는 제1도(a)의 A-A′ 단면도.
Claims (18)
- 기판과, 상기 기판상에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극상에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막상에 형성된 반도체층으로 이루어진 채널영역과, 이 채널영역상에 형성된 소오스전극 및 드레인 전극을 가지고, 상기 게이트전극은 제1 및 제2 게이트전극을 가지고, 이 제1과 제2게이트 전극은 서로 전기적으로 절연되고, 또한 이 제1 및 제2게이트전극의 사이에는 결합 용량이 형성되고, 2개의 게이트전극중의 상기 기판쪽의 게이트전극에 신호를 인가하므로서 상기 채널 영역쪽의 게이트전극에 상기 결합 용량을 개제해서 전압을 인가하도록 한 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
- 제1항에 있어서, 상기 제2게이트전극의 연재부분과상기 제1게이트전극의 연재부분과의 사이에 디바이스의 채널영역외에서 용량을 형성해서 이루어진 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
- 제1항에 있어서, 상기 채널영역이 비정질 실리콘인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
- 제2항에 있어서, 상기 채널영역이 비정질 실리콘인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
- 제1항에 있어서, 상기 결합용량을 구성하는 절연체와 상기 2개의 게이트전극 사이를 절연하는 절연막이 공통인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
- 제2항에 있어서, 상기 결합용량을 구성하는 절연체와 상기 2개의 게이트전극 사이를 절연하는 절연막이 공통인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
- 제1항에 있어서, 상기 기판은 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
- 제1항에 있어서, 상기 기판은 절연성 기판인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
- 기판과, 이 기판상에 형성된 게이트 전극과, 이 게이트전극상에 형성된 게이트절연막과, 이 게이트 절연막상에 형성된 채널영역을 형성하는 반도체층과, 이 반도체층상에 형성된 소오스전극 및 드레인 전극과, 상기 게이트 전극에 신호를 인가하는 게이트신호선을 가지고, 상기 게이트전극과 상기 게이트신호선은 서로 전기적으로 절연되고, 또한 상기 게이트전극과 상기 게이트신호선과의 사이에는 결합용량이 형성되고, 이 결합용량은 상기 채널영역외에 형성된 결합용량이며, 상기 게이트신호선에 신호를 인가하므로서 상기 게이트전극에 상기 결합용량을 개재해서 전압을 인가하도록 한 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
- 제9항에 있어서 상기 기판은 절연성기판이며, 또한 상기 반도체층이 비정질 실리콘으로 이루어진 반도체층인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
- 제9항에 있어서, 또 복수의 화상신호선을 가지고, 상기 게이트신호선은 복수 형성되고, 상기 복수의 화상신호선과 복수의 게이트신호선은 매트릭스 형상으로 배치되고, 상기 소오스 또는 드레인 전극의 한쪽에 화상 신호가 입력되고, 상기 소오스 또는 드레인전극의 다른쪽에 화소전극이 전기적으로 접속되고, 디스플레이 패널을 구성하는 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
- 제9항에 있어서, 상기 결합용량은 절연막으로 Al2O3을 가진 결합용량인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
- 제9항에 있어서, 상기 결합용량은 절연막으로서 Ta2O5를 가진 결합용량인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
- 제11항에 있어서, 상기 기판은 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
- 제11항에 있어서, 상기 기판은 절연성 기판이며, 또한 상기 반도체층이 비정질 실리콘으로 이루어진 반도체층인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
- 제11항에 있어서, 상기 결합용량은 절연막으로서 Ta2O5를 가진 결합용량인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
- 제11항에 있어서, 상기 기판은 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
- 제11항에 있어서, 상기 결합용량은 절연막으로서 Al2O3을 가진 결합용량인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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