KR950030275A - 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 CdSe 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 단순한 공정에 의해 안정된 특성의 박막트랜지스터를 제조하기 위한 것이다.
본 발명은 절연기판상에 게이트전극을 형성하는 공정과, 기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 공정, 상기 게이트절연막상에 CaSe층을 형성하는 공정, 상기 CaSe 층상에 절연물질을 증착한 후 패터닝하여 박막트랜지스터 채널영역상부에 상부절연막을 형성하는 공정, 상기 상부절연막 및 CaSe층 전면에 금속층을 형성하는 공정, 열처리를 행하는 공정, 채널영역상의 상기 금속층을 선택적으로 제거하는 공정을 포함하여 이루어지는 박막트랜지스터 제조방법을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 CdSe 박막트랜지스터 제조방법을 도시한 공정순서도.
Claims (6)
- 절연기판상에 게이트전극을 형성하는 공정과, 기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 공정, 상기 게이트절연막상에 CdSe 층을 형성하는 공정, 상기 CdSe 층상에 절연물질을 증착한 후 패터닝하여 박막트랜지스터 채널영역상부에 상부절연막을 형성하는 공정, 상기 상부절연막 및 CdSe층 전면에 금속층을 형성하는 공정, 열처리를 행하는 공정, 채널영역상의 상기 금속층을 선택적으로 제거하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속층은 In으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 In은 10-500A 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열처리공정에 의해 상기 금속층내의 금속이온이 상기 상부절연막을 통과하여 채널부분의 상기 CdSe층내로 미량 주입되고, 상부절연막이 존재하지 않는 영역의 CdSe층으로는 금속이온이 직접 확산되어 소오스 및 드레인영역이 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열처리공정은 200-500℃에서 행하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속층을 Pb, Cr, Al중에서 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR (1) | KR970006258B1 (ko) |
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1994
- 1994-04-18 KR KR94008132A patent/KR970006258B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
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| KR970006258B1 (en) | 1997-04-25 |
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