KR900008658A - 반도체 장치 - Google Patents

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KR900008658A
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마사까즈 기무라
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야마무라 가쯔미
세이꼬 엡슨 가부시끼 가이샤
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    • H—ELECTRICITY
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 및 제1B도는 각각 본 발명의 한 실시예를 나타내는 주요 평면도 및 그 B-B 단면도,
제2A도 내지 제2C도는 제1A도 및 제1B도에 나타내는 본 발명의 제조 방법의 일예를 공정순으로 설명하기 위한 단면도.

Claims (6)

  1. 반도체 기판상에 형성된 MIS형 트랜지스타 및 고저항부하에서 구성되는 메모리 셀을 가지는 반도체 장치에 있어서, 상기 MIS형 트랜지스타상에 형성된 제1절연막, 상기 제1의 절연막에 형성된 제1콘택트홀, 상기 제1콘택트홀을 거쳐 상기 MIS형 반도체 장치의 확산 전극에 접속되며, 상기 제1절연막상을 임의의 방향으로 연장된 제1배선층, 상기 제1배선층상에 형성된 제2절연막, 상기 제2절연막에 형성된 제2의 콘택트홀, 상기 제1배선층이 연장된 방향의 임의의 위치로서 상기 제2콘택트홀을 거쳐 접속되며, 저항체를 구성하는 제2의 배선층을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1배선층은 상기 저항체를 구성하는 제2배선층의 주요부분이 구성되는 방향과는 역방향으로 연장하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1배선층이 폴리사이드에서 되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 저항체를 형성하는 제2배선층이 다결정 실리콘층에서 되는 것을 특징으로 하는 반도체.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1배선층이 진성의 실리콘층에서 되는 것온 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 저항체를 구성하는 제2배선층이 상기 제1배선층의 단을 횡절하도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890016011A 1988-11-10 1989-11-06 반도체 장치 KR940003376B1 (ko)

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