KR930015095A

KR930015095A - 박막트랜지스터

Info

Publication number: KR930015095A
Application number: KR1019910025176A
Authority: KR
Inventors: 최종일
Original assignee: 이헌조; 주식회사 금성사
Priority date: 1991-12-30
Filing date: 1991-12-30
Publication date: 1993-07-23

Abstract

본 발명은 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 그래스기판(11)위에 게이트 메탈을 증착한 후 선택적으로 습식 에칭하여 게이트 전극(12)을 패턴닝한후, 게이트 전극(12)위에 산화질화막(17), 질화막(13), 산화질화막(18)을 차례로 증착 형성하고, 질화막(13)위에 a-Si:H(14) 를 형성하며, 드레인 및 소오스 전극과의 오믹접촉을 위해 n^--a-Si:H(15)를 증착한 형성한후, 이어서 a-Si:H(14) 및 n⁺-a-Si:H(15)를 선잭적으로 건식에칭하고, 드레인 및 소오스 전극(16) 사이의 n⁺-a-Si:H(15)를 건식에칭하여 드레인과 소오스 전극(16)을 분리형성함을 특징으로 하고 있다. 이러한 본 발명은 질화막의 양쪽에 기계적 응력(stress)이 작고 SiO₂에 비해 습기 방지력이 뛰어난 산화질화막을 형성하였으므로 박막트랜지스터의 계면 특성을 향상하고 I-V특성 뿐아니라 온,오프 특성을 향하는 효과가 있다.

Description

박막트랜지스터

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명에 의한 박막트랜지스터의 제조공정도.

Claims

그래스기판(11)위에 게이트 메탈을 증착한후 선택적으로 습식에칭하여 게이트 전극(12)을 패터닝한 후, 게이트 전극(12)위에 산화질화막(17), 질화막(13), 산화질화막(18)을 차례로 증착 형성하고, 질화막(13) 위에 a-Si:H(14) 를 형성하며, 드레인 및 소오스 전극과의 오믹접촉을 위해 n⁺-a-Si:H(15)를 증착한 형성한후, 이어서 a-Si:H(14) 및 n⁺-a-Si:H(15)를 선택적으로 건식에칭하고, 드레인 및 소오스 전극(16)을 형성하며, 드레인과 소오스 전극(16) 사이의 n⁺-a-Si:H(15)를 건식에칭하여 드레인과 소오스 전극(16)을 분리형성함을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 산화질화막(17)(18)은 SiH₄, NH₃, N₂O 가스를 사용하여 PECVD법으로 증착형성함을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
제2항에 있어서, 상기 산화질화막(17)(18)은 200Å 정도로 형성되고, 상기 질화막(13)은 3000Å 정도로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.