KR970053971A - 정전기 방지용 트랜지스터 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 정전기 방지용 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것으로 보다 구체적으로는, 반도체 소자의 정전기 방지회로를 구성하는 트랜지스터의 공정 단계를 최소화하여 효과적인 정전기 방지를 이룰 수 있는 정전기 방지용 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 반도체 기판 상부의 접합 영역 에정 부위에 필드 산화막을 형성하고, 전체 구조 상부에 게이트 산화막과 게이트 전극용 전도층을 증착하고, 전도층을 식각 하여 게이트 전극을 형성하고, 게이트 전극 사이의 노출된 기판 부위에 필드 산화막을 사이에 두고 접합 영역을 형성한 다음, 접합 영역 상부에 금속층 또는 금속 실리사이드를 형성하는 단계를 포함한다.

Description

정전기 방지용 트랜지스터 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 (가) 내지 (다)는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전기 방지용 트랜지스터의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.

Claims (9)

  1. 반도체 기판의 각각의 접함 영역 예정 부위에 형성된 필드 산화막과, 상기 필드 산화막 하부 및 일정 부분 필드 산화막의 양측부로 확장되어 형성된 웰과, 상기 각각 의 필드 산화막 사이에 상기 필드 산화막과 일정 간격 이격되도록 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 양측의 기판 부위에 필드 산화막을 사이에 두고 형성된 제1, 제2드레인 전극과 제1,제2소오스 전극, 상기 제1,제2드레인 전극, 제1, 제2소오스 전극및 게이트 전극 상부에 형성된 금속층 또는 금속 실리사이드층을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기 방지용 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1드레인 전극과 제2드레인 전극 또는 제1소오스 전극과 제2소오스 전극 사이에 필드 산화막이 위치하는 것을 특징으로 하는 정전기 방지용 트랜지스터.
  3. 반도체 기판의 드레인 전극 예정 부위의 소정 영역에 형성된 필드 산화막과, 상기 필드 산화막 하부 및 그 양측부로 확장되어 형성된 웰과, 상기 필드 산화막과 일정 거리만큼 이격되도록 형성된 게이트 전극과 상기 게이트 전극의 양측의 기판 부위에 필드 산화막을 사이에 두고 형성된 제1, 제2드레인 전극과 소오스전극, 상기 제1, 제2드레인 전극, 소오스 전극 및 게이트 전극 상부에 형성된 금속층 또는 금속 실리사이드층을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기 방지용 트랜지스터.
  4. 반도체 기판상부의 접합 영역 예정 부위에 필드 산화막과 상기 필드 산화막 하부에 일정 부분 확장된 웰을 형성하는 단계 상기 구조물 상부에 게이트 산화막과 게이트 전극용 전도층을 증착하는 단계 상기 게이트 전극용 전도층을 소정 부분 식각하여 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 사이의 노출된 기판부위에 필드 산화막을 사이에 두고 접합 영역을 형성하는 단계; 및 상기 접합 영역 상부에 금속층 또는 금속실리사이드를 형성하는 단게를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기 방지용 트랜지스터의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 금속층은 텅스텐인 것을 특징으로 하는 정전기 방지용 트랜지스터의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 텅스텐은 WF6/H2혼합가스 WF6/SiH4혼합가스 중 선택되는 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 정전기 방지용 트랜지스터의 제조방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 금속 실리사이드는 접합 영역까지 형성된 반도체 기판 상부에 내화성 금속막을 형성하고, 500 내지 800℃의 온도에서 열처리하여 실리콘과 접속된 부분을 실리사이드화하고, 잔조하는 내화성 금속막을 제거하는 것을 특징으로 하는 정전기 방지용 트랜지스터의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 내화성 금속막은 티타늄 크롬, 플란티튬 중 선택되는 하나의 금속인 것을 특징으로 하는 정전기 방지용 트랜지스터의 제조방법.
  9. 제7항에 또는 제8항에 있어서, 상기 잔조하는 내화성 금속막의 식각은, NH4OH/H2O2/H2O 혼합 용액 또는 H2SO4/H|2O2혼합 용액으로 식각하는 것을 특징으로 하는 정전기 방지용 트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고 사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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