KR970052377A - 반도체 소자 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
반도체 소자 제조방법에 관하여 기재하고 있다. 반도체 기판 상에 소자분리를 위한 필드산화막 및 버퍼산화막을 형성하고, 도전물 및 절연물을 증착한 다음 패터닝하여 커패시터의 하부전극 및 유전체막을 형성한다. 상기 결과물 상에 절연물을 증착한 다음 전면 식각공정을 진행하여, 상기 하부전극 측면에 스페이서를 형성하고 상기 버퍼산화막을 식각하여, 상기 하부전극 아래의 필드산화막이 식각되는 것을 방지하고 게이트가 형성될 반도체 기판 표면에 노출시키고, 상기 결과물 상에 게이트산화막을 형성한 다음, 게이트 산화막이 형성된 상기 결과물 상에 도전물을 증착하고 패터닝하여 커패시터의 상부전극 및 트랜지스터의 게이트를 동시에 형성한다. 따라서, 종래 게이트 형성시 하부전극 측면에 발생되던 폴리실리콘 스트링거가 발생하지 않아 신뢰성 있는 반도체 소자 제조가 가능하다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.
Claims (1)
- 반도체 기판 상에 소자분리를 위한 필드산화막 및 버퍼산화막을 형성하는 단계; 상기 결과물 상에 도전물 및 절연물을 증착한 다음 패터닝하여 커패시터의 하부전극 및 유전체막을 형성하는 단계; 그 결과물 상에 절연물을 증착한 다음 전면 식각공정을 진행하여, 상기 하부전극 측면에 스페이서를 형성하고 상기 버퍼산화막을 식각하여, 상기 하부전극 아래의 필드산화막이 식각되는 것을 방지하고 게이트가 형성될 반도체 기판 표면에 노출시키는 단계; 상기 결과물 상에 게이트산화막을 형성하는 단계; 및 게이트 산화막이 형성된 상기 결과물 상에 도전물을 증착한 다음, 패터닝하여 커패시터의 상부전극 및 트랜지스터의 게이트를 동시에 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057204A KR970052377A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 소자 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057204A KR970052377A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 소자 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052377A true KR970052377A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66619083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950057204A KR970052377A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 소자 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052377A (ko) |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950057204A patent/KR970052377A/ko not_active Application Discontinuation
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