KR960701351A - 개선된 반도체 브리지 폭발 장치(improved semiconductor bridge explosive device) - Google Patents

개선된 반도체 브리지 폭발 장치(improved semiconductor bridge explosive device) Download PDF

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KR960701351A
KR960701351A KR1019950703598A KR19950703598A KR960701351A KR 960701351 A KR960701351 A KR 960701351A KR 1019950703598 A KR1019950703598 A KR 1019950703598A KR 19950703598 A KR19950703598 A KR 19950703598A KR 960701351 A KR960701351 A KR 960701351A
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Inventor
케니스 이. 윌리스
마틴 지. 리치맨
윌리암 데이비드 패히
죤 지. 리챠드스
Original Assignee
케니스 이. 윌리스
퀀틱 인더스트리스, 인코포레이티드
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    • F42—AMMUNITION; BLASTING
    • F42B—EXPLOSIVE CHARGES, e.g. FOR BLASTING, FIREWORKS, AMMUNITION
    • F42B3/00—Blasting cartridges, i.e. case and explosive
    • F42B3/10—Initiators therefor
    • F42B3/12—Bridge initiators
    • F42B3/13—Bridge initiators with semiconductive bridge
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F42—AMMUNITION; BLASTING
    • F42C—AMMUNITION FUZES; ARMING OR SAFETY MEANS THEREFOR
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    • F42C19/12—Primers; Detonators electric

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  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
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Abstract

본 발명은 점화 부재로서 반도체 브리지(292)를 이용하는 전기 폭발장치를 제조하는 방법에 관한 것이다. 반도체 브리지(292)는 브리지 재료의 확장에 대한 작고 낮은 저항접점에 의하여 금속 헤더(100)에 접속되며 절연 실리콘 기판(270)을 통하여 금속 헤더(100) 및 실리콘상의 금 도금(350)에 의하여 형성된 공용 접합부(260)에 접속된다. 브리지 회로의 제2전극(360)은 와이어 접합부(130)를 통하여 하나 또는 두개의 전도핀(110)에 접속되며 상기 핀은 금속 헤더(100)를 통과하며 유리(120)를 감쌈으로써 절연된다. 이러한 설계는 표준반도체 조립 방법의 이용을 가능하게 한다. 전기 재료의 작은 패드가 전기 접촉에 이용되기 때문에 다이 크기는 작다. 절연된 두개의 전도친(110)을 통하여 반도체 브리지의 헤더(100)와 한쪽 전극(360)의 여분 접속은 와이어 접합부의 완전성에 대한 조립 시험을 허용한다.

Description

개선된 반도체 브리지 폭발 장치(IMPROVED SEMICONDUCTOR BRIDGE EXPLOSIVE DEVICE)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도의 단면 라인 "A"를 따라 취한 본 발명의 반도체 브리지 다이의 단면도이다.

Claims (57)

  1. 전도 헤더위에 장착된 반도체 브리지 폭발 장치에 있어서, 상기 헤더위에 장착된 절연 기판; 상기 절연기판의 일부분에 배치되며 상기 기판의 표면으로부터 상기 기판의 하부까지 뻗어 있는 접점 구멍; 상기 접점 구멍 또는 상기 절연 기판의 모서리를 포함하지 않는 일부분의 절연 지판에 배치되며, 브리지에 의하여 접속되며 서로 간격을 가진 제1 및 제2패드를 형성하는 진하게 도핑된 실리콘층; 상기 실리콘층위에 배치되며, 별도의 제1 및 2전극을 형성하는 금속 전극 재료; 및 브리지와 접촉하는 폭약 재료를 포함하며, 상기 제1전극은 상기 접점 구멍을 통하여 상기 실리콘층의 제1패드 및 상기 헤더와 전기적으로 접촉하며, 전기 접속부는 기판을 통하여 제1패드로부터 헤더까지 형성되며, 상기 제1전극은 단지 상기 패드 및 헤더 사이의 전기 접속이며, 상기 제2전극은 상기 실리콘층의 제2패드와 전기적으로 접촉하는 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 각각의 패드의 상부 표면 영역은 상기 브리지의 상부 표면 영역의 두배 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  3. 제1 또는 2항에 있어서, 상기 헤더는 상기 헤더를 통하여 뻗는 두개의 전도핀을 포함하며, 상기 핀은 헤더 몸체로부터 절연되며, 상기 각각의 핀은 별도 금속 와이어에 의하여 상기 제2전극에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  4. 제3항에 있어서, 헤더 몸체와 전기 접촉하는 제3핀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  5. 제4항에 있어서. 상기 장치는 트랜지스터 형상(TO)패키지내에 장착되는 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 패드와 전기 접촉하는 상기 전극 재료 부분은 규화 플라티늄으로 구성된 하부층, 티타늄 및 텅스텐을 포함하는 합금으로 구성된 중간층 및 금 합금으로 구성된 상부층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 각각의 패드의 상부 표면 영역은 상기 브리지의 상부 표면 영역의 두배 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발장치.
  8. 제6 또는 7항에 있어서, 상기 헤더는 상기 헤더를 통하여 뻗는 두개의 전도핀을 포함하며, 상기 핀은 헤더 몸체로부터 절연되며, 상기 각각의 핀은 별도 금속 와이어에 의하여 상기 제2전극에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  9. 제8항에 있어서, 헤더 몸체와 전기 접촉하는 제3핀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  10. 제9항에 있어서. 상기 장치는 트랜지스터 형상(TO)패키지내에 장착되는 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 기판은 진성 실리콘으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  12. 제ll항에 있어서, 상기 각각의 패드의 상부 표면 영역은 상기 브리지의 상부 표면 영역의 두배 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  13. 제ll 또는 12항에 있어서, 상기 헤더는 상기 헤더를 통하여 뻗는 두개의 전도핀을 포함하며, 상기 핀은 헤더 몸체로부터 절연되며, 상기 각각의 핀은 별도 금속 와이어에 의하여 상기 제2전극에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  14. 제13항에 있어서, 헤더 몸체와 전기 접촉하는 제3핀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발장치.
  15. 제14항에 있어서. 상기 장치는 트랜지스터 형상(TO)패키지내에 장착되는 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  16. 제11항에 있어서, 상기 패드와 전기 접촉하는 상기 전극 재료 부분은 규화 플라티늄으로 구성된 하부층, 티타늄 및 텅스텐을 포함하는 합금으로 구성된 중간층 및 금 합금으로 구성된 상부층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  17. 제l6항에 있어서, 상기 각각의 패드의 상부 표면 영역은 상기 브리지의 상부 표면 영역의 두배 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  18. 제16 또는 17항에 있어서, 상기 헤더는 상기 헤더를 통하여 뻗는 두개의 전도핀을 포함하며, 상기 핀은 헤더 몸체로부터 절연되며, 상기 각각의 핀은 별도 금속 와이어에 의하여 상기 제2전극에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  19. 제18항에 있어서, 헤더 몸체와 전기 접촉하는 제3핀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발장치.
  20. 제19항에 있어서. 상기 장치는 트랜지스터 형상(TO)패키지내에 장착되는 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  21. 전도 헤더위에 장착된 반도체 브리지 폭발 장치에 있어서, 상기 헤더위에 장착된 절연 기판; 일부분의 절연 기판에 배치되며, 브리지에 의하여 접속되며 서로 간격을 가진 제1 및 제2패드를 형성하는 진하게 도핑된 실리콘층; 상기 실리콘층위에 배치되며, 별도의 제1 및 2전극을 형성하는 금속 전극 재료; 및 브리지와 접촉하는 폭약 재료를 포함하며, 상기 제1전극은 상기 실리콘층의 제1패드 및 상기 헤더와 전기적으로 접촉하며, 전기 접속부는 기판을 통하여 제1패드로부터 헤더까지 형성되며, 상기 제1전극은 단지 상기 패드 및 헤더사이의 전기 접속이며, 상기 제2전극은 상기 실리콘층의 제2패드와 전기적으로 접촉하며 상기 헤더는 상기 헤더를 통하여 뻗는 두개의 전도핀을 포함하며, 상기 핀은 헤더 몸체로부터 절연되며 상기 각각의 핀은 별도 금속 와이어에 의하여 상기 제2전극에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 각각의 패드의 상부 표면 영역은 상기 브리지의 상부 표면 영역의 두배 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  23. 제21 또는 22항에 있어서, 상기 패드와 전기 접촉하는 상기 전극 재료 부분은 규화 플라티늄으로 구성된 하부층, 티타늄 인 텅스텐을 포함하는 합금으로 구성된 중간층 및 금 화합물로 구성된 상부층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  24. 제23항에 있어서, 헤더 몸체와 전기 접촉하는 제3핀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  25. 제24항에 있어서, 상기 장치는 트랜지스터 형상(TO)패키지내에 장착되는 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  26. 제21항에 있어서, 상기 기판은 진성 실리콘인 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  27. 제26항에 있어서 상기 각각의 패드의 상부 표면 영역은 상기 브리지의 상부 표면 영역의 두배 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  28. 제26 또는 27항에 있어서, 상기 패드와 전기 접촉하는 상기 전극 재료 부분은 규화 플라티늄으로 구성된 하부층, 티타늄 및 텅스텐을 포함하는 합금으로 구성된 중간층 및 금 화합물로 구성된 상부층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  29. 제28항에 있어서, 헤더, 몸체와 전기 접촉하는 제3핀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  30. 제29항에 있어서 상기 장치는 트랜지스터 형상(TO)패키지내에 장착되는 것을 특징으로 하는 반도체 브리지 폭발 장치.
  31. 상부 및 하부를 가진 절연 기판; 기판의 일부분에 형성되며, 상부에서 서로 간격을 가진 제1 및 2접점 패드를 형성하는 브리지; 제1접점 패드로부터 기판 하부까지 하부까지 지판은 감싸는 제1전도층; 제2접점 패드로부터 기판 하부까지 기판을 감싸는 제2전도층; 및 브리지와 접촉하는 폭약 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 헤더에 장착시키기 위한 반도체 브리지 다이.
  32. 제31항에 있어서, 상기 각각의 접점 패드의 상부 표면 영역은 상기 브리지의 상부 표면 영역의 두배 이하인 것을 특징으로 하는 헤더에 장착시키기 위한 반도체 브리지 다이.
  33. 제31 또는 32항에 있어서, 서로 간격을 가진 제1 및 제2전도 영역을 가진 제2기판 및 서로 절연된 두개의 전도핀을 포함하며 헤더를 통하여 뻗는 헤더를 더 포함하며, 하나의 핀은 제1전도 영역에 접속되며 다른 핀은 제2전도 영역에 접속되는 것을 특징으로 하는 헤더에 장착시키기 위한 반도체 브리지 다이.
  34. 제33항에 있어서, 브리지는 제1 및 2전도 영역에 접속되는 것을 특징으로 하는 헤더에 장착시키기 위한 반도체 브리지 다이.
  35. 34항에 있어서, 상기 장치는 트랜지스터 형상(TO)패키지내에 장착되는 것을 특징으로 하는 헤더에 장착 시키기 위한 반도체 브리지 다이.
  36. 제31항에 있어서, 상기 패드와 전기 접촉하는 상기 전극 재료 부분은 규화 플라티늄으로 구성된 하부층, 티타늄 및 텅스텐을 포함하는 합금으로 구성된 중간층 및 금 합금으로 구성된 상부층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 헤더에 장착시키기 위한 반도체 브리지 다이.
  37. 제36항에 있어서, 상기 각각의 패드의 상부 표면 영역은 상기 브리지의 상부 표면 영역의 두변 이하인 것을 특징으로 하는 헤더에 장착시키기 위한 반도체 브리지 다이.
  38. 제30 또는 37항에 있어서, 서로 간격을 가진 제1 및 2전도 영역을 가진 제2기판 및 서로 절연된 두개의 전도핀을 포함하며 헤더를 통하여 뻗는 헤더를 더 포함하며, 하나의 핀은 제1전도 영역에 접속되며 다른 핀은 제2전도 영역에 접속되는 것을 특징으로 하는 헤더에 장착시키기 위한 반도체 브리지 다이.
  39. 제38항에 있어서, 브리지는 제1 및 2전도 영역에 접속되는 것을 특징으로 하는 헤더에 장착시키기 위한 반도체 브리지 다이.
  40. 제39항에 있어서, 상기 장치는 트랜지스터 형상(TO)패키지내에 장착되는 것을 특징으로 하는 헤더에 장착시키기 위한 반도체 브리지 다이.
  41. 제31항에 있어서, 기판은 진성 실리콘으로 구성되는 것을 특징으로 하는 헤더에 장착시키기 위한 반도체 브리지 다이.
  42. 제41항에 있어서, 상기 각각의 접점 패드의 상부 표면 영역은 상기 브리지의 상부 표면 영역의 두배 이하인 것을 특징으로 하는 헤더에 장착시키기 위한 반도체 브리지 다이.
  43. 제41 또는 42항에 있어서, 서로 간격을 가진 제1 및 2전도영역을 가진 제2기판 및 서로 절연된 두개의 전도핀을 포함하며 헤더를 통하여 뻗는 헤더를 더 포함하며, 하나의 핀은 제1전도 영역에 접속되며 다른 핀은 제2전도 영역에 접속되는 것을 특징으로 하는 헤더에 장착시키기 위한 반도체 브리지 다이.
  44. 제43항에 있어서, 브리지는 제1 및 2전도 영역에 접속되는 것을 특징으로 하는 헤더에 장착시키기 위한 반도체 브리지 다이.
  45. 제44항에 있어서, 상기 장치는 트랜지스터 형상(TO)패키지내에 장착되는 것을 특징으로 하는 헤더에 장착시키기 위한 반도체 브리지 다이.
  46. 제41항에 있어서, 상기 패드와 전기 접촉하는 상기 전극 재료 부분은 규화 플라티늄으로 구성된 하부층, 티타늄 및 텅스텐을 포함하는 합금으로 구성된 중간층 및 금 합금으로 구성된 상부층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 헤더에 장착시키기 위한 반도체 브리지 다이.
  47. 제46항에 있어서, 상기 각각의 패드의 상부 표면 영역은 상기 브리지의 상부 표면 영역의 두배 이하인 것을 특징으로 하는 헤더에 장착시키기 위한 반도체 브리지 다이.
  48. 제46 또는 47항에 있어서, 서로 간격을 가진 제1 및 2전도영역을 가진 제2기판 및 서로 절연된 두개의 전도핀을 포함하며 헤더를 통하여 뻗는 헤더를 더 포함하며, 하나의 핀은 제1전도 영역에 접속되며 다른 핀은 제2전도 영역에 접속되는 것을 특징으로 하는 헤더에 장착시키기 위한 반도체 브리지 다이.
  49. 제48항에 있어서, 브리지는 제1 및 2전도 영역에 접속되는 것을 특징으로 하는 헤더에 장착시키기 위한 반도체 브리지 다이.
  50. 제49항에 있어서, 상기 장치는 트랜지스터 형상(TO)패키지내에 장착되는 것을 특징으로 하는 헤더에 장착시키기 위한 반도체 브리지 다이.
  51. 적어도 하나의 접점 패드를 포함하는 활성 장치 영역을 기판 상부에 형성하는 단계; 기판 상부에 적어도 하나의 홈을 절단하는 단계; 접점 패드에 접촉하며 홈을 충전시키는 제1전도 재료를 기판 상부에 증착시키는 단계; 제1전도 재료가 뒷면으로부터 접근가능할 때까지 기판 뒷면으로부터 재료를 제거하는 단계; 및 제2전도 재료가 제1전도 재료를 접촉하도록 기판 뒷면에 제2전도 재료를 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  52. 제51항에 있어서, 활성 장치 영역은 반도체 브리지 점화기를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  53. 제52항에 있어서, 반도체 브리지 점화기는 텅스텐/실리콘층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  54. 제51,52 또는 53항에 있어서, 홈의 위치 및 간격을 한정하기 위하여 활성 장치 영역의 경계를 이용하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  55. 제51,52,53 또는 54항에 있어서, 접점 패드에 접속된 전도영역을 형성하기 위하여 제1및 제2전도층을 마스킹하고 에칭하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  56. 제54 또는 55항에 있어서, 활성 장치 영역은 적어도 하나의 접점 패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  57. 제56항에 있어서, 기판으로 절단된 한 쌍의 평행 홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950703598A 1993-02-26 1994-02-23 개선된 반도체 브리지 폭발 장치(improved semiconductor bridge explosive device) KR960701351A (ko)

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