KR970072248A - 반도체소자 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 퓨즈박스 지역에 폴리실리콘패드를 사용함으로써 제2층 금속막의 콘택홀 식각공정을 현행 조건으로 진행하여도 금속스페이서를 형성할 수 있도록 한 것으로, 소정의 반도체소자 구성요소가 형성된 반도체기판상에 폴리실리콘층을 형성하는 단계와, 기판 전면에 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막을 선택적으로 식각 하는 단계, 기판 전면에 금속층을 형성하는 단계, 및 상기 금속층을 사진식각공정을 통해 선택적으로 식각하는 단계를 포함하는 반도체소자 제조방법을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 MST가 실시된 반도체소자의 퓨지박스 영역을 도시한 단면구조이다.
Claims (7)
- 소정의 반도체소자 구성요소가 형성된 반도체기판상에 폴리실리콘층을 형성하는 단계와, 기판 전면에 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막을 선택적으로 식각하는 단계, 기판 전면에 금속층을 형성하는 단계, 및 상기 금속층을 사진식각공정을 통해 선택적으로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체소자 구성요소는 퓨즈라인임을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연막의 선택적 식각공정시 상기 반도체소자 구성요소 상부의 상기 절연막부분을 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속층의 식각단계에서 상기 폴리실리콘층의 노출된 부분이 식각되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속막의 식각에 의해 상기 절연막의 식각된 측면에 금속 스페이서가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘층은 반도체소자 제조공정중 여러 단계에 걸쳐 행해지는 폴리실리콘층 형성공정중의 어느 한 공정에서 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘층이 상기 절연막의 선택적 식각 공정시 식각배리어 역할을 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960013187A KR970072248A (ko) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | 반도체소자 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960013187A KR970072248A (ko) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | 반도체소자 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970072248A true KR970072248A (ko) | 1997-11-07 |
Family
ID=66217344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960013187A KR970072248A (ko) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | 반도체소자 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970072248A (ko) |
-
1996
- 1996-04-26 KR KR1019960013187A patent/KR970072248A/ko not_active Application Discontinuation
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