KR980005454A - 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법에 관한 것으로, 폴리사이드 구조를 갖는 게이트 전극을 패터닝하기 위한 사진 공정시 발생되는 난반사를 방지하기 위하여 텅스텐 실리사이드층상에 반사 방지막을 형성하므로써 사진 공정시 난반사로 인해 발생되는 불량이 감소되어 소자의 수율이 향상되며, 게이트 전극의 폭을 정확히 조절하여 소자의 전기적 특성 및 신뢰도가 향상될 수 있는 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a 내지 제2d도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (5)
- 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법에 있어서, 실리콘 기판상에 게이트 산화막, 폴리실리콘층 및 텅스텐 실리사이드층을 순차적으로 형성하는 단계와,상기 단계로부터 상기 텅스텐 실리사이드층의 반사율을 감소시키기 위하여 상기 텅스텐 실리사이드층상에 반사 방지막을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 반사 방지막, 텅스텐 실리사이드층, 폴리실리콘층 및 게이트 산화막을 순차적으로 패터닝하여 게이트 전극을 형성한 후 상기 반사 방지막을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반사 방지막은 실리콘 질화막(Si3N4)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 실리콘 질화막(Si3N4)은 350 내지 450℃의 온도에서 플라즈마 화학기상증착 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 실리콘 질화막은 SiH4및 NH3가스에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법.
- 제1 또는 제2항에 있어서, 상기 반사 방지막은 800 내지 1200Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960022803A KR980005454A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960022803A KR980005454A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005454A true KR980005454A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66288234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960022803A KR980005454A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005454A (ko) |
-
1996
- 1996-06-21 KR KR1019960022803A patent/KR980005454A/ko not_active Application Discontinuation
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