KR870011706A - 액정표시소자 구동용 비정실 실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents

액정표시소자 구동용 비정실 실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 Download PDF

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KR870011706A
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    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof

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Abstract

내용 없음

Description

액정표시소자 구동용 비정실 실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 종래의 비정질 박막 트랜지스터를 이용한 액정표시소자의 단면도.
제3도는 종래의 프래나형 박막 트랜지스터의 단면도.
제4도의 (가)-(나)는 본 발명에 의한 플레나형의 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 공정을 보인 단면도.

Claims (2)

  1. 아몰피스 비정질 실리콘층(46)상에 케이트 및 소스, 드레인 전극(50)(54)(55)을 형성하는 피레나형 비정질 실리콘 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 수소, 드레인 전극 (54)(55)사이의 아몰피스 비정질 실리콘층(46)상에 게이트 절연층으로 네이티브 SiO2층(49)을 형성하고, 그 상부에 게이트전극(50) 및 SiO2층(51)을 순차적으로 형성하며 게이트전극(50) 및 게이트라인(43)과 소스전극(54) 및 드레인전극(55), 소스라인간의 전기절연을 하게 구성함을 특징으로 하는 액정표시소자 구동용 비정질 실리콘 박막 트랜지스타.
  2. ITO가 부착된 유리기판에 게이트라인 및 화소를 패터닝하고, 박막 트랜지스터를 형성할 부위에 아몰퍼스 비정질 실리콘층을 증착한 것에 있어서,상기 아몰퍼스 비정질 실리콘층상에 약 100-500Å두께의 n+형 PH3가 약 1% 도핑된 미세결정상의 아몰퍼스 비정질 실리콘층 및 1000-2000Å두께의 SiO2층을 순차적으로 형성한후 미세결정상의 아몰퍼스 비정질 실리콘층 상부의 SiO2층을 제거하고, 약 300℃의 저온에서 산화시켜 네이티브 SiO2층을 형성함과 아울러 미세결정상의 아몰퍼스 비정질 실리콘층을 분리시켜 소스 및 드레인접합이 형성되게 하고 Al을 약 1000-2000Å증착시켜 케이트전극을 형성한 후 SiO2층을 증착시켜 전기절연시키고, 소스구멍 및 드레인구멍을 형성하여 소스전극 및 드레인전극을 형성하여 제조함을 특징으로 하는 액정표시소자 구등용 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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