KR970053044A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
잔유물(stringer) 없는 반도체 장치의 제조방법이 개시된다.
본 발명은 반도체 기판 상에 소자분리를 위한 필드산화막 및 1차 게이트 산화막을 형성하고, 상기 필드산화막 위에 1차 폴리실리콘 및 절연물을 증착한 다음 패터닝하여 커패시터의 하부전극 및 유전체막을 형성하고, 그 결과물 상에 절연물을 증착한 다음 전면 식각공정을 진행하여 상기 하부전극 측면에 스페이서를 형성하고, 상기 1차 게이트산화막을 식각하여 상기 하부전극 아래의 필드산화막이 식각되는 것을 방지하고 게이트가 형성될 반도체 기판 표면을 노출시키고, 상기 결과물 상에 2차 게이트산화막을 성장시키며, 상기 결과물 상에 2차 폴리실리콘을 증착한 후 패터닝하여 잔유물 없는 반도체 장치를 형성한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1G도는 본 발명에 의한 반도체 장치의 제조방법을 순차적으로 도시한 공정 단면도들이다.
Claims (2)
- 반도체 기판 상에 소자분리를 위한 필드산화막 및 1차 게이트 산화막을 형성하는 단계; 상기 필드 산화막위에 1차 폴리실리콘 및 절연물을 증착한 다음 패터닝하여 커패시터의 하부전극 및 유전체막을 형성하는 단계; 그 결과물 상에 절연물을 증착한 다음 전면 식각공정을 진행하여, 상기 하부전극 측면에 스페이서를 형성하는 단계; 상기 1차 게이트산화막을 식각하여, 상기 하부전극 아래의 필드산화막이 식각되는 것을 방지하고 게이트가 형성될 반도체 기판 표면을 노출시키는 단계; 상기 결과물 상에 2차 게이트산화막을 성장시키는 단계; 및 상기 결과물 상에 2차 폴리실리콘을 증가한 후 패터닝하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 1차 게이트산화막 식각시 함께 식각되어 잔류되는 상기 하부전극 스페이서의 두께를 상기 하부전극 및 유전체막의 총 두께의 약30% 내외로 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057221A KR970053044A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057221A KR970053044A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 장치의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053044A true KR970053044A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66619087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950057221A KR970053044A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 장치의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053044A (ko) |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950057221A patent/KR970053044A/ko not_active Application Discontinuation
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