KR900015273A - 금속 도체용 모빌 이온 게터러 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

금속 도체용 모빌 이온 게터러
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 전형적인 모스페트와 접촉되도록 사용되는 알루미늄-구리 합금 도체에 첨가되는 크롬의 양이 변화될 때의 전형적 모스페트의 스레숄드 전압 변화그래프,
제2도는 복수 타겟 스퍼터링 장치의 개략도,
제3도는 전형적 모스페트의 단면 개략도.

Claims (26)

  1. 금속 도체가 내부에 모빌 이온 게터러를 갖는 것을 특징으로 하는 적어도 하나의 금속 도체를 갖는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 모빌 이온 게터러는 크롬, 몰리브텐 및 텅스텐중의 한가지 금속 또는 조합으로 구성된 것을 특징으로 하는 적어도 하나의 금속 도체를 갖는 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 금속 도체 내의 모빌 이온 게터러 의 농축도는 적어도 중량비로 약 5ppm인 것을 특징으로 하는 적어도 하나의 금속 도체를 갖는 반도체 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 금속 도체내의 모빌 이온 게터러의 농축도는 중량비로 약 7%이하인 것을 특징으로 하는 적어도 하나의 금속 도체를 갖는 반도체 장치.
  5. 제4항에 있어서. 상기 금속 도체는 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 적어도 하나의 금속 도체를 갖는 반도체 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 금속 도체는 구리를 포함하는 것을 특징으로 하는 적어도 귀나의 금속 도체를 갖는 반도체 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 반도체 장치는 실리콘 이산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 적어도 하나의 금속 도체를 갖는 반도체 장치.
  8. 집적 회로장에 적어도 한 금속 도체를 형성시키는 단계와, 내부에 모빌 이온 게터러를 가진 금속층을 용착시켜 금속 도체를 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 모빌 이온 게터러는 크롬, 몰리브덴 및 텅스텐중의 한가지 금속 또는 조합으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
  10. 제9항에 있어서. 상기 금속 도체내의 모빌 이온 게터러의 농축도는 적어도 중량비로 약 5ppm인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 금속도체내의 모빌 이온 게터러의 농축도는 중량비로 약7%이하일 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 금속 도체는 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 금속 도체는 구리를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 반도체 장치는 실리콘 이산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
  15. 반도체 장치상에 금속을 용착시키는 장치내의 적어도 하나좌 금속 소스에 있어서, 그 내부에 모빌 이온 게터러를 가지는 것을 특징으로 하는 금속 소스.
  16. 제15항에 있어서, 상기 모빌 이온 게터러는 크롬, 몰리브덴 및 팅스텐중의 한가지 금속 또는 피 조합으로 구성된 것을 특징으로 하는 금속 소스.
  17. 제16항에 있어서, 집적 회로상에 용착된 상기 금속내의 모빌 이온 게터러의 농축도는 적어도 중량비로 약 5ppm인 것을 특징으로 하는 금속 소스.
  18. 제17항에 있어서, 상기 집적 회로상에 응착된 알루비늄내 모빌 이온 개터러의 농축도는 중량비로 약 75% 이하인 것을 특징으로 하는 금속 소스.
  19. 제18항에 있어서, 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 소스.
  20. 제19항에 있어서, 구리를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 소스.
  21. 반도체 각각의 소자상에 금속을 용착하기 위한 장치내에 사용하기 위한 금속 소스 제조 방법에 있어서, 상기 금속 소스에 예정량의 모빌 이온 게터러를 첨가하는 것을 특징으로 하는 금속 소스 제조방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 모빌 이온 게터러는 크롬, 몰리브덴 및 팅스텐의 한가지 금속 또는 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 소스 제조방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 모빌 이온 게터러의 농축도는 적어도 중량비로 약 5ppm인 것을 특징으로 하는 금속 소스 제조방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 모빌 이온 게터러의 농축도는 중량비로 약 7% 이하인 것을 특징으로 하는 금속 소스 제조방법.
  25. 제24항에 있어서, 상기 금속 소스는 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 소스 제조방법.
  26. 제25항에 있어서, 상기 알루미늄 소스에 예정량의 구리를 첨가하는 것을 특징으로 하는 금속 소스 제조방법.
    ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900003791A 1989-03-22 1990-03-21 금속 도체용 모빌 이온 게터러 KR940000921B1 (ko)

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