KR900017150A - 다중 게이트 박막 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
다중 게이트 박막 트랜지스터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 다중 게이트 박막 트랜지스터 단면도.
Claims (1)
- 유리기판(1)위에 게이트전극(2), 게이트 절연층(3), 아몰퍼스 실리콘층(4), n+아몰퍼스 실리콘층(5), 드레인전극(6-1), 소오스전극(6-2)을 형성하는 모노게이트 박막 트랜지스터 제조 과정에 있어서, 게이트 전극 형성 과정은 유기기판위에 전자빔 증착기를 사용하여 금속막을 증착시킨후 패터닝하여 다중의 게이트전극(2-1,....2-n)을 형성하고 드레인전극(6-1) 소오스전극(6-2)을 형성한후 이 박막 트랜지스터를 보호하기 위하여 보호막(7)을 형성하는 것을 특징으로 하는 다중 게이트 박막 트랜지스터 제작 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890005776A KR900017150A (ko) | 1989-04-29 | 1989-04-29 | 다중 게이트 박막 트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890005776A KR900017150A (ko) | 1989-04-29 | 1989-04-29 | 다중 게이트 박막 트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR900017150A true KR900017150A (ko) | 1990-11-15 |
Family
ID=67776960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019890005776A KR900017150A (ko) | 1989-04-29 | 1989-04-29 | 다중 게이트 박막 트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR900017150A (ko) |
-
1989
- 1989-04-29 KR KR1019890005776A patent/KR900017150A/ko not_active Application Discontinuation
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