KR960026227A - 반도체소자의 미세콘택 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 미세콘택 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 미세콘택 형성방법에 관한 것으로, 반도체 기판 소자분리절연막, 게이트전극 및 절연막 스페이서를 순차적으로 형성하고 전체표면상부에 일정두께 내부절연막을 형성한 다음, 그 상부에 하부절연층을 형성하고 콘택마스크를 이용하여 상기 하부절연층을 식각한 다음, 상기 식각된 하부절연층을 마스크로하여 상기 내부 절연막을 습식방법으로 등방성식각함으로써 콘택면적이 예정보다 증가된 콘택홀을 형성하고, 후공정에서 상기 반도체기판에 접속되는 콘택물질층을 형성함으로써 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하고 이에따른 반도체소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 내지 제1e도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 미세콘택 형성공정을 도시한 단면도.
Claims (3)
- 고집적화된 반도체소자의 미세콘택 형성방법에 있어서, 반도체기판 상부에 소자분리절연막, 게이트전극 및절연막 스페이서를 형성하는 공정과, 전체표면상부에 일정두께 내부절연막을 형성하는 공정과, 전체표면상부에 하부절연층을 형성하는 공정과, 콘택마스크를 이용하여 상기 하부절연층을 식각하는 공정과, 상기 식각된 하부절연층을 마스크로하여 상기 내부절연막을 식각하되, 상기 반도체기판과 접속된 부분을 식각함으로써 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 통하여 콘택물질층을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 미세콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 내부절연막은 상기 절연막 스페이서 및 하부절연층과 일정한 식각선택비 차이를 갖는 절연물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 내부절연막 식각공정은 상기 절연막 스페이서 및 하부절연층과의 식각선택비 차이를이용한 습식방법으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세콘택 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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|---|---|---|---|
| KR1019940039216A KR0140733B1 (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체소자의 미세콘택 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
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| KR960026227A true KR960026227A (ko) | 1996-07-22 |
| KR0140733B1 KR0140733B1 (ko) | 1999-03-30 |
Family
ID=19405347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019940039216A KR0140733B1 (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체소자의 미세콘택 형성방법 |
Country Status (1)
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102075064B1 (ko) * | 2018-11-13 | 2020-02-07 | (주)애니캐스팅 | 돌출전극부가 배열된 다중배열전극 및 이를 제조하는 방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100470390B1 (ko) * | 2002-06-29 | 2005-02-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 에스램소자 제조시 다마신을 이용한 국부배선 스페이스최소화방법 |
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1994
- 1994-12-30 KR KR1019940039216A patent/KR0140733B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| KR0140733B1 (ko) | 1999-03-30 |
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