KR980005596A - 반도체 장치의 금속콘택 형성방법 - Google Patents
반도체 장치의 금속콘택 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 통상적인 트랜지스터를 구비한 반도체 기판상에 상부레이어 및 층간절연막을 형성하는 단계: 상기 층간 절연막 상에 스토리지 노드 콘택용 포토레지스트 패턴을 형성하고 콘택식각하여 기판의 접합영역을 노출하는 단계: 상기 전체구조 상부에 제1장벽 금속막을 형성하고 스토리지 노드용 전도막을 형성하고 소정크기로 패턴닝하는 단계: 상기 전도막 상부에 층간절연막을 형성하고 금속 콘택용 포토레지스트 패턴을 형성하고 콘택식각하여 상기 스토리지 노드용 전도막을 소정부위 노출하는 단계: 및 상기 전체구조 상부에 제2장벽 금속막을 형성하고 소정의 금속막을 형성하여 패턴닝하는 단계를 포함해서 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속콘택 형성방법에 관한 것으로 콘택깊이/콘택크기인 에스펙트 비가 높은 종래의 금속콘택영역보다 스토로지 노드용 콘택식각 방법을 사용하여 에스펙트 비저하시킴에 따라 미세한 금속콘택홀을 형성할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도는 내지 제2d도는 본 발명에 따른 반도체 장치의 금속콘택형성 공정단면도.
Claims (3)
- 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 반도체 기판상에 상부레이어 및 층간절연막을 형성하는 단계: 상기 층간 절연막상에 스토리지 노드 콘택용 포토레지스트 패턴을 형성하고 콘택식각하여 기판의 접합영역을 노출하는 단계: 상기 전체구조 상부에 제1장벽금속막을 형성하고 스토리지 노드용 전도막을 형성하고 소정크기로 패턴닝하는 단계: 상기 전도막 상부에 층간절연막을 형성하고 금속 콘택용 포토레지스트 패턴을 형성하고 콘택식각하여 상기 스토리지 노드용 전도막을 소정부위 노출하는 단계: 및 상기 전체구조 상부에 제2장벽금속막을 형성하고 소정의 금속막을 형성하여 패턴닝하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2장벽막은 티타늄(Ti)/티타늄나이트라이드(TiN)막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속막은 텅스텐 또는 알루미늄인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960025387A KR980005596A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 반도체 장치의 금속콘택 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960025387A KR980005596A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 반도체 장치의 금속콘택 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005596A true KR980005596A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66240696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960025387A KR980005596A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 반도체 장치의 금속콘택 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005596A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100576467B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2006-08-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 캐패시터 형성방법 |
-
1996
- 1996-06-28 KR KR1019960025387A patent/KR980005596A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100576467B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2006-08-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 캐패시터 형성방법 |
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