KR910019241A - 안티퓨즈를 갖는 집적회로 - Google Patents

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에이. 리틀 스티븐
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리챠드 데이빗 라우만
아메리칸 텔리폰 앤드 텔레그라프 캄파니
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Abstract

내용 없음

Description

안티퓨즈를 갖는 집적회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 안티퓨즈를 갖는 집적 회로의 개략도, 제 2 도는 안티퓨즈를 포함하고 있는 집적 회로부의 단면도, 제 3 도는 안티퓨즈에 대한 전류-전압-특성 곡선을 보인 도면.

Claims (11)

  1. 집적회로에 있어서, 복수의 디바이스와; 이격 분리된 복수의 제 1 및 제 2 전기적 도전 섹션(3,17)과; 여기서, 상기 복수의 제 1 전기적 도전 섹션(3)중 적어도 하나가 상기 디바이스들중 적어도 하나와 전기적으로 접촉하고, 상기 복수의 제 2 전기적 도전 섹션(17)중 적어도 하나는 교차점에서 상기 복수의 제 1 전기적 섹션중 적어도 하나와 교차하며, 다수의 안티퓨즈와; 여기서, 교차점당 하나의 안티퓨즈를 가지며, 안티퓨즈 각각은 군 IV원소로 구성된 비결정 물질층(11)과 저항성 증대 도펀트층을 포함하며, 상기 비결정 물질층과 상기 전기적 도전 섹션중 한 섹션과의 사이에 도펀트를 포함하고 있는 제 1 물질을 구비하는 층(7,13)과; 상기 전기적 도전 섹션중 한 섹션과 상기 비결정 물질층 사이에 제 2 물질을 포함하고 있는 장벽층(5,15)을 구비하는 집적 회로.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 군 IV 원소가 Si를 포함하는 집적 회로.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 저항성 증대 도펀트가 H및 F로 구성되는 군으로 부터 선택되는 집적 회로.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 도펀트는 H이며, 량에 있어서 2내지 8원자 퍼센트로 충(11)에 나타나는 집적 회로.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 도펀트 물질이 전이 금속으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소를 포함하는 집적 회로.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 전이 금속이 Ti를 포함하는 집적 회로.
  7. 제 2 항에 있어서, 상기 복수의 공간적으로 분리된 전기적 도전 섹션(3,17)중 적어도 하나가 알루미늄을 포함하는 집적 회로.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 장벽층(5,15)이 Ti 및 W을 포함하는 집적 회로.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 안티퓨즈중 적어도 하나가 도전성인 집적 회로.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 안티퓨즈들중 상기 적어도 하나가 상기 제 1 및 제 2의 복수 섹션(3,17)에 전압을 인가함으로써 도전성이 되고, 상기 제 2 의 복수 섹션에 인가되는 전압이 양극성이 되는 집적 회로.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 안티퓨즈들중 상기 적어도 하나가 상기 제 1 및 제 2 복수섹션(3,17)에 전압을 인가하므로써 도전성이 되고, 상기 제 1 의 복수 섹션에 인가되는 전압이 상기 제 2 의 복수 섹션에 인가되는 전압에 관해 양극성이 되는 집적 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910006476A 1990-04-30 1991-04-23 안티퓨즈를 갖는 집적회로 KR910019241A (ko)

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