KR960039139A - 반도체 소자의 금속배선층 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속배선층 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960039139A KR960039139A KR1019950007703A KR19950007703A KR960039139A KR 960039139 A KR960039139 A KR 960039139A KR 1019950007703 A KR1019950007703 A KR 1019950007703A KR 19950007703 A KR19950007703 A KR 19950007703A KR 960039139 A KR960039139 A KR 960039139A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- material layer
- forming
- insulating material
- wiring layer
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76886—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76897—Formation of self-aligned vias or contact plugs, i.e. involving a lithographically uncritical step
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명에 의한 반도체 소자의 금속배선층 형성방법에서는 주배선층의 측면에 측면보호막을 형성시킨 것을 특징으로 하며, 금속배선층의 제조방법으로는 반도체 소자를 형성시킨 반도체기판상에 소자의 각 전극 상부와 외부의 연결을 위한 콘택홀을 형성시킨 절연막상에 절연물질층등을 형성시키고, 절연물질층에 배선영역을 식각시키고, 배선영역에 주배선층용 금속을 매립시켜서 주배선층을 형성시키는 단계를 포함하여 이루어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도∼제8도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 금속배선층 형성방법의 실시예를 설명하기 위한 도면.
Claims (10)
- 반도체 소자의 금속배선층 형성방법에 있어서, 1) 절연막을 형성시킨 반도체기판상에 전면에 장벽금속층을 형성시키는 단계와, 2) 상기 장벽금속층 위에 절연물질층을 형성시키고, 주배선층 형성부위의 상기 절연물질층을 식각하여 배선영역을 형성시키는 단계와, 3) 상기 배선영역에 금속층을 매립시켜서 주배선층을 형성시키는 단계와, 4) 상기 절연물질층의 상부표면을 제거하는 단계와, 5) 상기 주배선층의 상부와 노출된 양측면 위에 보호물질층을 형성시키는 단계와, 6) 상기 보호물질층을 마스크로 하여 상기 절연물질층과 상기 장벽금속층을 식각하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 소자의 금속배선층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 3) 단계에서 상기 절연물질층상에 상기 배선영역을 매립시키는 주배선층용 금속막을 형성시킨 후에, 상기 절연물질층 위의 금속막을 화학 기계 연마(CMP)법으로 제거하여 상기 배선영역에 매립된 주배선층을 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 3) 단계에서 상기 절연물질층상에 상기 배선영역을 매립시키는 주배선층용 금속막을 형성시킨 후에, 상기 주배선층용 금속막을 이방성식각으로 에치백하여 상기 배선영역에 매립된 주배선층을 형성시키는 것을 특징으로 반도체 소자의 금속배선층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 3) 단계 후에 상기 절연물질층의 상면에 상기 주배선층이 형성된 부위를 개방시키는 감광막패턴을 형성시키고, 상기 감광막패턴을 마스크로 하여 상기 주배선층의 가장 자리의 절연물질층을 부분적으로 제거하는 단계를 포함하는 반도체소자의 금속배선층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 3) 단계 후에, (1) 상기 절연물질층과 상기 주배선층 위에 도전물질층을 형성시키는 단계와, (2) 상기 도전물질층을 패턴닝하여 상기 절연물질층상에서 상기 주배선층의 폭보다 큰 폭으로 상기 주배선층의 상면을 덮는 판형의 보호물질층을 형성시키는 단계와, (3) 상기 보호물질층을 마스크로 하여 상기 절연물질층과 상기 장벽금속층을 패턴닝하여, 상기 주배선층의 측면이 절연물질층의 측면절연막이 형성되도록 하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 소자의 금속배선층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 4) 단계 후에 상기 보호물질층으로 절연물질 또는 도전물질층을 상기 절연물질층과 상기 주배선층 위에 형성시킨 후에, 이방성식각하여 상기 주배선층의 노출된 양측벽에 측벽을 형성시키는 단계를 포함하는 반도체소자의 금속배선층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 장벽금속층과 상기 절연물질층 사이에 식각저지층(etch stopper)을 형성시키는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 소자의 금속배선층 형성방법.
- 제7항에 있어서, 상기 식각저지층은 상기 절연물질층과 식각비가 다른 물질로 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선층 형성방법.
- 반도체 소자의 금속배선층 형성방법에 있어서, 1) 절연막을 형성시킨 반도체기판상에 제1절연물질층을 형성시키는 단계와, 2) 하부배선층 형성영역의 상기 제1절연물질층을 식각하여 배선영역을 형성시키는 단계와, 3) 상기 제1절연물질층의 배선영역을 금속층으로 매립시켜서 하부배선층을 형성시키는 단계와, 4) 상기 제1절연물질층의 상부표면을 제거하여 상기 하부배선층의 양측면 일부를 노출시키는 단계와, 5) 상기 하부배선층의 폭보다 큰 폭으로 도전 물질의 보호물질층을 형성시키는 단계와, 6) 상기 보호물질층을 형성시킨 제1절연물질층상에 제2절연물질층을 형성시키고, 상기 제2절연물질층상에 상기 하부배선층의 상부에 비아(via)콘택홀을 형성시키는 단계와, 7) 상기 보호물질층을 제거하고, 상기 비아콘택홀과 상기 제2절연물질층 위에 상부배선층을 형성시키는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 소자의 금속배선층 형성방법.
- 제9항에 있어서, 상기 7) 단계에서 상기 보호물질층을 하부배선층에 대하여 선택적인 습식식각으로 제거하여 상기 하부배선층을 노출시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선층 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950007703A KR0147195B1 (ko) | 1995-04-03 | 1995-04-03 | 반도체 소자의 금속배선층 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950007703A KR0147195B1 (ko) | 1995-04-03 | 1995-04-03 | 반도체 소자의 금속배선층 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960039139A true KR960039139A (ko) | 1996-11-21 |
| KR0147195B1 KR0147195B1 (ko) | 1998-11-02 |
Family
ID=19411431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950007703A KR0147195B1 (ko) | 1995-04-03 | 1995-04-03 | 반도체 소자의 금속배선층 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0147195B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100579846B1 (ko) | 2003-12-11 | 2006-05-12 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 금속 배선층 및 이의 제조 방법 |
| KR102188723B1 (ko) | 2017-11-07 | 2020-12-08 | 주식회사 엘지화학 | 배터리 온도 추정 장치 및 방법 |
-
1995
- 1995-04-03 KR KR1019950007703A patent/KR0147195B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0147195B1 (ko) | 1998-11-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR890015376A (ko) | 전자소자에 대한 전기적 접속방법 | |
| KR970077204A (ko) | 반도체 장치의 금속 배선 및 그의 형성 방법 | |
| KR970072104A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR960026644A (ko) | 반도체 장치의 배선구조 및 그의 제조방법 | |
| KR100299379B1 (ko) | 반도체소자의금속배선형성방법 | |
| KR960039139A (ko) | 반도체 소자의 금속배선층 형성방법 | |
| KR970067640A (ko) | 반도체 소자의 금속층 형성 방법 | |
| KR970051844A (ko) | 반도체 장치의 얼라인 키 패턴 형성방법 | |
| KR970052368A (ko) | 티(t)자 형태의 금속 플러그를 갖는 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR960026618A (ko) | 반도체소자의 소자분리 절연막의 제조방법 | |
| KR100680939B1 (ko) | 반도체 소자의 배선 형성방법 | |
| KR100917812B1 (ko) | 듀얼 다마신을 갖는 반도체 장치의 제조 방법 | |
| TW430924B (en) | Method for forming contact hole in semiconductor device | |
| KR970053470A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 | |
| KR960030327A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR980005619A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR960043097A (ko) | 반도체 장치의 소자 분리 방법 | |
| KR960039275A (ko) | 반도체 장치의 소자분리방법 | |
| KR970077208A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR970053466A (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 제조 방법 | |
| KR970023740A (ko) | 층간 접속구조 및 이를 형성하는 방법 | |
| KR970052381A (ko) | 반도체 소자의 금속층 형성 방법 | |
| KR970024226A (ko) | 반도체 메모리소자의 스토리지 전극 형성방법 | |
| KR980005466A (ko) | 반도체 장치의 금속배선 형성방법 | |
| KR960005835A (ko) | 반도체 소자의 금속막간 절연 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110429 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |