KR970060385A - 가드링을 구비하는 반도체장치 및 이를 이용한 콘택 형성방법 - Google Patents
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- H01L21/76897—Formation of self-aligned vias or contact plugs, i.e. involving a lithographically uncritical step
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- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/48—Data lines or contacts therefor
- H10B12/485—Bit line contacts
Abstract
본 발명은 반도체장치 및 이를 이용한 콘택 형성방법에 관한 것으로써, 특히 정렬마진을 증가시키는 장치에 관한 것이다. 본 발명에 의한 반도체장치는 콘택이 형성되는 도전층을 구비하는 반도체장치에 있어서, 상기 도전층의 콘택을 형성할 영역에 정렬오차에 대한 마진을 증가시키는 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 비트라인에 콘택을 형성할 영역주변에 가드링을 형성함으로써, 종래에 비해 훨씬 증가된 콘택마진을 확보할 수 있다. 이것은 콘택형성을 쉽게하고, 반도체장치의 소자밀도를 보다 높게 형성할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제12도는 본 발명에 의한 비트라인콘택의 일예를 나타낸 도면이다.
Claims (6)
- 콘택이 형성되는 도전층을 구비하는 반도체장치에 있어서, 상기 도전층의 콘택을 형성할 영역에 정렬오차에 대한 마진을 증가시키는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 수단은 도핑된 폴리실리콘 또는 금속막중 선택된 어느 하나로 구성된 가드링인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 반도체장치내의 도전층 상에 콘택을 형성하는 단계를 포함하는 반도체장치의 콘택 형성방법에 있어서, 상기 콘택을 형성할 도전층의 주변에 정렬오차에 대한 마진을 증가시키는 수단을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택 형성방법.
- 제3항에 있어서, 상기 수단으로 셀을 구성하는 한 요소인 커패서터의 유전체막 상에 형성되는 상부 플레이트 노드막을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택 형성방법.
- 제3항에 있어서, 상기 도전층은 비트라인으로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택 형성방법.
- 제4항에 있어서, 상기 플레이트 노드막은 도핑된 폴리실리콘막 또는 금속막중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960001293A KR100200697B1 (ko) | 1996-01-22 | 1996-01-22 | 가드링을 구비하는 반도체장치 및 이를 이용한 콘택트 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019960001293A KR100200697B1 (ko) | 1996-01-22 | 1996-01-22 | 가드링을 구비하는 반도체장치 및 이를 이용한 콘택트 형성방법 |
Publications (2)
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| KR970060385A true KR970060385A (ko) | 1997-08-12 |
| KR100200697B1 KR100200697B1 (ko) | 1999-06-15 |
Family
ID=19449872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019960001293A KR100200697B1 (ko) | 1996-01-22 | 1996-01-22 | 가드링을 구비하는 반도체장치 및 이를 이용한 콘택트 형성방법 |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR100200697B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100545865B1 (ko) | 2003-06-25 | 2006-01-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100939775B1 (ko) | 2007-10-09 | 2010-01-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 및 그 제조방법 |
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1996
- 1996-01-22 KR KR1019960001293A patent/KR100200697B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR100200697B1 (ko) | 1999-06-15 |
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