KR910013574A - 박막 디바이스 - Google Patents

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토시히사 쯔까다
요시유끼 가네꼬
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미따 가쯔시게
가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼
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Abstract

내용 없음.

Description

박막 디바이스
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도(a)는 본 발명의 박막디바이스인 박막트랜지스터의 일실시예의 구성을 도시한 평면도,
제1도(b)는 제1도(a)의 A-A′ 단면도.

Claims (18)

  1. 기판과, 상기 기판상에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극상에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막상에 형성된 반도체층으로 이루어진 채널영역과, 이 채널영역상에 형성된 소오스전극 및 드레인 전극을 가지고, 상기 게이트전극은 제1 및 제2 게이트전극을 가지고, 이 제1과 제2게이트 전극은 서로 전기적으로 절연되고, 또한 이 제1 및 제2게이트전극의 사이에는 결합 용량이 형성되고, 2개의 게이트전극중의 상기 기판쪽의 게이트전극에 신호를 인가하므로서 상기 채널 영역쪽의 게이트전극에 상기 결합 용량을 개제해서 전압을 인가하도록 한 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2게이트전극의 연재부분과상기 제1게이트전극의 연재부분과의 사이에 디바이스의 채널영역외에서 용량을 형성해서 이루어진 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
  3. 제1항에 있어서, 상기 채널영역이 비정질 실리콘인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
  4. 제2항에 있어서, 상기 채널영역이 비정질 실리콘인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
  5. 제1항에 있어서, 상기 결합용량을 구성하는 절연체와 상기 2개의 게이트전극 사이를 절연하는 절연막이 공통인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
  6. 제2항에 있어서, 상기 결합용량을 구성하는 절연체와 상기 2개의 게이트전극 사이를 절연하는 절연막이 공통인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
  7. 제1항에 있어서, 상기 기판은 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
  8. 제1항에 있어서, 상기 기판은 절연성 기판인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
  9. 기판과, 이 기판상에 형성된 게이트 전극과, 이 게이트전극상에 형성된 게이트절연막과, 이 게이트 절연막상에 형성된 채널영역을 형성하는 반도체층과, 이 반도체층상에 형성된 소오스전극 및 드레인 전극과, 상기 게이트 전극에 신호를 인가하는 게이트신호선을 가지고, 상기 게이트전극과 상기 게이트신호선은 서로 전기적으로 절연되고, 또한 상기 게이트전극과 상기 게이트신호선과의 사이에는 결합용량이 형성되고, 이 결합용량은 상기 채널영역외에 형성된 결합용량이며, 상기 게이트신호선에 신호를 인가하므로서 상기 게이트전극에 상기 결합용량을 개재해서 전압을 인가하도록 한 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
  10. 제9항에 있어서 상기 기판은 절연성기판이며, 또한 상기 반도체층이 비정질 실리콘으로 이루어진 반도체층인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
  11. 제9항에 있어서, 또 복수의 화상신호선을 가지고, 상기 게이트신호선은 복수 형성되고, 상기 복수의 화상신호선과 복수의 게이트신호선은 매트릭스 형상으로 배치되고, 상기 소오스 또는 드레인 전극의 한쪽에 화상 신호가 입력되고, 상기 소오스 또는 드레인전극의 다른쪽에 화소전극이 전기적으로 접속되고, 디스플레이 패널을 구성하는 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
  12. 제9항에 있어서, 상기 결합용량은 절연막으로 Al2O3을 가진 결합용량인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
  13. 제9항에 있어서, 상기 결합용량은 절연막으로서 Ta2O5를 가진 결합용량인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
  14. 제11항에 있어서, 상기 기판은 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
  15. 제11항에 있어서, 상기 기판은 절연성 기판이며, 또한 상기 반도체층이 비정질 실리콘으로 이루어진 반도체층인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
  16. 제11항에 있어서, 상기 결합용량은 절연막으로서 Ta2O5를 가진 결합용량인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
  17. 제11항에 있어서, 상기 기판은 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
  18. 제11항에 있어서, 상기 결합용량은 절연막으로서 Al2O3을 가진 결합용량인 것을 특징으로 하는 박막디바이스.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900016619A 1989-10-18 1990-10-18 표시장치 KR0180532B1 (ko)

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JP1-332839 1989-12-25

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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3009438B2 (ja) * 1989-08-14 2000-02-14 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US6713783B1 (en) * 1991-03-15 2004-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Compensating electro-optical device including thin film transistors
JP2873632B2 (ja) * 1991-03-15 1999-03-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2814161B2 (ja) 1992-04-28 1998-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス表示装置およびその駆動方法
US6693681B1 (en) * 1992-04-28 2004-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method of driving the same
CN1560691B (zh) * 1992-08-27 2010-05-26 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法和有源矩阵显示器
DE4310640C1 (de) * 1993-03-31 1994-05-11 Lueder Ernst Verfahren zur Herstellung einer Matrix aus a-Si:H-Dünnschichttransistoren
DE4339721C1 (de) * 1993-11-22 1995-02-02 Lueder Ernst Verfahren zur Herstellung einer Matrix aus Dünnschichttransistoren
JP3642876B2 (ja) * 1995-08-04 2005-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 プラズマを用いる半導体装置の作製方法及びプラズマを用いて作製された半導体装置
KR100190023B1 (ko) * 1996-02-29 1999-06-01 윤종용 박막트랜지스터-액정표시장치 및 그 제조방법
KR100471779B1 (ko) * 1997-05-28 2005-07-08 삼성전자주식회사 광전류를감소시키기위한액정표시장치용박막트랜지스터
US6207995B1 (en) * 1999-02-23 2001-03-27 Advanced Micro Devices, Inc. High K integration of gate dielectric with integrated spacer formation for high speed CMOS
US6531713B1 (en) * 1999-03-19 2003-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and manufacturing method thereof
TW444257B (en) * 1999-04-12 2001-07-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for fabricating the same
JP4307635B2 (ja) * 1999-06-22 2009-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US20020113268A1 (en) * 2000-02-01 2002-08-22 Jun Koyama Nonvolatile memory, semiconductor device and method of manufacturing the same
GB0210065D0 (en) * 2002-05-02 2002-06-12 Koninkl Philips Electronics Nv Electronic devices comprising bottom gate tft's and their manufacture
TWI261135B (en) * 2002-05-28 2006-09-01 Chi Mei Optoelectronics Corp Method for fabricating thin film transistors of a TFT-LCD
US8058652B2 (en) * 2004-10-28 2011-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device used as electro-optical device having channel formation region containing first element, and source or drain region containing second element
GB2459667A (en) * 2008-04-29 2009-11-04 Sharp Kk Thin film transistor and active matrix display
KR101943051B1 (ko) 2009-11-27 2019-01-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법
KR102220018B1 (ko) * 2010-03-08 2021-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법
CN109887936B (zh) * 2019-03-25 2021-01-29 合肥京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58158973A (ja) * 1982-03-16 1983-09-21 Seiko Instr & Electronics Ltd 不揮発性半導体メモリ

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KR0180532B1 (ko) 1999-03-20

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