JP2003100238A

JP2003100238A - ゲッターの組成物及び該ゲッターの組成物を利用した電界放出表示装置

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Publication number: JP2003100238A
Application number: JP2002173362A
Authority: JP
Inventors: Yong Churl Kim; キム，ヨン・チュル
Original assignee: LG Electronics Inc
Current assignee: LG Electronics Inc
Priority date: 2001-06-13
Filing date: 2002-06-13
Publication date: 2003-04-04
Also published as: KR20020094711A; EP1267379A1; KR100415615B1; US20030001499A1; CN1220237C; CN1391247A; US6753647B2

Abstract

(57)【要約】【課題】活性化温度を低減し得るゲッターを利用して
活性化工程を実施し、真空度及びガス除去能力を向上し
得るゲッターの組成物及びそのゲッターの組成物を利用
した電界放出素子を提供する。【解決手段】本発明ゲッターはクロム（Ｃｒ）を主成
分として含み、その他の成分としてチタンとジルコニウ
ムを含むことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ゲッター用の組成
物に係るもので、詳しくは、活性化温度を低減し得るゲ
ッターの組成物と、該ゲッターの組成物を利用した電界
放出表示装置（ＦＥＤ）とに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】最近、陰極線管（ＣＲＴ）の短所である
重さ及び体積を低減し得る各種の平板表示装置が開発さ
れつつある。このような平板表示装置には、液晶表示装
置（ＬＣＤ）、電界放出表示装置（ＦＥＤ）、プラズマ
表示装置（ＰＤＰ）及びエレクトロルミネセンス（Ｅ
Ｌ）などが知られている。表示の品質を改善するよう
に、平板表示装置の輝度、コントラスト及び色純度を向
上させる研究が活発に行われている。

【０００３】ＦＥＤは、先端を尖鋭にしたエミッタに高
い電界を集中させて、量子力学的トンネル効果により電
子を放出させるチップ型ＦＥＤと、所定面積を有する金
属に高い電界を集中させて量子力学的トンネル効果によ
り電子を放出する平面型（Metal Insulator Metal；Ｍ
ＩＭ）ＦＥＤとに分けることができる。

【０００４】従来チップ型電界放出表示装置（ＦＥＤ）
は、図９及び図１０に示したように、アノード電極４及
び蛍光体６が積層された上部ガラス基板２と、電界放出
アレイ３２を表面に形成させた下部ガラス基板８とを備
えている。電界放出アレイ３２は、下部ガラス基板８上
に形成されるカソード電極１０及び抵抗層１２と、抵抗
層１２上に形成されるゲート絶縁層１４及びエミッタ２
２と、ゲート絶縁層１４上に形成されるゲート電極１６
とを含んでいた。

【０００５】カソード電極１０はエミッタ２２に電流を
供給する。抵抗層１２は、カソード電極１０からエミッ
タ２２方向に印加される過電流を制限して、エミッタ２
２に均一な電流を供給する役を果たしている。

【０００６】ゲート絶縁層１４はカソード電極１０とゲ
ート電極１６間を絶縁している。ゲート電極１６は、電
子を引出すための引出電極として利用される。

【０００７】上部ガラス基板２と下部ガラス基板８と間
には、スペーサ４０が設置されて、双方が一定の間隔を
保って配置されている。すなわち、このスペーサ４０
は、上部ガラス基板２と下部ガラス基板８間の高真空状
態を維持するように、上部ガラス基板２と下部ガラス基
板８を支持している。

【０００８】画像を表示するためには、カソード電極１
０に負極性（−）のカソード電圧が印加され、アノード
電極４に正極性（＋）のアノード電圧が印加されて、ゲ
ート電極１６には正極性（＋）のゲート電圧が印加され
る。

【０００９】このように電圧をかけることにより、エミ
ッタ２２は電子ビーム３０を放出し、その放出された電
子ビームが赤色、緑色及び青色の蛍光体６に入射して蛍
光体６を励起させる。この蛍光体の励起によって、赤
色、緑色及び青色中何れか一色の可視光が発光される。
ＦＥＤは、各画素を制御するため、図９に示された”
Ａ”部分のようにマトリックス構造として形成される。

【００１０】即ち、従来の電界放出表示装置のゲート構
造においては、図１１に示したように、カソード電極１
０とゲート電極１６とが電気的にゲート絶縁層１４によ
り絶縁されて、水平又は垂直方向に相互に交差するよう
に配置されている。ゲート電極１６には、ゲートホール
３６が形成されており、エミッタ２２が各ゲートホール
３６に対応させてカソード電極１０上に形成されてい
る。

【００１１】従って、カソード電極１０を接地させて、
ゲート電極１６に＋１００Ｖ程度の電圧が印加すると、
二つの電極１０、１６が交差する部分に位置する各エミ
ッタ２２の端部から高い電界が発生し、その高い電界に
より電子３０が放出される。この時、電子３０を放出す
るためのゲート電極１６の電圧は、ゲートホール３６の
大きさが小さくなるほど低くなる。しかし、エミッタ２
２の材料特性によって異なる。

【００１２】又、各カソード電極１０と各ゲート電極１
６に順次電圧を印加して、二つの電極１０、１６が交差
する地点の各エミッタ２２から各電子３０を放出させて
蛍光体６を発光させる。このようにして各画素が順次発
光される。このとき、例えば、蛍光体６が塗布されたア
ノード電極４には、数ｋＶ以上の高圧が印加されて、エ
ミッタ２２から放出された電子３０を加速させて対応す
る蛍光体６に衝突させる。発光時の、各画素の輝度は、
エミッタ２２とゲート電極１６間に印加される電圧差に
よって放出される電流量が変換する原理を利用して調節
される。一方、隣接した赤、緑及び青三つの画素の輝度
を調節することでカラーを表現することができる。

【００１３】このＦＥＤは、その駆動特性上、パネル内
部の電界放出空間が１０^−５Ｔｏｒｒ以上の高い真空状
態を維持しなければならない。即ち、エミッタ２２とゲ
ート電極１６間がサブミクロン程度の間隔で離され、エ
ミッタ２２とゲート電極１６間に１０^７Ｖ／ｃｍ程度の
高い電界が印加されるため、エミッタ２２とゲート電極
１６間を高真空に維持しておかないと、エミッタ２２と
ゲート電極１６間に電圧が放電したり、絶縁破壊現象が
発生するおそれがある。又、電界放出空間が高真空に維
持されないと、パネル内部に存在する中性の粒子が電子
３０と衝突して陽イオンを発生し、その発生した陽イオ
ンがエミッタ２２に衝突してエミッタ２２を劣化させる
か又は、電子３０と衝突して電子３０の加速エネルギー
を減衰させて輝度を低下させる。従って、輝度を向上さ
せるため、ＦＥＤの製造工程中、パネルの内部を高真空
状態にする真空工程が必要である。

【００１４】従来電界放出表示装置のパネルにおいて
は、図１２に示したように、アノード電極４と蛍光体６
が積層された上部ガラス基板２と、下部ガラス基板８
と、双方の基板を支持するガラスフリットシール３８と
で構成されていた。下部ガラス基板８には周知のよう
に、カソード電極１０、絶縁層１４、絶縁層１４上に形
成されたゲート電極１６と、ゲート電極１６上に形成さ
れるフォーカシング絶縁層（図示されず）が形成されて
いる。

【００１５】又、上部ガラス基板２と下部ガラス基板８
とをシールする前に、ＦＥＤ製造工程中発生する気体を
吸収するゲッター３４がパネルの内部に形成される。

【００１６】前記ゲッター３４は、蒸発性ゲッター（ev
aporable getter、以下、ＥＧと略称す）と非蒸発性ゲ
ッター（以下、ＮＥＧと略称す）とに分類される。

【００１７】ＥＧの材料としてはバリウムが用いられて
いた。このＥＧは、テレビジョンスクリーン及びコンピ
ュータスクリーンを形成する陰極線管に使用されて周知
である。即ち、バリウムゲッターは陰極線管の内壁から
外部加熱により蒸発され、金属膜の形態で陰極線管内に
残留するガスの除去に利用される。この時、バリウム
は、活性化前にＢａＡｌ_４＋Ｎｉの前駆体として存在し
て、活性化工程で、外部加熱によりバリウムの前駆体が
蒸発させられる。

【００１８】実際に、バリウム膜の前駆体として、組成
物ＢａＡｌ_４のパウダーとニッケルパウダーとの混合物
が使用される。この時、ニッケルは、約８５０°Ｃでア
ルミニウムと反応する。その反応により生成された熱は
いわゆる「フラッシュ」現象によってバリウムを蒸発さ
せる。

【００１９】従来は、電界放出表示装置のパネルの内部
にＥＧを形成するための構造が複雑であるため、ＥＧの
活性化時の内部温度を８００〜１２５０°Ｃまで上昇さ
せることが難しかった。従って、ＦＥＤのような薄型デ
ィスプレーを作成するとき、基板が破損されて真空度を
維持するのが難しいという問題点があった。

【００２０】一方、ＮＥＧの場合は、チタン（Ｔｉ）、
ジルコニウム（Ｚｒ）などを主成分として使用し、必要
によって少量のアルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）などの他の金属及
び酸化物を添加して形成されていた。ＮＥＧは、電球の
内部又はＦＥＤから残留ガスを除去して真空度を向上さ
せ、ディバイスの寿命延長など多様な応用分野に使用さ
れている。

【００２１】このＮＥＧの活性化工程は、パウダーが圧
縮され、焼結されたパウダー粒子が結合された後、一番
最初に空気に露出された時にパウダー粒子の表面に形成
された酸化物、カーバイト及び窒化物の薄膜を除去し、
酸化物、カーバイト及び窒化物のような物質を加熱して
酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）及び窒素（Ｎ）をゲッター物質
の内部に拡散させた後、ガス吸着の可能な活性状態の純
粋ＮＥＧの金属表面を露出させる。

【００２２】このＮＥＧの活性化温度は、組成物の種類
によって左右される。例えば、イタリアのサエスゲッタ
ー（ＳＡＥＳＧｅｔｔｅｒｓ）社製のｓｔ・７０７
は、活性化工程により７０重量％のＺｒ、２４．６重量
％のＶ、５．４重量％のＦｅの合金を３５０°Ｃで活性
化させることができ、ｓｔ・１０１は活性化工程により
８４重量％のＺｒ、２６重量％のＡｌの合金を９００°
Ｃで活性化させることができる。

【００２３】活性化工程は、特に、ガラス基板を利用す
るＦＥＤのような薄膜型ディスプレーに利用されるもの
は、特定のディバイスの機能に対する損傷、エネルギー
及び工程単価を考慮して、低温及び短時間で実施するこ
とが好ましい。

【００２４】日本特許出願番号８−１９６８９９及び国
際出願番号ＰＣＴ／ＩＴ９７／０００２７に開示された
ように、チタン（Ｔｉ）、チタン酸化物（ＴｉＯ_２）及
びバリウム酸化物（ＢａＯ_２）のような酸化反応剤をヒ
ータにより加熱したとき所定の反応熱が発生するように
適正な割合で混合して加圧し、所定形状としたＮＥＧを
構成することができる。

【００２５】前記した酸化物（ＴｉＯ_２、ＢａＯ_２）
は、チタンの中間酸化物のＴｉ_２Ｏ_５を形成するため、
チタンを部分的に酸化させる。酸化反応による反応熱
は、残存するチタンを活性化させなければならない。そ
の混合物は３００〜４００°Ｃで活性化される。

【００２６】前記国際出願番号ＰＣＴ／ＩＴ９７／００
０２７号には、Ａｇ_２Ｏ、ＣｕＯ、Ｃｏ_３Ｏ_４又はこれ
らの混合物から選択された酸化物及び合金のゲッターの
組成物が開示されている。前記合金に、希土類元素に存
在する第３成分、イットリウム及びランタンのような組
成物を選択的に添加することができる。一般に、この組
成物のゲッター物質は、活性化が３５０〜９００°Ｃの
高温を必要とするのに対して、前記組成物を全て包含し
たゲッターディバイスは、比較的低温の２８０〜５００
°Ｃの温度で動作することができる。即ち、組成物を全
て包含したゲッターディバイスは、他の元素との熱力学
的相互作用を利用した反応熱を利用して比較的低温で活
性化することができる。

【００２７】

【発明が解決しようとする課題】このような従来のＮＥ
Ｇ合金においては、多量の反応性ガスと接触する時、即
ち、空気に露出される時、又は初期の合金が２００〜２
５０°Ｃ以上の熔融点を有する時、合金は、強い発熱反
応を起こして温度が１０００°Ｃ以上に上昇することが
あるため、ＦＥＤパネルの他の部分が損傷を受けるおそ
れが高くなり、ＦＥＤ及びＰＤＰのような薄膜型ディス
プレーに適用するのが難しいという不都合な点があっ
た。

【００２８】本発明は、このような従来の課題に鑑みて
なされたもので、活性化温度を低減し得るゲッターを利
用して活性化工程を実施し、真空度及びガス除去能力を
向上し得るゲッターの組成物及びそのゲッターの組成物
を利用した電界放出素子を提供することを目的とする。

【００２９】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、本発明に係るゲッターの組成物は、クロム（Ｃ
ｒ）を主成分とし、その他の成分として、チタン（Ｔ
ｉ）とジルコニウム（Ｚｒ）を含む。又、本ゲッターの
組成物は、４０重量％のクロム（Ｃｒ）と、３０重量％
のチタン（Ｔｉ）と、３０重量％のジルコニウム（Ｚ
ｒ）とを含むことを特徴とする。又、電界放出表示装置
は、クロム（Ｃｒ）を主成分とするゲッターを含むこと
を特徴とする。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に対
し、図面を用いて説明する。本発明に係るゲッターの組
成物においては、図１に示したように、クロム（Ｃ
ｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びチタン（Ｔｉ）を含
む。Ｃｒ・Ｚｒ・Ｔｉゲッターの組成物及び組成比は、
以下の表１に示すとおりである。

【表１】

【００３１】ゲッターの組成物の成分比は、ゲッターの
重さを１００重量％と仮定して算出したもので、４０重
量％のＣｒ、３０重量％のＺｒ及び３０重量％のＴｉか
ら成ることが好ましい。この時、ゲッターは、薄膜型又
はバルク型（塊）として形成される。

【００３２】薄膜型ゲッターの製造方法においては、図
２に示したように、１．上部基板及び下部基板の何れか一つの基板を準備し
（Ｓ６１）、２．その準備した基板を真空状態のチャンバ内に挿入
（Ｓ６２）し、３．高電圧が印加されたゲッター物質のＣｒ、Ｚｒ及び
Ｔｉとアノード電極との間に不活性ガスのアルゴン（Ａ
ｒ）を注入する。この時、ゲッターの組成物及びアノー
ド電極は、チャンバ内に挿入される（Ｓ６３）。４．プラズマを利用して前記アルゴン（Ａｒ）を励起さ
せ、励起されたアルゴン電子（Ａｒ＋）によって発生し
た高電圧により前記チャンバ内の各アルゴン電子（Ａｒ
＋）を加速させる（Ｓ６４）。５．前記チャンバ内で加速されたアルゴン電子（Ａｒ
＋）とゲッターの組成物（Ｃｒ・Ｚｒ・Ｔｉ）とが衝突
することで飛出したゲッター物質を準備した基板上に
０．０１〜１０μｍ厚さに堆積させる。このように、ゲ
ッター物質を基板上に０．０１〜１０μｍ厚さに堆積さ
せることで、薄膜型ゲッターが形成される（Ｓ６５）。

【００３３】又、電界放出表示装置のバルク型ゲッター
製造方法においては、図３に示したように、１．上部基板及び下部基板のいずれか一つの基板を準備
し、（Ｓ７１）２．前記準備した基板上にゲッターの組成物のＣｒ、Ｚ
ｒ、Ｔｉを粉砕して金属粉末を作った後、そｎ金属粉末
を混合し（Ｓ７２）、３．前記混合された金属粉末を焼結させて、準備した基
板上に約１〜１００μｍの粒子の大きさに堆積させる。
このように、混合された金属粉末を基板上に１〜１００
μｍの粒子の大きさとして堆積させることで、前記バル
ク型ゲッターが形成される（Ｓ７３）。

【００３４】図４及び図５は、従来及び本発明に係るゲ
ッターの酸素除去能力を示したグラフである。図４及び
５に示したように、大気中、３００°Ｃの温度で１時間
の間、熱処理条件下で従来と本発明に係るゲッターの酸
素除去能力の実験をオージェ電子分光（Auger Electron
Spectroscopy；以下、ＡＥＳと略称す）スペクトラム
を利用して示したグラフである。

【００３５】前記ＡＥＳは、数百オングストロームの大
きさに収束された電子ビームをゲッターの表面に入射さ
せて放出されるオージェ電子のエネルギーを測定してゲ
ッターの表面を構成している元素の種類及び量を分析す
る表面分析装備である。

【００３６】図４に示したように、グラフの横軸はゲッ
ターの表面からの深さを、縦軸はゲッターの組成物又は
ゲッターに吸収された不純物の量を夫々示したものであ
る。例えば、従来は、７０重量％のＺｒ及び３０重量％
のＴｉなどで形成されたゲッターの内部に吸収された酸
素量は、ゲッターの表面から約２０００ａｒｂ．までは
多量に発見されるが、２０００ａｒｂ．から急激に減少
して約３０００ａｒｂ．以上では殆ど発見されない。

【００３７】一方、図５に示したように、本発明に係る
４０重量％のＣｒ、３０重量％のＴｉ、３０重量％のＺ
ｒ成分から成るゲッターの内部に吸収された酸素量は、
ゲッターの表面から約５０００ａｒｂ．以上まで多量に
存在するため、従来より多い量の酸素が吸収されること
が分かる。従って、本発明のゲッター組成物は、活性化
時間及び活性化温度において、前記実験条件の１時間、
３００°Ｃの温度で十分に活性化が行われる。

【００３８】又、本発明に係る電界放出表示装置にポン
プが連結された状態においては、図６に示したように、
焼結及び合着されたパネル内部の不純物を除去するため
にパネルを局部加熱装置９２で加熱しながらポンプ９４
を利用してパネル内部のガスをチャンバの外部に排気さ
せる。ガスを外部に排気する時、パネル内部の真空度が
所望の水準に到達すると、排気チューブ９３の中間を局
部加熱装置９２で加熱し、ピンチ・オフ工程により排気
チューブ９３の中間を切り離す。即ち、パネルのチャン
バを外部から隔離させる。この時、従来パネルに要求さ
れる真空度は、２．２×１０^−４ｔｏｒｒであり、本発
明に係るパネルに要求される真空度は、４×１０^−４ｔ
ｏｒｒである。以下、図６に示されたアノード４、カソ
ード１０、ガラスフリットシール３８、９１の機能は、
従来と同様であるので、これに対する説明は省略する。

【００３９】一方、ピンチ・オフ工程を実施する時、パ
ネル内部のディバイスから不純物が排出された状態で密
閉されたパネルの内部真空度は、排気ガスなどの原因に
より再び減少する。従って、真空度を増加させるために
ゲッター９０を３時間の間３００°Ｃで活性化させる。

【００４０】従来及び本発明に係るゲッター物質が塗布
された電界放出表示装置の真空回復度は、図７（Ａ）及
び図７（Ｂ）に示したように、従来は、３０重量％のＴ
ｉ、７０重量％のＺｒから成るゲッターは３時間の間３
００°Ｃで活性化させた場合、パネルの真空度に係る圧
力は、１．０３×１０^−４ｔｏｒｒに回復される。

【００４１】一方、図７（Ｂ）に示したように、本発明
に係る４０重量％のＣｒ、３０重量％のＴｉ、３０重量
％のＺｒから成るゲッター９０を３時間の間３００°Ｃ
で活性化させた場合、パネルの真空度に係る圧力は従来
より約６倍程度高い１．７×１０^−５ｔｏｒｒに回復し
て最終パネルを完成させることができる。

【００４２】又、新しい状態からシーリング工程を経て
活性化工程までの本発明に係るゲッターの酸素除去能力
を図８（Ａ）〜図８（Ｃ）に示す。本発明に係るゲッタ
ーの組成物が約３００°Ｃで約３時間の活性化工程によ
りゲッター堆積後、大気中に露出されながら、又は、高
温のシーリング工程によりゲッター表面に吸着されてい
た酸素を内部に移動させてフレッシュ状態のゲッター表
面と同様に作る。

【００４３】一方、本発明に係るゲッターを利用した電
界放出表示装置は、図９及び図１０に示した従来と同様
に、蛍光体６が塗布されたアノード電極４が積層された
上部ガラス基板２と、下部ガラス基板８と、下部ガラス
基板８上に形成されるカソード電極１０と、カソード電
極１０上に形成される抵抗層１２と、抵抗層１２上に形
成される絶縁層１４と、絶縁層１４上に形成されるゲー
ト電極１６と、抵抗層１２上に形成されるエミッタ２２
と、ゲート電極１６上に形成されるフォーカシング絶縁
層と、上部ガラス基板２と下部ガラス基板８間に形成さ
れ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒから成るゲッター９０とを包含し
て構成される。エミッタ２２は、カソード電極１０から
印加される電圧によって電子を放出し、ゲート電極１６
は、エミッタ２２から電子を引き出す役を果たしてい
る。又、アノード電極４は、カソード電極１０と相互に
相対するように形成される。

【００４４】即ち、ゲッター９０の組成物を除いた残り
の電界放出表示装置の構成は、従来の構成と同様であ
る。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るゲッ
ターの組成物及びそのゲッターを利用した電界放出表示
装置においては、クロム（Ｃｒ）を主成分としているた
めゲッターの酸素除去能力が向上され、従来より活性化
エネルギーを低減し得るという効果がある。即ち、活性
化エネルギーが低減されることで、３００°Ｃ以下の低
温で活性化工程を実施することができ、ガス除去能力を
向上させると共に、真空度を従来より約６倍程度向上し
得るという効果がある。

【００４６】且つ、本発明に係るクロムを主成分とする
ゲッターは、既存の複雑な積層構造又は多孔質形成工程
を行うことなく、薄膜型又はバルク型に容易に形成し得
るという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る電界放出表示装置のゲッターの
組成物を示した構成図である。

【図２】本発明に係る電界放出表示装置の薄膜型ゲッ
ター製造方法を示したフローチャートである。

【図３】本発明に係る電界放出表示装置のバルク型ゲ
ッター製造方法を示したフローチャートである。

【図４】従来のゲッターの酸素除去能力を示した図で
ある。

【図５】本発明に係るゲッターの酸素除去能力を示し
た図である。

【図６】本発明に係る電界放出表示装置にポンプが連
結された状態を示した図である。

【図７】従来及び本発明に係るゲッター物質が塗布さ
れた電界放出表示装置の真空回復度を示したグラフであ
る。

【図８】フレッシュ状態からシーリング工程を経て活
性化される過程までの本発明に係るゲッターの酸素除去
能力を示したグラフである。

【図９】従来チップ型電界放出表示装置を示した斜視
図である。

【図１０】図８に示されたチップ型電界放出表示装置
の断面図である。

【図１１】従来の電界放出表示装置のカソード電極と
ゲート電極の構造を示した斜視図である。

【図１２】従来の電界放出表示装置のパネル構造を示
した断面図である。

【符号の説明】

４：アノード、１０：カソード、３８、９１：ガラスフ
リットシール、９０：ゲッター、９２：局部加熱装置、
９３：排気チューブ、９４：ポンプ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】クロム（Ｃｒ）を包含することを特徴と
するゲッターの組成物。
【請求項２】チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）
がさらに包含されることを特徴とする請求項１記載のゲ
ッターの組成物。
【請求項３】前記ゲッターは、２０重量％〜７０重量
％のクロム（Ｃｒ）と、０重量％〜３０重量％のチタン
（Ｔｉ）と、２０重量％〜５０重量％のジルコニウム
（Ｚｒ）と、を包含して構成されることを特徴とする請
求項２記載のゲッターの組成物。
【請求項４】前記ゲッターは、４０重量％のクロム
（Ｃｒ）と、３０重量％のチタン（Ｔｉ）と、３０重量
％のジルコニウム（Ｚｒ）と、を含むことを特徴とする
請求項１又は２記載のゲッターの組成物。
【請求項５】前記ゲッターは、前記Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ
からなる金属を同時にスパッタリングして形成されるこ
とを特徴とする請求項１又は２記載のゲッターの組成
物。
【請求項６】前記ゲッターは、前記Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ
の金属を粉砕して混合した後、その混合された金属粉末
を真空で焼結して形成されることを特徴とする請求項１
又は２記載のゲッターの組成物。
【請求項７】前記ゲッターの組成物は、活性化温度を
低減させることを特徴とする請求項１記載のゲッターの
組成物。
【請求項８】前記ゲッターは、電界放出表示装置のパ
ネルの内部に形成され、前記パネル内部の気体を除去す
ることを特徴とする請求項１記載のゲッターの組成物。
【請求項９】電界放出表示装置のパネル内部に形成さ
れ、前記パネル内部の気体を除去するゲッターであっ
て、前記ゲッターの組成物は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒを成分
として含むことを特徴とする電界放出表示装置のゲッタ
ーの組成物。
【請求項１０】前記Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒグループのゲッ
ターは、２０重量％〜７０重量％のクロム（Ｃｒ）と、
０重量％〜３０重量％のチタン（Ｔｉ）と、２０重量％
〜５０重量％のジルコニウム（Ｚｒ）から成ることを特
徴とする請求項９記載のゲッターの組成物。
【請求項１１】前記Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒからなるゲッタ
ーは、４０重量％のクロム（Ｃｒ）と、３０重量％のチ
タン（Ｔｉ）と、３０重量％のジルコニウム（Ｚｒ）
と、を含むことを特徴とする請求項９記載のゲッターの
組成物。
【請求項１２】前記ゲッターは、前記Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚ
ｒの金属を同時にスパッタリングして形成されることを
特徴とする請求項９記載のゲッターの組成物。
【請求項１３】前記ゲッターは、前記Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚ
ｒの金属を粉砕して混合した後、その混合された金属粉
末を真空で焼結して形成されることを特徴とする請求項
９記載のゲッターの組成物。
【請求項１４】前記ゲッターの組成物は、活性化温度
を低減させることを特徴とする請求項９記載のゲッター
の組成物。
【請求項１５】クロム（Ｃｒ）を主成分とするゲッタ
ーを備えていることを特徴とする電界放出表示装置。
【請求項１６】前記ゲッターは、チタン（Ｔｉ）、ジ
ルコニウム（Ｚｒ）がさらに含まれていることを特徴と
する請求項１５記載の電界放出表示装置。
【請求項１７】前記ゲッターは、２０重量％〜７０重量％のクロム（Ｃｒ）と、０重量％〜３０重量％のチタン（Ｔｉ）と、２０重量％〜５０重量％のジルコニウム（Ｚｒ）の組成
比と、を有することを特徴とする請求項１６記載の電界
放出表示装置。
【請求項１８】前記ゲッターは、４０重量％のクロム（Ｃｒ）と、３０重量％のチタン（Ｔｉ）と、３０重量％のジルコニウム（Ｚｒ）の組成比と、を有す
ることを特徴とする請求項１５又は１６記載の電界放出
表示装置。
【請求項１９】前記ゲッターは、前記Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚ
ｒの金属を同時にスパッタリングして形成されることを
特徴とする請求項１６記載の電界放出表示装置。
【請求項２０】前記ゲッターは、前記Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚ
ｒグループの金属を粉砕して混合した後、その混合され
た金属粉末を真空で焼結して形成されることを特徴とす
る請求項１６記載の電界放出表示装置。
【請求項２１】前記電界放出表示装置は、蛍光体が塗布されたアノード電極と、該アノード電極と対向して形成されたカソード電極と、該カソード電極から印加される電圧によって電子を放出
するエミッタと、該エミッタから電子を引出するためのゲート電極と、を
更に含むことを特徴とする請求項１５記載の電界放出表
示装置。
【請求項２２】前記ゲッターは、前記電界放出表示装
置のパネル内部の気体を除去することを特徴とする請求
項１５記載の電界放出表示装置。