KR980005491A - 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 형성방법을 제공하는 것으로, 콘택홀을 형성할 때 접합영역에 손상을 주지 않을 정도로 절연막을 식각하고, 콘택홀 측벽에 스페이서를 형성한 후 스페이서를 형성한 후 스페이서를 제거하여 접합영역과 접촉하는부분을 식각손상으로부터 방지하므로써 접합영역 및 금속층간의 접촉저항을 감소시켜 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a 내지 2d도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 콘택홀 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 있어서, 접합영역이 형성된 실리콘기판의 전체 상부면에 절연막을 형성한 후 접합영역이 손상되지 않을 정도로 상기 절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 콘택홀의 양측벽에 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 스페이서를 습식식각 공정으로 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 스페이서는 PSG또는 USG중 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023460A KR980005491A (ko) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023460A KR980005491A (ko) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005491A true KR980005491A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66287742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960023460A KR980005491A (ko) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005491A (ko) |
-
1996
- 1996-06-25 KR KR1019960023460A patent/KR980005491A/ko not_active Application Discontinuation
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