KR920013770A - 박막 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도의 (가)~(다)는 본 발명 방법을 설명하기 위한 박막 트랜지스터의 제조 공정별 수직 단면도
Claims (1)
- 절연기판(1)상면에 게이트전극(2),절연층(3),반도체층(4),소오스전극(5),드레인전극(6) 및 투명전극(7)을 순차적으로 증착시키는 공정으로 이루어진 박막 트랜지스터 제조공정에 있어서, 상기에서 소오스전극(5)과 드레인전극(6)을 절연층(3)과 반도체층(4)의 양측상면에 연이어지게 증착시키되 게이트전극(2)과 소오스전극(5)이 상호 겹치지 않도록 증착시켜서 됨을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900022292A KR920013770A (ko) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 박막 트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900022292A KR920013770A (ko) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 박막 트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920013770A true KR920013770A (ko) | 1992-07-29 |
Family
ID=67538285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900022292A KR920013770A (ko) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 박막 트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920013770A (ko) |
-
1990
- 1990-12-28 KR KR1019900022292A patent/KR920013770A/ko not_active Application Discontinuation
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