KR100415615B1 - 게터 조성물 및 이를 이용한 전계방출표시소자 - Google Patents

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KR100415615B1 KR10-2001-0033096A KR20010033096A KR100415615B1 KR 100415615 B1 KR100415615 B1 KR 100415615B1 KR 20010033096 A KR20010033096 A KR 20010033096A KR 100415615 B1 KR100415615 B1 KR 100415615B1
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Abstract

본 발명은 활성화온도를 낮출 수 있는 게터 조성물 및 이를 이용한 전계방출소자에 관한 것이다.
본 발명에 따른 게터 조성물은 활성화 온도를 낮출 수 있도록 크롬을 주성분으로 하고, 티타늄(Ti)과 지르코늄(Zr)을 함유하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 크롬을 주성분으로 하여 산소제거능력이 향상되어 종래보다 활성화에너지가 작아진다. 이로 인해 약 300℃의 낮은 온도에서 활성화 공정을 수행할 수 있다.

Description

게터 조성물 및 이를 이용한 전계방출표시소자{Composition Of Getter And Field Emission Display Using The Same}
본 발명은 게터 조성물에 관한 것으로서, 특히, 활성화온도를 낮출 수 있는게터 조성물 및 이를 이용한 전계방출소자에 관한 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube : CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 "LCD"라 함), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display : 이하 "FED"라 함) 및 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel : 이하 "PDP"라 함), 일렉트로루미네센스(Electro-luminescence : 이하 "EL"라 함) 등이 있다. 표시품질을 개선하기 위하여, 평판 표시장치의 휘도, 콘트라스트 및 색 순도를 높이기 위한 연구개발이 활발히 진행되고 있다.
FED는 첨예한 음극(에미터)에 고전계를 집중해 양자역학적인 터널(Tunnel)효과에 의하여 전자를 방출하고 방출된 전자를 이용하여 형광체를 여기시킴으로써 화상을 표시하게 된다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 애노드전극(4) 및 형광체(6)가 적층된 상부 유리기판(2)과, 하부 유리기판(8) 상에 형성되는 전계방출 어레이(32)를 구비한 FED가 도시되어 있다. 전계방출 어레이(32)는 하부 유리기판(8) 상에 형성되는 캐소드전극(10) 및 저항층(12)과, 저항층(12) 상에 형성되는 에미터(22) 및 게이트 절연층(14)과, 게이트 절연층(14) 상에 형성되는 게이트전극(16)과, 게이트전극(16) 상에 형성되는 포커싱 절연층(도시되지 않음)을 구비한다. 캐소드전극(10)은 에미터(22)에 전류를 공급하게 되며, 저항층(12)은 캐소드전극(10)으로부터 에미터(22) 쪽으로 인가되는 과전류를 제한하여 에미터(22)에 균일한 전류를 공급하는 역할을 하게 된다. 게이트절연층(14)은 캐소드전극(10)과게이트전극(16) 사이를 절연하게 된다. 게이트전극(16)은 전자를 인출시키기 위한 인출전극으로 이용된다. 상부 유리기판(2)과 하부 유리기판(8) 사이에는 외부 대기압력에 견딜수 있도록 스페이서(40)가 설치된다.
화상을 표시하기 위하여, 캐소드전극(10)에 부극성(-)의 캐소드전압이 인가되고 애노드전극(4)에 정극성(+)의 애노드전압이 인가된다. 그리고 게이트전극(16)에는 정극성(+)의 게이트 전압이 인가된다. 그러면 에미터(22)로부터 방출된 전자빔(30)이 애노드전극(4)쪽으로 가속된다. 이 전자빔(30)이 적색·녹색·청색의 형광체(6)에 충돌하여 형광체(6)를 여기시키게 된다.
이를 도 3을 결부하여 상세히 설명하면, 도 1에 도시된 "A"와 같이 FED는 각각의 화소를 제어하기 위한 매트릭스 구조로 형성된다. 캐소드전극(10)과 게이트전극(16)은 전기적으로 게이트 절연층(14)에 의해 절연되어져 있으며 각각 수평 또는 수직방향으로 라인형태를 가짐과 아울러 상호 교차되도록 형성되어 있다. 이와 아울러, 게이트전극(16)에는 게이트 홀(36)이 형성되고 각각의 게이트 홀(36)에 대응하여 캐소드전극(10) 상에 에미터(22)가 형성된다. 이렇게 형성된 캐소드전극(10)을 접지전위로 하고 게이트전극(16)에 +100V 정도의 전압을 인가하면 두 전극이 교차하는 부분에 위치하는 에미터(22)들의 첨두에는 고전계가 걸리게 되고 이러한 고전계에 의해 전자(30)가 방출된다. 이때, 전자(30)가 방출되기 위한 게이트전극(16)의 전압은 게이트 홀(36)의 크기가 작아질수록 낮아지며, 에미터(22)의 재료 특성에 따라 달라진다. 또한, 캐소드전극(10)들과 게이트전극(16)들에 순차적으로 전압을 인가해줌으로써 두 전극이 교차하는 지점의 에미터(22)들로부터 전자(30)들이 방출되어 마주보고 있는 형광체(6)를 발광시킴으로써 각각의 화소를 순차적으로 발광시킨다. 형광체(6)가 도포된 애노드전극(4)에는 수 kV이상의 고압이 인가되어 에미터(22)에서 방출된 전자(30)를 가속시켜 대응하는 형광체(6)에 충돌하도록 한다. 이때, 개별 화소의 휘도 및 컬러 구현은 에미터(22)와 게이트전극(16)간에 걸어주는 전압 차에 의해 방출되는 전류량이 달라지는 원리를 이용하여 휘도를 조절할 수 있으며 인접한 R,G,B 세 개의 화소의 휘도 조절을 통하여 컬러 구현이 가능해진다.
이와 아울러, FED는 그 구동 특성상 패널 내부의 전계방출공간이 10-5Torr 이상의 고진공 상태를 유지하여야 한다. 이는, 에미터(22)와 게이트전극(16) 사이가 서브 마이크론 정도로 간격을 두고 이격되어 에미터(22)와 게이트전극(16) 사이에 107V/cm 정도의 고전계가 인가되는데, 에미터(22)와 게이트전극(16) 사이가 고진공으로 유지되지 않으면 에미터(22)와 게이트전극(16) 사이에 방전이 일어나거나 절연파괴가 일어날 수 있기 때문이다. 또한, 전계 방출 공간이 고진공으로 유지되지 않으면 패널 내부에 존재하는 중성 입자들이 전자(30)와 충돌하여 양이온을 발생시키게 된다. 이렇게 발생된 양이온들은 에미터(22)에 충돌하여 에미터(22)를 열화시키거나 전자(30)와 충돌하여 전자(30)의 가속 에너지를 감쇠시킴으로써 휘도를 낮추게 한다. 이를 방지하기 위하여, FED의 제조공정에 있어서 패널 내부를 진공 상태로 만드는 진공 공정이 필요하게 된다.
도 4를 참조하면, 애노드전극(4) 및 형광체(6)가 적층된 상부 유리기판(2)과, 캐소드전극(10) 및 저항층(12)과, 저항층(12) 상에 형성되는 게이트전극(16)과, 게이트전극(16) 상에 형성되는 포커싱절연층(도시되지 않음)이 형성된 하부 유리기판(8)을 구비한다. 이와 같이 구성된 상부 유리기판(2)과 하부 유리기판(8) 합착전에 패널 내부에 장착되어 FED 제조 공정중 발생하는 기체를 흡수하기 위한 게터(40)가 형성된다.
통상, 게터는 증발성게터(evaporable getter; 이하 "EG"라 함) 및 비증발성게터(non evaporable getter; 이하 "NEG"라 함)가 있다.
EG는 바륨이 사용되며 텔레비젼 스크린 및 컴퓨터 스크린을 형성하는 음극선관에 사용된다. 이 EG 엘리먼트는 음극선관의 내벽에서 증발된 금속막이고 활성화 공정은 바륨의 프리커서로부터의 바륨 증발시작시에 존재한다. 바륨 증발은 바륨 조성물 파우더가 채워진 금속 컨테이너를 무선주파수 전파에 의해 음극선관의 외부로부터 가열함으로써 실행된다. 실제적으로, 바륨 막의 프리커서로서 조성물 BaAl4의 파우더와 니켈 파우더의 혼합물이 사용된다. 니켈은 약 850℃에서 알루미늄과 반응하며 이 반응에 의해 생성된 열은 소위 '플래시'현상에 따라 바륨을 증발시킨다.
그러나, EG를 사용할 경우에는 이 게터를 형성시키기 위한 구조가 복잡해지고, 게터의 활성화시 내부 온도가 800~1250℃까지 상승하는 문제로, FED와 같은 박형 디스플레이의 경우, 기판이 파손되어 진공도를 유지하기 어려운 단점이 있다.
NEG는 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr) 등을 주원료로 사용하며 필요에 따라 소량의 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe) 등의 다른 금속 및 산화물을 첨가하여 형성된다.
NEG는 전구내부 또는 FED 등에서 잔류가스제거를 통한 진공유지와 디바이스의 수명연장 등 여러 응용에 사용된다. 일반적으로, 이들 물질은 압축 및 소결된 파우더로부터 획득된 게터 몸체 형태로, 또는 파우더를 컨테이너 내부에 채우거나 이것을 금속 스트립에 소결적층하여 이용하기도 한다. NEG의 활성화처리는 파우더 압축 및 소결된 파우더입자물질이 조합된 후 맨 처음 공기에 노출되었을 때 파우더 입자의 표면에 형성된 산화물, 탄화물 및 질화물로 된 박층을 제거한다. 활성화공정은 이러한 종류의 물질이 게터물질의 내부로 이동할 수 있게 하여, 가스 흡착이 가능한 활성입자로 된 금속표면을 노출시킨다.
NEG의 활성화온도는 조성물에 따라 좌우된다. 예를 들면, 이탈리아의 사에스 게터(SAES Getters)사에서 시판하는 st-707은 Zr 70%, V 24.6%, Fe 5.4%의 합금으로 350℃에서 활성화공정이 이루어지며, st-101은 Zr 84%, Al 26%의 합금으로 900℃에서 활성화공정이 이루어진다.
활성화온도는 특정디바이스의 기능에 대한 손상, 에너지 및 공정단가를 고려하여 저온 및 단시간에서 실행하는 것이 바람직하며 특히, 유리기판을 이용하는 FED와 같은 박형 디스플레이에서는 특히 요구되는 사항이다.
저온에서 실행할 수 있는 활성화공정에 관해 공개된 일본 특허 출원 코카이 8-196899호 및 국제출원번호 PCT/IT 97/00027호는 개시하고 있다.
공개된 일본 특허 출원 코카이 8-196899호는 티타늄(Ti), 티타늄산화물(TiO2) 및 바륨산화물(BaO2)과 같은 산화반응제를 히터로 가열하여 소정의 반응열이 발생하도록 적정비율로 혼합하여 소정형상의 가압형태로 형성되는 비증발성게터시스템을 구비한다. 두 산화물은 이 금속의 중간 산화물인 Ti2O5을 형성하기 위해 티타늄을 부분적으로 산화시켜 이 산화반응에 의한 반응열은 잔존하는 티타늄을 활성화시켜야 하며 3 ~ 5%의 은 파우더가 균일한 시스템 온도를 나타내기 위해 혼합물로 첨가된다. 이 혼합물은 300~400℃에서 활성화된다.
국제출원번호 PCT/IT 97/00027호는 Ag2O,CuO,Co3O4또는 이들의 혼합물 중에서 선택된 산화물과 게터합금으로 이루어진 조성물이 개시되어있다. 이러한 합금에 합금 희토류로 존재하는 제3 성분, 이트륨, 란타늄 또는 이들과 구리로 된 조성물, 주석 또는 이들의 조성물이 선택적으로 첨가될 수 있다. 이 조성물은 일반적으로 게터물질의 활성화가 350 ~ 900℃의 온도를 필요로 하는 반면에 게터디바이스는 비교적 저온인 280~500℃의 온도로 작동될 수 있다.
이러한 NEG 합금은 다량의 반응성 가스와 갑자기 접촉할 때, 즉 공기에 노출될 때, 그리고 초기의 합금이 200~250℃이상의 온도를 가질 때, 합금은 강한 발열반응을 일으켜 온도를 1000℃이상으로 상승시킬 수 있다. 이로 인해 FED 패널의 다른 부위가 손상을 입게 될 우려가 매우 크므로, FED, PDP와 같은 박형 디스플레이에서는 적용하기가 어렵다.
따라서, 본 발명의 목적은 활성화 온도를 낮출 수 있는 게터조성물 및 이를 이용한 전계 방출소자를 제공되는데 있다.
도 1은 종래 기술의 전계 방출 표시소자를 나타내는 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 전계 방출 표시소자를 나타내는 단면도.
도 3은 종래 기술의 전계 방출 표시소자의 매트릭스 구동을 위한 음극 게이트 구조를 나타내는 사시도.
도 4는 종래 기술의 전계 방출 표시소자의 패널 구조를 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 전계방출 표시소자의 게터 조성물을 나타내는 도면.
도 6은 도 5에 도시된 전계방출 표시소자의 박막형 게터 제작방법을 나타내는 흐름도.
도 7은 도 5에 도시된 전계방출 표시소자의 벌크형 게터 제작방법을 나타내는 흐름도.
도 8a 및 도 8b는 종래 및 본 발명에 따른 게터물질의 산소제거능력을 나타내는 도면.
도 9는 본 발명에 따른 전계방출표시소자에 펌프가 연결된 상태를 나타내는 도면.
도 10a 및 도 10b는 종래 및 본 발명에 따른 게터물질이 도포된 전계방출 표시소자의 진공회복도를 나타내는 도면.
도 11a 내지 도 11c는 플래시(fresh) 상태에서부터 실링공정을 거쳐 활성화하는 과정까지의 본 발명에 따른 게터물질의 산소제거능력을 나타내는 도면
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
2,52 : 상부 유리기판 4 : 애노드 전극
6 : 형광체 8,58 : 하부 유리기판
10 : 캐소드전극 12 : 저항층
14 : 게이트 절연층 16 : 게이트 전극
22 : 에미터 전극 30 : 전자빔
32 : 전계 방출 어레이 34,64 : 게터
36 : 게이트 홀 38,68,70 : 프릿글라스
40 : 스페이서 54 : 국부가열장치
56 : 배기튜브 60 : 펌프
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 게터 조성물은 활성화 온도를 낮출 수 있도록 크롬(Cr)을 주성분으로 하는 것을 특징으로 한다.
상기 게터는 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr)이 추가로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 게터는 20% 내지 70%의 크롬(Cr)과, 0% 내지 30%의 티타늄(Ti)과, 20% 내지 50%의 지르코늄(Zr)의 조성비를 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 게터는 40%의 크롬(Cr)과, 30%의 티타늄(Ti)과, 30%의 지르코늄(Zr)의 조성비를 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 게터는 각각의 금속을 동시에 스퍼터링하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 게터는 파우더공정에 의해 혼합된 금속을 진공소결하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 게터 조성물을 이용한 전계방출 표시소자는 크롬(Cr)을 주성분으로 하는 게터를 구비한다.
상기 게터는 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr)이 추가로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 게터는 20% 내지 70%의 크롬(Cr)과, 0% 내지 30%의 티타늄(Ti)과, 20% 내지 50%의 지르코늄(Zr)의 조성비를 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 게터는 40%의 크롬(Cr)과, 30%의 티타늄(Ti)과, 30%의 지르코늄(Zr)의 조성비를 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 게터는 각각의 금속을 동시에 스퍼터링하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 게터는 파우더공정에 의해 혼합된 금속을 진공소결하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 전계방출 표시소자는 형광체가 도포된 양극과, 상기 양극과 대향하는 음극과, 상기 음극으로부터의 전압에 따라 전자를 방출하는 전계방출부와, 상기 전계방출부로부터 전자를 인출하기 위한 게이트전극을 추가로 구비한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 도 5 내지 도 11c를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.
본 발명에 따른 게터의 조성물은 도 5에 도시된 바와 같이 크롬(Cr), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti) 등으로 이루어진다. 이 때 Cr, Zr, Ti의 조성물 및 조성비가 다음 표1 과 같다.
성분 중량(%)
Cr 20 ~ 70
Zr 20 ~ 50
Ti 0 ~ 30
여기서, 게터 조성물의 조성비는 게터의 무게를 100 중량%로 가정하여 산출한 것이다. 예를 들어 조성물의 조성비는 Cr : Zr : Ti = 4 : 3 : 3 로, 40% Cr, 30% Zr, 30% Ti이다.
이러한 게터는 박막형(sputtering) 또는 벌크형(bulk)으로 형성된다.
박막형 게터는 도 6에 도시된 바와 같이 상부기판 및 하부기판 중 적어도 어느 하나의 기판을 마련한다.(S1) 기판을 진공상태의 챔버내에 장착한다.(S2) 고전압이 인가된 증착할 게터물질인 Cr, Zr 및 Ti 등과 애노드전극 사이에 불활성 가스인 아르곤(Ar)를 주입한다.(S3) 플라즈마 방전을 이용하여 Ar+를 여기시키면, 고전압에 의해 Ar+들이 가속된다.(S4) 챔버내에 가속된 Ar+와 게터물질과 충돌하여 게터물질들이 튀어나오게 되어 기판 상에 0.01~10㎛두께로 증착되어 박막형 게터는 형성된다.(S5)
벌크형 게터는 도 7에 도시된 바와 같이 상부기판 및 하부기판 중 적어도 어느 하나의 기판을 마련한다.(T1) 기판 상에 게터물질인 Cr, Zr, Ti을 분쇄한 후 금속 분말을 혼합한다.(T2) 혼합된 금속분말을 소결상태로 만든 후 기판 상에 약 1~100㎛의 입자크기로 증착되어 벌크형 게터가 형성된다.(T3)
도 8a 및 8b는 동일 조건에서 종래기술과 본 발명의 실시예에 따른 산소제거능력을 오제이 전자 분광(Auger Electron Spectroscopy:AES) 스펙트럼을 이용하여 나타내는 그래프이다. 이 AES는 수백 Å크기로 집속된 전자 빔을 게터의 표면에 입사시켜 방출되는 오제이 전자의 에너지를 측정하여 게터 표면을 구성하고 있는 원소의 종류 및 양을 분석해내는 표면 분석 장비이다. 이 AES의 가로축은 게터의 표면에서부터의 깊이를 나타내며, 세로축은 게터의 구성물 또는 게터에 흡수된 불순물의 양을 나타낸다.
종래의 약 70% Zr와 약 30% Ti 등으로 형성된 게터 내부에 흡수된 산소량은 도 8a에 도시된 바와 같이 게터의 표면에서 약 2000arb.까지 다량 발견되지만 그 이후부터 급격히 감소하여 약 3000 arb.이상에서는 거의 발견되지 않는다.
반면에, 본 발명에서 40% Cr, 30% Ti, 30% Zr 등으로 형성되는 게터 내부에 흡수된 산소량는 도 8b에 도시된 바와 같이 게터의 표면에서 약 5000 arb. 이상까지 다량 존재하므로 종래보다 많은 양의 산소가 흡수됨을 알 수 있다.
이러한 결과로부터 300℃에서 본 발명의 조성물이 활성화에너지 및 활성화시간에 있어 충분한 활성화를 이룰 수 있는 온도임을 예측할 수 있다.
도 9를 참조하면, 소결 및 합착이 이루어진 패널내부의 불순물들을 제거하기 위하여 패널을 국부가열장치(54)로 가열하면서 펌프(60)를 이용하여 패널 내부의 가스는 외부 챔버로 배기된다. 배기시 패널 내부의 진공도가 원하는 수준에 이르게 되면 배기튜브(56)의 중간을 국부가열장치(54)로 가열하면서 핀치-오프공정에 의해 잘라내 패널의 챔버와 격리시키게 된다. 이 때, 종래의 패널이 원하는 진공도에 따른 압력은 2.2 ×10-4torr이며, 본 발명에 따른 패널이 원하는 진공도에 따른 압력은 4×10-4torr이다. 그러나, 핀치-오프시 패널내부의 디바이스에서 불순물들이 배출된 상태에서 밀폐된 패널의 내부 진공도는 다시 악화되기 때문에 게터를 3시간동안 300℃에서 활성화시킨다. 종래에 30% Ti,70% Zr의 게터를 사용한 경우, 패널은 도 10a에 도시된 바와 같이 1.03×10-4torr진공도를 다시 회복한다. 반면에 본 발명에 따른 40% Cr, 30% Ti, 30% Zr의 게터(64)를 사용한 경우, 패널은 도 10b에 도시된 바와 같이 종래보다 약 6배정도 높은 1.7 ×10-5torr의 진공도를 회복하여 최종 패널을 완성하게 된다.
도 11a 내지 도 11c를 참조하면, 본 발명에 의한 게터조성물이 약 300℃에서 약 3시간의 활성화 공정으로 실링공정시 게터표면에 오염된 산소를 내부로 이동시켜 플래시(fresh)상태의 게터표면과 동일하게 만듦을 오제이전자분광스펙트럼을 통해 확실히 보여주고 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 게터 조성물 및 이를 이용한 전계 방출 표시소자는 크롬을 주성분으로 하여 산소제거능력이 향상되어 종래보다 활성화에너지가 작아진다. 이로 인해 약 300℃의 낮은 온도에서 활성화 공정을 수행할 수 있으며 진공도 및 가스 제거정도가 종래보다 약 6배정도 향상될 수 있다. 또한, 크롬을 주성분으로 하는 게터는 기존의 복잡한 적층구조나 다공질 형성공정없이 박막형이나 벌크형으로 쉽게 형성될 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.

Claims (13)

  1. 활성화 온도를 낮출 수 있도록 크롬을 주성분으로 하고, 티타늄(Ti)과 지르코늄(Zr)이 함유된 것을 특징으로 하는 게터 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 게터는 20% 내지 70%의 크롬(Cr)과, 0% 내지 30%의 티타늄(Ti)과, 20% 내지 50%의 지르코늄(Zr)의 조성비를 갖는 것을 특징으로 하는 게터 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 게터는 40%의 크롬(Cr)과, 30%의 티타늄(Ti)과, 30%의 지르코늄(Zr)의 조성비를 갖는 것을 특징으로 하는 게터 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 게터는 각각의 금속을 동시에 스퍼터링하여 형성되는 것을 특징으로 하는 게터 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 게터는 파우더공정에 의해 혼합된 금속을 진공소결하여 형성되는 것을 특징으로 하는 게터 조성물.
  6. 활성화 온도를 낮출 수 있도록 크롬을 주성분으로 하고, 티타늄(Ti)과 지르코늄(Zr)이 함유된 게터를 구비하는 것을 특징으로 하는 전계방출 표시소자.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 게터는 20% 내지 70%의 크롬(Cr)과, 0% 내지 30%의 티타늄(Ti)과, 20% 내지 50%의 지르코늄(Zr)의 조성비를 갖는 것을 특징으로 하는 전계방출 표시소자.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 게터는 40%의 크롬(Cr)과, 30%의 티타늄(Ti)과, 30%의 지르코늄(Zr)의 조성비를 갖는 것을 특징으로 하는 전계방출 표시소자.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 게터는 각각의 금속을 동시에 스퍼터링하여 형성되는 것을 특징으로 하는 전계방출 표시소자.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 게터는 파우더공정에 의해 혼합된 금속을 진공소결하여 형성되는 것을 특징으로 하는 전계방출 표시소자.
  11. 제 6 항에 있어서,
    형광체가 도포된 양극과,
    상기 양극과 대향하는 음극과,
    상기 음극으로부터의 전압에 따라 전자를 방출하는 전계방출부와,
    상기 전계방출부로부터 전자를 인출하기 위한 게이트전극을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자.
  12. 삭제
  13. 삭제
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