KR920013677A - 박막 트랜지스터와 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 개략적 단면도.
Claims (3)
- 기판상에 소정 패턴으로 순차 적층형성되는 게이트 전극, 반도체층, 소오스 전극, 드레인 전극, 상기 게이트전극과 비정질 실리콘층의 사이에 개재되는 게이트 절연층, 상기 비정질 실리콘층과 상기 소오스 및 드레인 전극의 사이에 개재되는 오막층, 상기 소오스 전극과 드레인 전극 사이로 노출되는 상기 비정질 실리콘층의 표면에 형성되는 보호층을 구비한 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 보호층이 상기 비정질 실리콘층과 일체로 형성되며, 그 소재는 질화 규소인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 기술된 박막 트랜지스터의 보호층을 형성하는 방법에 있어서, 소오스 전극과 드레인 전극의 사이로 노출되는 비정질 실리콘층에 질소를 침투시켜, 질소가 침투된 비정질 실리콘층의 표피의 일정 두께가 질화 규소로 된 보호층이 형성되게 하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 보호층 형성단계가 상기 반도체층의 상부 양측에 소오스 전극과 드레인 전극이 형성된후에 수행되도록 하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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| KR930011175B1 KR930011175B1 (ko) | 1993-11-24 |
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ID=19307351
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1990
- 1990-12-11 KR KR1019900020345A patent/KR930011175B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR930011175B1 (ko) | 1993-11-24 |
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