KR970053484A - 반도체 소자의 아이솔레이션 방법 - Google Patents

반도체 소자의 아이솔레이션 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 아이솔레이션 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명은 PBL 아이솔레이션 방법에 있어서 버퍼층을 다결정 실리콘 대신 도핑되지 않은 비결정질 실리콘과 도핑된 비결정질 실리콘의 이중 구조로 형성하므로써 열 산화시 다결정 실리콘의 결정 입계를 따라 형성되는 공동의 형성을 방지하여 제품의 특성을 향상시키는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 소자의 아이솔레이션 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (a) 내지 (c)는 본 발명에 따른 소자의 아이솔레이션 형성 방법을 설명하기 위한 도면.

Claims (4)

  1. 반도체 기판 상에 패드 산화막을 증착시키는 단계; 패드 산화막 상에 도핑되지 않은 비결정질 실리콘을 증착시키는 단계; 도핑되지 않은 비결정질 실리콘 상에 인-시튜 도핑된 비결정질 실리콘을 증착시키는 단계; 인-시튜 도핑된 비결정질 실리콘 상에 질화막을 증착시키는 단계; 아이솔레이션을 위한 마스크 패턴을 형성하는 단계; 마스크 패턴에 따라 질화막, 인-시튜 도핑된 비결정질 실리콘, 도핑되지 않은 비결정질 실리콘 및 패드 산화막을 식각하는 단계; 식각된 부분의 기판 상에 필드 산화막을 증착시키는 단계; 질화막, 인-시튜 도핑된 비결정질 실리콘, 도핑되지 않은 비결정질 실리콘 및 패드 산화막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 아이솔레이션 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 패드 산화막 상에 도핑되지 않은 비결정질 실리콘을 증착시키는 단계는 500 내지 550℃의 온도 범위에서 SiH4가스를 사용하여 LP-CVD 방법에 의해 200 내지 250Å 정도의 두께로 증착시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 아이솔레이션 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 도핑되지 않은 비결정질 실리콘 상에 인-시튜 도핑된 비결정질 실리콘을 증착시키는 단계는 500 내지 550℃의 온도 범위에서 SiH4가스 또는 Si2H6가스를 사용하여 LP-CVD 방법에 의해 300Å 정도 증착시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 아이솔레이션 형성 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 도핑되지 않은 비결정질 실리콘 상에 인-시튜 도핑된 비결정질 실리콘을 증착시키는 단계는 증착시 챔버 내의 환경 가스로서 N2/NH3가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 아이솔레이션 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950069488A 1995-12-30 1995-12-30 반도체 소자의 아이솔레이션 방법 KR0172730B1 (ko)

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