KR950034786A - 캐패시터, 전극 또는 배선 구조물 및 반도체 디바이스 - Google Patents

캐패시터, 전극 또는 배선 구조물 및 반도체 디바이스 Download PDF

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KR950034786A
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다께시 누마다
가쯔히로 아오끼
사찌오 후꾸다
아끼또시 니시무라
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윌리엄 이. 힐러
텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
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Abstract

캐패시터, 전극 또는 α선 발광원을 갖는 배선(특히, Pt전극)에 있어서, 니켈, 코발트, 구리 및 텅스텐, 그리고 이들 중 최소한 2가지 형태의 금속들로 만들어진 화합물 또는 합금 및 상기 금속들과 실리콘으로 만들어진 화합물 및 합금의 그룹으로부터 선택된 최소한 한가지 형태의 재료를 갖는 층(α선차단층)(18)이 제공된다. 소프트 에러의 발생을 억제하고, 전극 및 배선을 만들시에 Pt및 다른 새로운 재료의 사용을 보장하며, 몰드 수지의 비용을 감소시키기 위해서 α선을 효과적으로 차단시킬수 있다.

Description

캐패시터, 전극 또는 배선 구조물 및 반도체 디바이스
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 한 예로서 캐패시터의 단면도, 제2도는 본 발명의 다른 예로서 캐패시터의 단면도, 제3도는 본 발명의 다른 예로서 캐패시터의 단면도.

Claims (9)

  1. 제1전극층; 이 제1전극층과 접촉하여 형성된 절연층; 상기 절연층을 사이에 두고 상기 제1전극층과 대향하는 층으로서 형성된 제2전극층; 및 단일 금속들로서의 니켈, 코발트, 구리 및 텅스텐, 그리고 최소한 2가지 형태의 상기 단일 금속들로 만들어진 화합물들 또는 합금들, 및 상기 단일 금속들과 실리콘으로 만들어진 화합물들 및 합금들의 그룹으로부터 선택된 최소한 한가지 형태의 단일 금속, 화합물, 또는 합금으로 만들어져서 상기 제2전극층의 측면에 형성된 전극층으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연층은 탄탈륨 산호물, 스트론튬 티타나이트, 바륨 스트론튬 티타나이트, 또는 납 지르코나이트 티타나이트로 만들어지고; 제2전극 층 및/또는 제1전극층은 플라티늄을 함유하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전도층의 구조적 금속 요소의 확산을 방지하기 위한 확산 장벽층은 상기 제2전극층과 상기 전도층 사이에 및/또는 전도층의 하부에 형성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  4. 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 전도층 또는 확산 장벽층이 접촉부로서 사용되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  5. 전도층은 전극층 또는 하드-와이어(hard-wire)층의 하부에 형성되고; 상기 전도층은 단일 금속들로서의 니켈, 코발트, 구리 및 텅스텐 또는 최소한 2가지 형태의 상기 단일 금속들로 만들어진 화합물들 또는 합금들, 및 상기 단일 금속들과 실리콘으로 만들어진 화합물들 및 합금들의 그룹으로부터 선택된 최소한 한가지 형태의 단일 금속, 화합물 또는 합금을 함유하는 것을 특징으로 하는 전극 또는 배선 구조물.
  6. 제5항에 있어서, 상기 전도층 또는 하드-와이어층은 플라타늄을 함유하는 것을 특징으로 하는 전극 또는 배선 구조물.
  7. 제5항에 있어서, 상기 전도층의 구조적 금속 요소의 확산을 방지하기 위한 확산 장벽층은 상기 제1전극층과 상기 전도층 사이에, 및/또는 상기 전도층의 하부에 형성되는 것을 특징으로 하는 전극 또는 배선 구조물.
  8. 제5항 내지 제7항중 어느 한항에 있어서, 상기 전도층 또는 확산 장벽층은 접촉부로서 사용되는 것을 특징으로 하는 전극 또는 배선 구조물.
  9. 제1항 내지 제4항중 어느 한항에 기재된 캐패시터; 제5항 내지 제8항중 어느 한항에 기재된 전극 또는 배선 구조물; 및 단일 금속들로서의 니켈, 코발트, 구리 및 텅스텐, 그리고 최소한 2가지 형태의 상기 단일 금속들로 만들어진 화합물들 또는 합금들 및 상기 단일 금속들과 실리콘으로 만들어진 화합물 들 및 합금들의 그룹으로부터 선택된 최소한 한가지 형태의 단일 금속, 화합물 또는 합금을 함유하는 절연층 중 최소한 하나를 포함하는것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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