KR900702571A - 반도체 장치 및 반도체 기억장치 - Google Patents

반도체 장치 및 반도체 기억장치

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 장치 및 반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 반도체 장치의 한 실시예를 도시하는 주요 단면도, 제3A도 내지 제3D도는 제1도에 도시하는 본 발명의 반도체 장치의 제조 공정마다의 주요 단면도, 제4D도 및 제4B도는 각각 본 발명의 반도체 기억 장치의 한 실시예를 도시하는 주요 평면도 및 그 B-B 단면도.

Claims (9)

  1. 반도체 기판위에 형성된 제1절연막과, 상기 제1 절연막위에 형성되고, 정전위에 접속된 도체층과, 상기 도체층 위에 형성된 제2절연막과, 상기 제2절연막위에 형성되고, 배선으로서의 저항 영역 및 저항체로서의 고저항 영역의 2영역을 갖는 다결정 또는 단결정의 실리콘막을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 도체층은 알루미늄, 다결정 실리콘, MO, Ti, W 등의 고융점 금속 또는 상기 고융점 금속의 실리사이드 중의 1개 또는 2개 이상의 물질로 구성이 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서 상기 도체층은 접지되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 반도체 기판위에 형성된 제1절연막과, 상기 제1절연막 위에 형성되고, 배선으로서의 저저항 영역 및 저항체로서의 고저항 영역의 2영역을 갖는 다결정 또는 단결정의 실리콘막과, 상기 실리콘막 위에 형성된 제2절연막과 상기 제2절연막 위에 형성되고, 정전압에 접속된 도체층을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 고저항의 다결정 실리콘 저항이 배선층에 접속되어 있는 고저항 다결정 실리콘 부하형 메모리 셀을 갖는 반도체 기억 장치에 있어서, 상기 고저항의 다결정 실리콘 저항의 상방 또는 하방의 어느 한편, 혹은 상방 및 하방의 양편으로 각각 절연막을 거쳐서 형성되고, 또한 정전위에 접속된 도체층을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
  6. 제5항에 있어서, 도체층은 알루미늄, 다결정 실리콘, MO, Ti, W 등의 고융점 금석 또는 상기 고융점 금석의 실리사이드 중의 1개 또는 2개 이상의 물질로 구성이 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서 상기 도체층은 접지되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  8. 제5항, 제6항 또는 제7항에 있어서 상기 도체층은 상기 고저항 다결정 실리콘 부하형 메로리 셀의 접지선도 겸하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  9. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900700018A 1988-05-07 1989-04-25 반도체 기억장치 KR940001252B1 (ko)

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