KR960026229A - 반도체소자의 미세콘택 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 미세콘택 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960026229A KR960026229A KR1019940039227A KR19940039227A KR960026229A KR 960026229 A KR960026229 A KR 960026229A KR 1019940039227 A KR1019940039227 A KR 1019940039227A KR 19940039227 A KR19940039227 A KR 19940039227A KR 960026229 A KR960026229 A KR 960026229A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- forming
- semiconductor device
- lower insulating
- photoresist pattern
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체소자의 미세콘택 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 소자분리절연막, 게이트전극 및 절연막 스페이서가 형성된 하부 절연층을 형성하고 그 상부에 최소크기의 콘택마스크를 이용하여 형성한 감광막패턴을 형성한 다음, 상기 하부절연층을 일정두께 식각하고 상기 감광막패턴 표면에 스웰링된 실리레이트된 층을 형성한 다음, 이를 마스크로하여 하부절연층을 식각함으로써 콘택홀을 형성하고 후공정에서 상기 콘택홀을 통하여 상기 반도체기판에 접속되는 콘택물질층을 형성함으로써 반도체소자의 신뢰성을 향상시키고 반도체 소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1C도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 미세콘택 형성공정을 도시한 단면도.
Claims (7)
- 고집적화된 반도체 소자의 미세콘택 형성방법에 있어서, 반도체기판 상부에 소자분리절연막, 게이트전극 및 절연막 스페이서가 형성된 하부절연층을 형성하는 공정과, 상기 하부절연층 상부에 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 하부 절연층을 일정두께 건식식각하는 공정과, 상기 감광막패턴 표면에 스웰링된 실리레이트된 층을 형성하는 공정과, 상기 실리레이트된 층을 마스크로하여 상기 하부절연층을 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 미세콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 감광막패턴은 최소크기의 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 건식식각은 상기 하부절연층에 형성된 구조물 상부까지 실시되는 것을 특징으로하는 반도체소자의 미세콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리레이트된 층은 상기 감광막패턴의 표면에 실리콘이 함유된 물질이 첨가되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 콘택홀은 상기 실리레이트된 층의 스웰링 정도에 따라 크기가 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세콘택 형성방법.
- 제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 스웰링 정도는 실리레이션 공정조건, 즉 압력, 온도 그리고 실리레이션 시간을 조정함으로써 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세콘택 형성방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 건식식각 대신에 습식방법으로 식각되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세콘택 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039227A KR960026229A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체소자의 미세콘택 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039227A KR960026229A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체소자의 미세콘택 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026229A true KR960026229A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66647756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940039227A KR960026229A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체소자의 미세콘택 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026229A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100268912B1 (en) * | 1997-11-06 | 2000-12-01 | Hyundai Micro Electronics Co | Method for etching of semiconductor device |
-
1994
- 1994-12-30 KR KR1019940039227A patent/KR960026229A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100268912B1 (en) * | 1997-11-06 | 2000-12-01 | Hyundai Micro Electronics Co | Method for etching of semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950001901A (ko) | 콘택홀 제조방법 | |
| KR960026229A (ko) | 반도체소자의 미세콘택 형성방법 | |
| KR960026227A (ko) | 반도체소자의 미세콘택 형성방법 | |
| KR960026585A (ko) | 반도체소자의 소자분리 산화막의 제조방법 | |
| KR960026210A (ko) | 미세콘택 형성방법 | |
| KR950034415A (ko) | 반도체 소자의 미세패턴 제조방법 | |
| KR950004584A (ko) | 오프셋 구조의 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 제조방법 | |
| KR970054008A (ko) | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR960030327A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR960026226A (ko) | 반도체소자의 미세콘택 형성방법 | |
| KR970018072A (ko) | 미세 접촉창을 형성할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR970018062A (ko) | 감광막 확장을 이용한 미세 접촉창 제조방법 | |
| KR970003496A (ko) | 반도체 소자 제조시 미세 콘택홀 형성 방법 | |
| KR950021063A (ko) | 반도체 소자의 스텝 커버리지(Step coverage) 향상방법 | |
| KR970023714A (ko) | 반도체 소자의 콘택부 및 그의 형성방법 | |
| KR970052192A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR970003489A (ko) | 반도체소자의 콘택 형성방법 | |
| KR970003474A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR950025953A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 형성방법 | |
| KR970052317A (ko) | 반도체 장치의 미세 접촉창 형성 방법 | |
| KR970052306A (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 | |
| KR960026180A (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
| KR960026228A (ko) | 반도체소자의 콘택 형성방법 | |
| KR970003520A (ko) | 미세 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR950021078A (ko) | 반도체장치의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |