KR970030647A - 반도체 소자의 측벽 제조 방법 및 그 구조 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 측벽 제조 방법에 관한 것으로, 실리콘 기판상의 액티브 영역에 형성된 게이트와; 상기 게이트의 측면에 순차로 형성된 얇은 산화막 스페이서 및 질화 규소막 스페이서로 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 측벽 구조이며, 소자 격리 영역과 액티브 영역이 정의된 기판 실리콘 상의 액티브 영역에 게이트를 형성하는 공정과; 상기 게이트 형성후 그 위에 얇은 산화막을 형성하는 공정과; 상기 산화막위에 질화 규소막을 형성하는 공정과; 상기 질화 규소막을 식각하여 스페이서를 형성하는 공정을 포함하여 소자 제조를 완료함으로써, 실리콘 기판과 폴리 실리콘 상단부의 손상을 최소화 할 수 있고 고절연 LDD스페이서의 형성을 가능하게 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 측벽 제조 방법을 도시한 공정 수순도.
Claims (4)
- 소자 격리 영역과 액티브 영역이 정의된 실리콘 기판 상의 액티브 영역에 게이트를 형성하는 공정과; 상기 게이트 형성후 그 외에 얇은 산화막을 증착하는 공정과; 상기 산화막위에 질화 규소막을 증착하는 공정과; 상기 질화규소막을 식각하여 스페이서를 형성하는 공정으로 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 측벽 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 얇은 산화막은 500Å 이하의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 측벽 제조 방법.
- 실리콘 기판상의 액티브 영역에 형성된 게이트와; 상기 게이트의 측면에 순차로 형성된 얇은 산화막 스페이서 및 질화 규소막 스페이서로 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 측벽 구조.
- 제3항에 있어서, 얇은 산화막 스페이서는 500Å 이하의 두께로 형성하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 측벽 구조.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR0167267B1 (ko) | 1999-02-01 |
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