KR950030384A - 박막 트랜지스터 구조 - Google Patents

박막 트랜지스터 구조 Download PDF

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KR950030384A
KR950030384A KR1019940007863A KR19940007863A KR950030384A KR 950030384 A KR950030384 A KR 950030384A KR 1019940007863 A KR1019940007863 A KR 1019940007863A KR 19940007863 A KR19940007863 A KR 19940007863A KR 950030384 A KR950030384 A KR 950030384A
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KR
South Korea
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thin film
film transistor
pixel electrode
transistor structure
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KR1019940007863A
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English (en)
Inventor
신우섭
Original Assignee
이헌조
엘지전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 박막 트랜지스터 구조에 관한 것으로, 종래 박막 트랜지스터는 베리어층과 소오스/드레인전극을 형성하기 위해서 많은 공정을 수행하게 되어 제조공정이 복잡해지고, 베리어층과 알루미늄 사이의 계면에서 이들의 화합물이 생성되어 계면의 에칭이 불균일하게 생성될 수 있으며, 또한, 에칭속도가 다르기 때문에 언더컷(undercut)이 발생하는 문제점이 있었다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 화소전극인 ITO물질을 베리어물질로 사용하고 그 화소전극위에 소오스/드레인전극용 알루미늄을 단일구조로 증착함으로써 화소전극에 의해 알루미늄이 비정질실리콘으로의 확산을 방지토록 하는 박막 트랜지스터 구조를 제공하는 것이다.

Description

박막 트랜지스터 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명 박막 트랜지스터의 단면구조도, 제6도의 (가) 내지 (라)는 제5도에 대한 제조공정도.

Claims (2)

  1. 기판상에 게이트전극과 게이트절연막이 차례로 형성되고, 상기 게이트절연막위에 반도체층이 형성되며, 상기 반도체층위에 채널부위가 식각된 불순물반도체층이 형성되며, 채널부분의 일부를 포함한 상기의 불순물 반도체층이에 화소전극이 형성되며, 상기 화소전극위에 소오스/드레인전극이 형성되어 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 구조.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소오스/드레인전극은 150∼200℃ 사이에서 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019940007863A 1994-04-14 1994-04-14 박막 트랜지스터 구조 KR950030384A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101274684B1 (ko) * 2006-08-03 2013-06-12 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그의 제조방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101274684B1 (ko) * 2006-08-03 2013-06-12 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그의 제조방법

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