KR930001488A - Mos 장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 이 발명의 MOS 장치의 단면도.
Claims (6)
- 기판상에 소오스, 드레인 게이트 산화막 및 게이트를 형성하여 구성되는 M0S 장치에 있어서, 게이트 전극이, 하부는 폴리실리콘층으로 상부는 비정질실리콘층으로 적층하여 구성됨을 특징으로 하는 M0S 장치.
- 기판상에 소오스, 드레인 게이트 산화막 및 게이트를 형성하여 구성되는 MOS 장치에 있어서, MOS 장치의 게이트 전극 형성방법이, 600℃이상의 온도에서 폴리실리콘을 증착한 후, 590℃이하의 온도에서 비정질실리콘을 증착하는 것을 특징으로 하는 M0S 장치의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 폴리실리콘층은 600℃이상에서 500Å이하의 두께로 증착됨을 특징으로 하는 MOS 장치제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기한 2차례의 증착을 동일 튜브내에서 연속하여 수행함을 특징으로 하는 MOS 장치 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기한 2차례의 증착을 수행하여 형성된 게이트 전극박막을 인의 소스로 도핑하는 공정을 수행함을 특징으로 하는 M0S 장치 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기한 인의 소스는 특히 POC13을 특징으로 하는 MOS 장치 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910009932A KR930001488A (ko) | 1991-06-15 | 1991-06-15 | Mos 장치 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910009932A KR930001488A (ko) | 1991-06-15 | 1991-06-15 | Mos 장치 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930001488A true KR930001488A (ko) | 1993-01-16 |
Family
ID=67441016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910009932A KR930001488A (ko) | 1991-06-15 | 1991-06-15 | Mos 장치 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930001488A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100443794B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2004-08-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 게이트 형성 방법 |
| KR102231885B1 (ko) * | 2019-09-26 | 2021-03-26 | 이덕신 | 크랭크식 도어 클로즈 |
-
1991
- 1991-06-15 KR KR1019910009932A patent/KR930001488A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100443794B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2004-08-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 게이트 형성 방법 |
| KR102231885B1 (ko) * | 2019-09-26 | 2021-03-26 | 이덕신 | 크랭크식 도어 클로즈 |
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