KR920020768A - 박막트랜지스터와 그것의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 단면도.
Claims (3)
- 유리기판(1)상에 게이트 전극(2) 이 형성되어 있고, 그 위에 게이트 절연막(3), 화소전극(4), 비정질 실리콘막(5), 오믹층(6) 이 차례로 적층구조로 형성되어 있으며, 이어서 소오스 전극(8)과, 드레인(7) 이 상기 적층구조위에 형성된 박막트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 전극(2)의 재질인 Cu인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트 전극(2)의 두께가 2000∼3000Å인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
- 유리기판(1)상에 게이트 전극(2)을 형성시키고, 그 위에 게이트 절연막(3), 화소전극(4), 비정질 실리콘막(5), 오믹층(6)을 차례로 적층구조로 형성시키고, 이어서 소오스 전극(8)과 드레인 전극(7)을 상기 저가층구조위에 형성시키는 박막트랜지스터의 제조방법에 있어서, Cu로 된 게이트전극(2)을 형성시키기 전에 유리기판(1)위에 CF4를 흘리면서 플라즈마를 형성하여 유리기판 표면을 활성화시킨 다음 Cu막을 스퍼터로 데포지션이라는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.* 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019910005318A KR940001400B1 (ko) | 1991-04-02 | 1991-04-02 | 박막 트랜지스터와 그것의 제조방법 |
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Publications (2)
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| KR920020768A true KR920020768A (ko) | 1992-11-21 |
| KR940001400B1 KR940001400B1 (ko) | 1994-02-21 |
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ID=19312836
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| KR (1) | KR940001400B1 (ko) |
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1991
- 1991-04-02 KR KR1019910005318A patent/KR940001400B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
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|---|---|
| KR940001400B1 (ko) | 1994-02-21 |
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