KR970077647A - 반도체장치의 커패시터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
유전상수가 큰 유전체막을 이용하는 반도체 장치의 커패시터 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 트랜지스터가 형성된 기판 상에 콘택홀을 갖는 평탄화 절연막을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀을 통하여 상기 기판에 접속되고 양의 경사를 갖는 스토리지 전극용 제1도전층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 도전층 패턴이 형성된 기판의 전면에 유전체막을 형성하는 단계와, 상기 유전체막 상에 확산방지막을 형성하는 단계와, 상기 확산방지막 상에 플레이트전극용 제2도전막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조방법을 제공한다. 상기 유전체막 및 확산방지막은 각각 탄탈륨 산화막 및 타이타늄 나이트라이드막으로 형성되는 것이 바람직하다. 본 발명의 반도체커패시터의 제조방법에 의하면, 확산방지막의 단차피복성을 향상시켜 반도체 장치의 누설전류를 억제할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (2)
- 트랜지스터가 형성된 기판 상에 콘택홀을 갖는 평탄화 절연막을 형성하는 단계; 상기 콘택홀을 통하여 상기 기판에 접속되고 양의 경사를 갖는 스토리지 전극용 제1도전층 패턴을 형성하는 단계; 상기 도전층 패턴이 형성된 기판의 전면에 유전체막을 형성하는 단계; 상기 유전체막 상에 확산방지막을 형성하는 단계; 및 상기 확산방지막 상에 플레이트전극용 제2도전막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 유전체막 및 확산방지막은 각각 탄탈륨산화막 및 타이타늄 나이트라이드막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960015577A KR970077647A (ko) | 1996-05-11 | 1996-05-11 | 반도체장치의 커패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960015577A KR970077647A (ko) | 1996-05-11 | 1996-05-11 | 반도체장치의 커패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970077647A true KR970077647A (ko) | 1997-12-12 |
Family
ID=66220014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960015577A KR970077647A (ko) | 1996-05-11 | 1996-05-11 | 반도체장치의 커패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970077647A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100290835B1 (ko) * | 1998-06-23 | 2001-07-12 | 윤종용 | 반도체소자의제조방법 |
-
1996
- 1996-05-11 KR KR1019960015577A patent/KR970077647A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100290835B1 (ko) * | 1998-06-23 | 2001-07-12 | 윤종용 | 반도체소자의제조방법 |
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