KR910010636A - 비정질실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 박막 트랜지스터의 단면도
제4도는 본 발명의 박막 트랜지스터의 제조공정도
Claims (4)
- 역스태거(Inversed Staggered)구조의 비정질 실리콘 박막 트랜지스터에 있어서, 반도체기판(1)의 상면에 게이트전극(2)과 게이트 절연막(3)을 형성한 다음에 진성비정질실리콘(4)을 형성하고, 그위에 식각정치층인질화실리콘층(5)을 형성한 후 n+비정질 실리콘의 옴접촉층(6)을 형성하고 , 소스전극(7)및 드레인 전극(8)을 형성하고, 소스 전극(7)및 드레인 전극(8)을 마스크로 하여 옴접촉층(6)을 식각한 후 질화실리콘층(5)과 진성비정질실리콘층(4)을 동일한 마스크를 사용하여 동시에 패턴처리하면서 소자를 분리시키는 방법에 의하여 제조함을 특징으로 하는 비정질실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 식각정치층이 질화실리콘층(5)을 플라즈마 실리콘 질화막(SiNx)으로 형성한 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 질화실리콘층(5)의 두께를 50nm이하로 형성한 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법
- 제1항에 있어서, 게이트절연막(3)과 진성비정질식리실리콘층(4)과 질화실리콘층(5) 및 옴접촉층(6)을 화학적기상증착법에 의해 연속적으로 제조하도록 한 비정질실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890017904A KR910010636A (ko) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 비정질실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890017904A KR910010636A (ko) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 비정질실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910010636A true KR910010636A (ko) | 1991-06-29 |
Family
ID=67661258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019890017904A KR910010636A (ko) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 비정질실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR910010636A (ko) |
-
1989
- 1989-11-30 KR KR1019890017904A patent/KR910010636A/ko not_active Application Discontinuation
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