KR980006058A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로서, 소자분리 공정시 소자분리 산화막과 반도체기판과의 경계부분에 홈이 형성되는 경우에 산화막으로 상기 홈을 메우는 방법을 사용하여 표면을 평탄화하였으므로, 홈에 의한 게이트산화막의 막질 저하나 게이트 전극의 불량 발생을 방지하여 공정수율 및 소자동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a는 본 발명에 따른 반도체소자의 제조공정도.
제2b는 본 발명에 따른 반도체소자의 제조공정도.
제2c는 본 발명에 따른 반도체소자의 제조공정도.
제2d는 본 발명에 따른 반도체소자의 제조공정도.
제2e는 본 발명에 따른 반도체소자의 제조공정도.
Claims (3)
- 반도체기판에서 소자분리 영역으로 예정되어 있는 부분상에 소자분리 산화막을 형성하되, 소자분리 산화막과 반도체기판의 경계부분에 홈이 형성되도록 하는 공정과, 상기 홈을 산화막으로 메우는 공정을 구비하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 홈을 산화막으로 메우는 공정을 산화막의 전면 도포 및 이반성 식각 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기홈을 산화막으로 메우는 공정을 산화막의 전면 도포 및 CMP 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024306A KR980006058A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024306A KR980006058A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980006058A true KR980006058A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66240264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960024306A KR980006058A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980006058A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100713344B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-05-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체소자의 제조 방법 |
-
1996
- 1996-06-27 KR KR1019960024306A patent/KR980006058A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100713344B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-05-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체소자의 제조 방법 |
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