KR960035981A - 반도체 장치의 금속배선 콘택부 형성방법 - Google Patents

반도체 장치의 금속배선 콘택부 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 의한 금속배선 콘택부 형성방법은 반도체 기판상에 층간절연막과 표면보호막을 순차적으로 형성시키는 단계와, 금속콘택 부위의 표면보호막과 층간절연막을 부분적으로 제거하여 홈을 형성시키는 단계와, 표면보호막과 홈의 상면에 절연물질산화막을 형성시키는 단계와, 절연물질산화막을 에치백하여 홈의 측벽에 측벽스페이서를 형성시키는 단계와, 측벽스페이서 사이의 홈을 저면을 식각하여 콘택홀을 형성시키는 단계와, 표면보호막과 콘택홀의 상면에 금속층을 형성시키는 단계를 포함하여 이루어진다.

Description

반도체 장치의 금속배선 콘택부 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 반도체 장치의 금속배선 콘택부 형성방법을 설명하기 위한도면.

Claims (4)

  1. 반도체 장치의 금속배선 콘택부 형성방법에 있어서, 1)반도체 기판상에 층간절연막과 표면보호막을 순차적으로 형성시키는 단계와 2)콘택부형성부위의 상기 표면보호막과 상기 층간절연막을 소정의 식각공정으로 부분적으로 제거하여 홈을 형성시키는 단계와, 3) 상기 표면보호막과 상기 홈의 표면에 절연물질산화막을 형성시키는 단계와 4)상기 절연물질산화막을 에치백하여 상기 홈의 측벽에 측벽스페이서를 형성시키는 단계와 5) 상기 측벽스페이서 사이의 상기 홈의 저면을 식각하여 콘택홀을 형성시키는 단계와 6)상기 표면보호막과 상기 콘택홀의 표면에 금속층을 형성시키는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 장치의 금속배선 콘택부 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 1) 단계에서 상기 층간절연막으로 BPSG(Borphospher Silicate Glass)를 형성시키고, 그 상면에 표면보호막으로는 NH3Si4을 증착하여 형성시키는 특징으로 하는 반도체 장치의 금속배선 콘택부 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 2) 단계에서 상기 홈은 등방성 건식식각으로 상기 표면보호막과 상기 충간절연막을 부분적으로 제거하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속배선 콘택부 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 4) 단계에서 상기 표면보호막을 식각저지층으로 하여 상기 층간절연막을 보호하면서 상기 절연물질산화막을 에치백하여 상기 홈의 측벽에 측벽스페이서를 형성시키고, 상기 5) 단계에서 사이 홈의 저면을 등방성 건식식각하여 콘택홀을 형성시키는 것을 포함하는 반도체 장치의 금속 배선 콘택부 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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