KR20000004334A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 1번의 마스크 공정을 이용하여 데머신 공정을 진행함으로써, 배선 사이의 브리지를 방지함과 더불어 제조비용을 감소시킬 수 있는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법을 제공한다.
본 발명에 따른 반도체 소자의 금속 배선 형성방법은 반도체 기판 상에 층간절연용 산화막과, 질화막을 순차적으로 형성하는 단계; 질화막 및 소정 깊이만큼의 산화막을 제 1 식각하여 트렌치를 형성하는 단계; 트렌치의 측벽에 산화막과 식각선택비가 높은 절연막으로 이루어진 스페이서를 형성하는 단계; 스페이서에 의해 노출된 산화막을 상기 기판이 노출되도록 제 2 식각하는 단계; 스페이서 및 질화막을 제거하여 배선 형태의 콘택홀을 형성하는 단계; 콘택홀에 매립되도록 산화막 상에 배선용 금속막을 형성하는 단계; 및, 금속막을 산화막이 노출되도고 전면식각하는 단계를 포함한다. 또한, 산화막은 HDP 산화막이고, 스페이서는 질화막으로 형성한다.

Description

반도체 소자의 금속 배선 형성방법
본 발명은 반도체 소자의 금속 배선 형성방법에 관한 것으로, 특히 데머신(damascene) 공정에 의한 반도체 소자의 금속 배선 형성방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 고집적화에 따라, 배선 설계가 자유롭고 용이하며, 배선 저항 및 전류용량 등의 설정을 여유있게 할 수 있는 배선 기술에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다.
도 1은 종래의 반도체 소자의 금속 배선 형성방법을 설명하기 위한 단면도이다. 도 1을 참조하면, 반도체 기판(10) 상에 층간절연막(11)을 형성하고, 기판(10)일부가 노출되도록 층간절연막(11)을 식각하여 콘택홀을 형성한다. 상기 콘택홀에 매립되도록 층간절연막(11) 상에 금속막을 증착하고 패터닝하여 금속 배선(12a, 12b)을 형성한다.
그러나, 상기한 바와 같이 양각 공정에 의해 배선을 형성하는데, 금속막의 열악한 식각 특성에 의해, 도 1에 도시된 바와 같이, 식각 후 금속 배선(13a, 13b) 사이에서 브리지가 발생된다. 이러한, 브리지는 소자의 고집적화에 따라 더욱더 심해져서 소자의 전기적 특성을 저하시킨다.
따라서, 종래에는 고집적화에 따른 배선 사이의 브리지를 방지하기 위하여 데머신(damascene) 공정으로 배선을 형성하였다. 즉, 도 2는 데머신 공정에 의해 형성된 반도체 소자의 금속 배선을 나타낸 단면도로서, 도 1에서와는 달리 층간절연막(21) 내에 화학기계연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP)로 금속막을 전면 식각하여 금속 배선(22)을 완전히 매립시켜 형성하기 때문에, 금속막의 열악한 식각특성으로 인해 발생되는 인접 배선과의 브리지 문제가 방지된다.
그러나, 상가한 데머신 공정에 의한 금속 배선에서는 도 1에서와는 달리 금속 배선(22)의 형태로 콘택홀을 형성해야 하기 때문에, 2번의 마스크 공정이 요구된다. 즉, 도 1의 콘택홀의 크기와 같은 콘택홀 형성을 위한 제 1 포토레지스트막 패턴과, 상기 콘택홀 상부를 금속 배선(22) 형태로 패터닝하기 위한 제 2 포토레지스트막 패턴이 요구되므로, 2번의 포토리소그라피 공정 및 2번의 마스크 제거공정이 요구된다.
따라서, 본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 1번의 마스크 공정을 이용하여 데머신 공정을 진행함으로써, 배선 사이의 브리지를 방지함과 더불어 제조비용을 감소시킬 수 있는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법을 제공함에 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 반도체 소자의 금속 배선을 나타낸 단면도.
도 2는 종래의 데머신 공정에 의한 반도체 소자의 금속 배선을 나타낸 단면도.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 실시예에 따른 데머신 공정에 의한 반도체 소자의 금속 배선 형성방법을 설명하기 위한 단면도.
〔도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〕
30 : 반도체 기판 31 : HDP 산화막
32, 35 : 제 1 및 제 2 질화막 33 : 포토레지스트막 패턴
34 : 트렌치 35a : 질화막 스페이서
36 : 콘택홀 37 : 금속 배선
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속 배선 형성방법은 반도체 기판 상에 층간절연용 산화막과, 질화막을 순차적으로 형성하는 단계; 질화막 및 소정 깊이만큼의 산화막을 제 1 식각하여 트렌치를 형성하는 단계; 트렌치의 측벽에 산화막과 식각선택비가 높은 절연막으로 이루어진 스페이서를 형성하는 단계; 스페이서에 의해 노출된 산화막을 상기 기판이 노출되도록 제 2 식각하는 단계; 스페이서 및 질화막을 제거하여 배선 형태의 콘택홀을 형성하는 단계; 콘택홀에 매립되도록 산화막 상에 배선용 금속막을 형성하는 단계; 및, 금속막을 산화막이 노출되도고 전면식각하는 단계를 포함한다.
또한, 산화막은 HDP 산화막이고, 스페이서는 질화막으로 형성한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 실시예에 따른 데머신 공정에 의한 반도체 소자의 금속 배선 형성방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3a를 참조하면, 반도체 기판(30) 상에 층간절연을 위한 산화막으로서 고밀도 플라즈마(High Density Plasma; HDP) 산화막(31)을 형성하고, HDP 산화막(32) 상에 제 1 질화막(32)을 형성한다. 도 3b를 참조하면, 제 1 질화막(32) 상에 포토리소그라피로 배선의 폭만큼 질화막(32)이 노출되도록 포토레지스트막 패턴(33)을 형성한다. 포토레지스트막 패턴(33)을 식각 마스크로하여 노출된 제 1 질화막(32)과, 그의 하부의 HDP 산화막(32)을 소정 깊이만큼 식각하여 트렌치(34)를 형성한다.
도 3c를 참조하면, 공지된 방법으로 포토레지스트막 패턴(33)을 제거하고, 기판 전면에 HDP 산화막(31)과 식각선택비가 높은 절연막으로서 제 2 질화막(35)을 형성한다. 그런 다음, 제 2 질화막(35)을 건식식각하여, 도 3d에 도시된 바와 같이, 트렌치(34)의 측벽에 질화막 스페이서(35a)를 형성한다. 질화막 스페이서(35a)를 식각 마스크로하여 노출된 HDP 산화막(31)을 기판(30)이 노출되도록 식각한다. 이때, 식각은 건식식각으로 진행한다. 즉, 질화막과 산화막의 식각비는 최대 20 : 1로서, HDP 산화막(31)의 식각시 질화막 스페이서(35a)를 마스크로 사용할 수 있다. 그런 다음, BOE(Buffere Oxide Etchant) 및 H3PO4을 이용하여 질화막 스페이서(35a) 및 제 1 질화막(32)을 제거하여, 도 3e에 도시된 바와 같이, 배선 형태의 콘택홀을 형성한다.
도 3f를 참조하면, 콘택홀에 매립되도록 HDP 산화막(31) 상에 금속막을 증착하고, CMP로 HDP 산화막(31)이 노출될 때까지 전면식각하여, 금속 배선(38)을 형성한다.
상기한 본 발명에 의하면, 데머신 공정에 의한 배선의 형성에서, 한번의 마스크 공정을 이용하여 배선폭 만큼의 트렌치를 형성하고, 트렌치 측벽에 질화막 스페이서를 형성한 후, 이 질화막 스페이서를 이용하여 콘택홀을 형성한다. 이에 따라, 종래의 2번의 마스크 공정이 한번으로 감소되므로, 원가절감의 효과를 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 홀내에 포토레지스트막이 도포되지 않기 때문에, 포토레지스트막의 잔류 문제도 방지된다. 또한, 금속 배선이 절연막 내에 완전히 매립되어 형성되기 때문에, 인접 배선과이 브리지가 발생되지 않으므로, 소자의 전기적 특성이 향상된다.
또한, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 변형시켜 실시할 수 있다.

Claims (8)

  1. 반도체 기판 상에 층간절연용 산화막과, 질화막을 순차적으로 형성하는 단계;
    상기 질화막 및 소정 깊이만큼의 상기 산화막을 제 1 식각하여 트렌치를 형성하는 단계;
    상기 트렌치의 측벽에 상기 산화막과 식각선택비가 높은 절연막으로 이루어진 스페이서를 형성하는 단계;
    상기 스페이서에 의해 노출된 산화막을 상기 기판이 노출되도록 제 2 식각하는 단계; 및,
    상기 스페이서 및 질화막을 제거하여 배선 형태의 콘택홀을 형성하는 단계를 는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 산화막은 HDP 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 스페이서를 형성하는 단계는
    상기 트렌치가 형성된 기판 전면에 상기 절연막을 형성하는 단계; 및,
    상기 절연막을 건식식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
  4. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 절연막은 질화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 식각은 건식식각으로 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 스페이서 및 질화막은 BOE 및 H3PO4을 이용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 콘택홀을 형성하는 단계 이후에,
    상기 콘택홀에 매립되도록 상기 기판 전면에 배선용 금속막을 형성하는 단계; 및,
    상기 금속막을 상기 산화막이 노출되도록 전면식각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 전면식각은 CMP로 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
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