KR950021426A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950021426A KR950021426A KR1019930031184A KR930031184A KR950021426A KR 950021426 A KR950021426 A KR 950021426A KR 1019930031184 A KR1019930031184 A KR 1019930031184A KR 930031184 A KR930031184 A KR 930031184A KR 950021426 A KR950021426 A KR 950021426A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- metal wiring
- tungsten
- forming
- connection holes
- growing
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 텅스탠 스페이서를 이용하여 접속공 상부의 모서리 부분을 둥글게 형성한 다음 선택적 텅스텐을 성장시켜 금속배선이 형성되도록 한 반도체 소자의 금속배선 형성 방법에 관해 기술된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 내지 1E도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속배선 형성 방법을 설명하기 위한 단면도,
제2도는 본 발명의 실시예.
Claims (2)
- 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 있어서, 소자 분리 산화막(2) 및 불순물 접합층(3)이 형성된 실리콘 기판(1) 상부에 산화 절연막(5) 및 도전체(4)를 형성시키고 상기 산화 절연막(5) 상부에 다결정 실리콘막(6)을 도포한다음 접속공 마스크를 사용하여 상기 다결정 실리콘막(6) 및 산화 절연막(5)을 순차적으로 식각하여 제1 및 제2접속공(11 및 12)을 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 상부에 선택적 텅스텐(7)을 도포하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 선택적 텅스텐(7)을 블랭킷 식각공정에 의해 에치 백하여 상기 제1 및 제2접속공(11 및 12) 측벽에 텅스텐 스페이서(7A)를 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기 다결정 실리콘막(6) 및 텅스텐 스페이서 (7A)를 마스크로 하여 노출된 상기 산화 절연막(5)을 식각하여 제3및 제4 접속공(13및 14)을 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 전체구조 상부에 선택적 텅스텐(9)을 성장시킨 후 페턴화하여 금속배선이 형성되도록 하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3 및 제4접속공 (13 및 14)을 형성시킨 후 전체구조 상부에 선택적 텅스텐 (9)을 성장시키는 대신에 가장 깊이가 낮은 접속공 (14)을 기준으로 하여 선택적 텅스텐 (9)을 성장시킨 다음 전체구조 상부에 금속층(17)을 도포하고 패턴화하여 금속배선이 형성되도록 하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930031184A KR100250746B1 (ko) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930031184A KR100250746B1 (ko) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950021426A true KR950021426A (ko) | 1995-07-26 |
| KR100250746B1 KR100250746B1 (ko) | 2000-04-01 |
Family
ID=19374187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930031184A KR100250746B1 (ko) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100250746B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030052815A (ko) * | 2001-12-21 | 2003-06-27 | 동부전자 주식회사 | 반도체소자의 제조방법 |
-
1993
- 1993-12-30 KR KR1019930031184A patent/KR100250746B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100250746B1 (ko) | 2000-04-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950001901A (ko) | 콘택홀 제조방법 | |
| KR960005870A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 | |
| KR940020531A (ko) | 콘택홀에 금속플러그 제조방법 | |
| KR940016687A (ko) | 반도체 접속장치 및 그 제조방법 | |
| KR950021426A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR970051844A (ko) | 반도체 장치의 얼라인 키 패턴 형성방법 | |
| KR960006339B1 (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR950034415A (ko) | 반도체 소자의 미세패턴 제조방법 | |
| KR960026227A (ko) | 반도체소자의 미세콘택 형성방법 | |
| KR960035831A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR950021096A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR960026210A (ko) | 미세콘택 형성방법 | |
| KR950004548A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| KR950021285A (ko) | 금속배선층 형성방법 | |
| KR960002714A (ko) | 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법 | |
| KR970018072A (ko) | 미세 접촉창을 형성할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR960006087A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR940010366A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 제조방법 | |
| KR970052537A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR950021123A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR980005514A (ko) | 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성방법 | |
| KR910003761A (ko) | 반도체 소자의 다층금속배선 공정방법 | |
| KR970003851A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR940016629A (ko) | 삼층감광막 패턴 형성방법 | |
| KR960026221A (ko) | 반도체 소자 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20091222 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |