KR920702554A - 반도체 장치 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

반도체 장치

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명의 실시예(1)의 주요 평면도, 제2도는 본 발명의 실시예(1)의 주요 단면도, 제3도는 본 발명의 실시예(1)에 대한 변형예의 주요단면도.

Claims (8)

1. 강유전체막 또는 고유전율막에서 되는 캐패시터를 소자요소로서 포함하는 반도체 장치에서, 그 캐패시터 전극의 적어도 한쪽이 도전성 반응 방지막에 의하여 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
2. 반도체 기체의 주표면상 또는 내부의 형성된 능동 소자와, 전극을 거쳐 형성된 강유전체막 또는 고유전율막에서 되는 캐패시터와, 그 능동소자분리 산화막과 그 캐패시터를 접속하는 배선 전극을 소자 요소로 하는 반도체 장치에서 그 배선 전극에는 적어도 도전성 반응 방지막이 형성되고, 그 전극과 그 도전성 반응방리막이 접촉하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
3. 반도체 기체의 주이면상 또는 내부에 형성된 능동소자와, 전극을 거쳐 형성된 강유전체막 또는 고유전율막에서 되는 캐패시터와, 능동 소자분리 산화막과 그 캐패시터를 접속하는 배선 전극을 소자요소로하는 반도체 장치에서, 그 배선 전극에 접속되는 그 전극이 그 배선 전극에 접촉하는 도전성 반응 방지막과, 그 강유전체막 또는 고유전율막에 접촉하는 전극의 적층 구조로되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
4. 반도체 기체의 주표면상 또는 내부에 형성된 능동소자와, 전극을 거쳐 형성된 강유전체막 또는 고유 전율막에서 되는 캐패시터와, 그 능동소자 분리 산화막과 그 캐패시터를 접속하는 배선 전극을 소자 요소로하는 반도체 장치에서, 그 캐패시터의 전극과, 그 반도체 기체의 주표면 또는 내부에 형성된 확산층과의 접속을 도전성 반응 방지막을 거쳐 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
5. 제2항 내지 제4항중 한 항에 있어서, 상기 도전성 반응 방지막이 상기 반도체 기체의 주표면상 또는 내부에 형성된 확산층과 접촉하는 계면에, 금속실리사이드가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
6. 제1항 내지 제5항중 한 항에 있어서, 상기 고전성 반응 방지막이 Mo, W, Ti, Ru, Re의 고융점 금속막, Mo, W, Ti, Ta, Ru, Re의 고융점 금속 실리사이드막, Mo, W, Ti, Ta, Ru, Re의 고융점 금속 질화막, Mo, W, Ti, Ta, Ru, Re의 고융점 금속 산화막이 Mo, W, Ti, Ta, Ru, Re의 고융점 금속 질화산화막 및 이들 복합막 중, 어느것인가인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
7. 제5항에 있어서, 상기 금속 실리사이드가 Mo, W, Ti, Ta, Ru, Re의 고융점속 실리사이드막 이들 복합막중, 어느것인가인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
8. 제1항 내지 제7항중 한 항에 있어서, 상기 강유전체막 또는 고유전율막이 PZT, PLZT, SrTi03, Ta205중, 어느것을 특징으로 하는 반도체 장치.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.