KR860003668A - 액정구동용 활성화행열 박막트랜지스타의 제조방법 - Google Patents

액정구동용 활성화행열 박막트랜지스타의 제조방법 Download PDF

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KR860003668A
KR860003668A KR1019840006805A KR840006805A KR860003668A KR 860003668 A KR860003668 A KR 860003668A KR 1019840006805 A KR1019840006805 A KR 1019840006805A KR 840006805 A KR840006805 A KR 840006805A KR 860003668 A KR860003668 A KR 860003668A
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liquid crystal
thin film
film transistor
manufacturing
crystal drive
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KR1019840006805A
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1) 승도영(외
Original Assignee
정재은
삼성전자 주식회사
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  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

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내용 없음

Description

액정구동용 활성화행열 박막트랜지스타의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도면은 액정구동용 박막트랜지스터의 구조도.

Claims (1)

  1. 게이트를 아래로하고 드레인 소오스를 위로하며 투명전극 위에 드레인 전극을 형성한 구동소자로써 a-Si반도체로 하기 위하여 유리기판에 투명전극을 증착하고 금속(Al, Mo)으로 게이트 전극을 형성한 후 SiO2나 Si3H4로 절연층 증착하고 다시 통상의 플라즈마 CVD법으로 a-Sl층을 형성하여 드레인 소오스 전극을 증착하고 SiO2나 Si3H4로 절연층을 증착하도록하는 액정 구동용 활성화 행열 박막트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019840006805A 1984-10-31 1984-10-31 액정구동용 활성화행열 박막트랜지스타의 제조방법 KR860003668A (ko)

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