KR950026037A - 박막트랜지스터 - Google Patents

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KR950026037A
KR950026037A KR1019940003135A KR19940003135A KR950026037A KR 950026037 A KR950026037 A KR 950026037A KR 1019940003135 A KR1019940003135 A KR 1019940003135A KR 19940003135 A KR19940003135 A KR 19940003135A KR 950026037 A KR950026037 A KR 950026037A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
film transistor
gate
gate insulating
metal
Prior art date
Application number
KR1019940003135A
Other languages
English (en)
Inventor
김건태
Original Assignee
이헌조
엘지전자 주식회사
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Filing date
Publication date
Application filed by 이헌조, 엘지전자 주식회사 filed Critical 이헌조
Priority to KR1019940003135A priority Critical patent/KR950026037A/ko
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Abstract

본 발명은 박막트랜지스터에 관한 것으로, 게이트전극으로 Cr을 사용하고 게이트절연막으로 SiN막을 사용하는 박막트랜지스터구조에서 게이트절연막 증착후 Cr식 각시 Cr표면에 CrN막이 형성되어 Cr에천트에 식각이 되지 않는 문제를 해결하기 위한 것이다.
본 발명은 게이트금속으로 Cr을 사용하고 게이트절연막으로 SiN막을 사용하고 등전위 금속이 게이트금속 형성시 동시에 형성되는 박막트랜지스터에 있어서, 게이트금속인 Cr과 게이트절연막인 SiN막 사이에 비정질실리콘층이 수십 A 두께로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터를 제공한다.

Description

박막트랜지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 박막트랜지스터 단면구조도,
제4도는 본 발명에 의한 박막트랜지스터 제조방법을 도시한 공정순서도.

Claims (1)

  1. 게이트금속으로 Cr을 사용하고 게이트절연막으로 SiN막을 사용하고 등전위 금속이 게이트금속 형성시 동시에 형성되는 박막트랜지스터에 있어서, 게이트금속인 Cr과 게이트절연막인 SiN막 사이에 비정질실리콘층이 수십 A 두께로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940003135A 1994-02-22 1994-02-22 박막트랜지스터 KR950026037A (ko)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100547823B1 (ko) * 1998-08-14 2006-04-12 삼성전자주식회사 스위치드 이더넷 특정 용도 집적 회로 설계 검증을 위한 매체접근 제어와 호스트 프로세서 사이의 동기화 방법
KR100561653B1 (ko) * 1996-09-21 2007-08-16 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 크롬질화물로이루어진전극을포함하는전자장치및그제조방법
KR101319037B1 (ko) * 2011-04-19 2013-10-17 홍익대학교 산학협력단 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 및 다결정 실리콘 박막 트랜지스터

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KR100547823B1 (ko) * 1998-08-14 2006-04-12 삼성전자주식회사 스위치드 이더넷 특정 용도 집적 회로 설계 검증을 위한 매체접근 제어와 호스트 프로세서 사이의 동기화 방법
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