KR950007117A - 금속 산화물 유전체를 갖는 커패시터 - Google Patents

금속 산화물 유전체를 갖는 커패시터 Download PDF

Info

Publication number
KR950007117A
KR950007117A KR1019940019072A KR19940019072A KR950007117A KR 950007117 A KR950007117 A KR 950007117A KR 1019940019072 A KR1019940019072 A KR 1019940019072A KR 19940019072 A KR19940019072 A KR 19940019072A KR 950007117 A KR950007117 A KR 950007117A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
titanate
metal oxide
group
material selected
circuit structures
Prior art date
Application number
KR1019940019072A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100372969B1 (ko
Inventor
이. 존슨 2세 로버트
디. 마니아르 파푸
Original Assignee
빈센트 비. 인그라시아
모토로라 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 빈센트 비. 인그라시아, 모토로라 인코포레이티드 filed Critical 빈센트 비. 인그라시아
Publication of KR950007117A publication Critical patent/KR950007117A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100372969B1 publication Critical patent/KR100372969B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/31—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)

Abstract

금속 산화물 유전체층(14, 115, 1542)을 지닌 커패시터가 기초 회로 구조물(11, 103, 1525, 1526)에 기초 회로 구조물(11, 103, 1525, 1526)에 전기적으로 연결된 상부 전극층(15, 107, 1543)과 함께 형성된다. 상기 커패시터는 DRAM셀과 NVRAM셀들을 위한 기억용 커패시터들을 형성하기 위해 사용될 수 있다. 트랜지스터(103, 141, 142)의 소스/드레인 영역과 같은 기초 회로 구조물(112, 1525, 1526)을 형성한 이후에, 금속 산화물 커패시터가 상기 회로 구조물 상에 형성된다. 개방부(41, 104, 1544)는 상기 커패시터를 거쳐 상기 회로 구조물(11, 103, 1525, 1526)까지 연장되어 형성된다. 이후, 절연 공간층(51, 116, 1545)이 형성되고, 상기 회로 구조물(11, 103, 1525, 1526)을 상기 금속 산화물 커패시터의 상부 전극층(15, 107, 1543)에 연결시키는 도전성 부재(16, 117, 1546)가 형성된다. DRAM셀과 NVRAM셀(100, 140)을 포함하는 소자들과 그 제조방법은 공지되 있다.

Description

금속 산화물 유전체를 갖는 커패시터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도부터 12도는 본 발명의 일실시예에 따른 기본 회로, 구조물에 전기적으로 연결된 금속 산화물 커패시터의 구성을 나타내는 반도체 기판부분의 단면도이다,
제13도와 14도는 각각 본 발명의 일 실시예에 따라 형성된 하나의 트랜지스터와 하나의 강 유저체 커패시터를 구비한 NVRAM셀의 평면도 및 단면도이다,
제15도는 본 발명의 일 실시예에 따라 형성된 2개의 트랜지스터, 2개의 강유전체 커패시터, 및 상보형 비트 선들을 갖는 NVRAM셀의 평면도이다.

Claims (10)

  1. 반도체 소자로서, 회로 구조물(11, 103, 1525, 1526)과; 전극층(13, 106, 1541)과 상기 전극층(13, 106, 1541)상에 위치한 금속 산화물 유전체층(14, 115, 1542)을 포함하며, 상기 회로 구조물(11, 112, 1525, 1526)상에 위치한 커패시터; 및 상기 유전체층(14, 115, 1542)위에 위치하고, 상기 회로 구조물(11, 112, 1525, 1526)에 전기적으로 연결되며, 상기 커패시터의 전극층(13, 106, 1541)과 유전체층(14, 115, 1542)을 거쳐 연장되도록 구성되는 도전성 부재(61, 117, 1546)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속 산화물 유전체층(14, 115, 1542)은 탄탈 5 산화물, 지르코늄 티탄산염, 바륨 티탄산염, 바륨 스트론튬 티탄산염, 스트론튬 티탄산염, 비스무트 티탄산염, 닙 지르콘산염 티탄산염, 및 란탄 도핑된 납 지르콘산염 티탄산염으로 구성된 그룹중에서 선택되는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기초 회로 구조물(112, 1525, 1526)은 트랜지스터(103, 141, 142)의 소스/드레인 영역인 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 도전성 부재(61, 117, 1546)은 실리콘, 내열성 금속, 및 티탄 질화물로 구성된 그룹중에서 선택되는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 도전성 부재(61, 117, 1546)와, 커패시터 및, 상기 회로 구조물(11, 112, 1525, 1526)에 인접하여 위치한 절연공간층(51, 116, 1546)을 포함하며, 상기 절연 공간층(51, 116, 1546)은 내연성 금속 산화물과 마그네슘 산화물로 구성된 그룹중에서 선택되는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  6. RAM(Random access memory)셀(100, 140)로서, 소스/드레인 영역(112, 1525, 1526)을 갖는 트랜지스터(103, 141, 142)와; 전극층(106, 1541)과 상기 전극층(106, 1541)위에 위치한 금속 산화물 유전체층(115, 1542)을 포함하며, 상기 소스/드레인 영역(112, 1525, 1526)위에 위치한 커패시터; 및 상기 유전체층(115, 1542)위에 위치하고, 상기 소스/드레인 영역(112, 1525, 1526)에 전기적으로 연결되며, 상기 커패시터의 전극층(106, 1541)과 유전체 층(115, 1542)을 거쳐 연장되도록 구성되는 도전성 부재(117, 1546)를 포함하는 것을 특징으로 하는 RAM셀.
  7. 제6항에 있어서, 상기 RAM셀은 DRAM(dynamic-random-accesss-memory) 셀(50)이고; 상기 금속 산화물 유전체층(115, 1542)은 탄탈 5 산화물과, 지르콘산염 티탄산염과, 바륨 스트론튬 티탄산염과, 스트론튬 티탄산염과, 납 지르콘산염 티탄산염, 및 란탄 도핑된 지르콘산염 티탄산염으로 구성된 그룹중에서 선택되는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 RAM 셀.
  8. 제6항에 있어서, 상기 RAM셀은 비휘발성 RAM 셀(100, 140)이고; 상기 금속 산화물 층(115, 1542)은 바륨스트론튬 티탄산염과, 바륨 티탄산염과, 비스무트 티탄산염과, 납 지르콘산염 티탄산염, 및 란탄 도핑된 납 지르콘산염 티탄산염으로 구성된 그룹중에서 선택되는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 RAM셀.
  9. 제6항에 있어서, 상기 도전성 부재(17, 1546)는 실리콘과 내열성 금속, 및 티탄 질화물로 구성된 그룹중에서 선택되는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 RAM 셀.
  10. 제6항에 있어서, 상기 도전성 부재(117, 1546)와, 상기 커패시터, 및 상기 소스/드레인 영역(112, 12525, 1526)에 인접하여 위취한 절연 공간층(116, 1545)을 더 포함하며; 상기 절연 공간층(116, 1545)은 내열성 금속 산화물과 마그네숨 산화물로 구성된 그룹중에서 선택되는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 RAM 셀.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940019072A 1993-08-02 1994-08-02 금속-산화물유전체를갖는커패시터 KR100372969B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US100,793 1993-08-02
US08/100,793 US5439840A (en) 1993-08-02 1993-08-02 Method of forming a nonvolatile random access memory capacitor cell having a metal-oxide dielectric

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950007117A true KR950007117A (ko) 1995-03-21
KR100372969B1 KR100372969B1 (ko) 2003-09-06

Family

ID=22281565

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940019072A KR100372969B1 (ko) 1993-08-02 1994-08-02 금속-산화물유전체를갖는커패시터

Country Status (8)

Country Link
US (3) US5439840A (ko)
EP (1) EP0637845B1 (ko)
JP (1) JP4008047B2 (ko)
KR (1) KR100372969B1 (ko)
CN (1) CN1051403C (ko)
DE (1) DE69428487T2 (ko)
SG (1) SG48908A1 (ko)
TW (1) TW293181B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100346668B1 (ko) * 1995-12-22 2003-03-06 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 절연측벽캐패시터

Families Citing this family (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05243487A (ja) * 1992-03-02 1993-09-21 Nec Corp 集積回路
TW403972B (en) * 1993-01-18 2000-09-01 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating mis semiconductor device
KR950009813B1 (ko) * 1993-01-27 1995-08-28 삼성전자주식회사 반도체장치 및 그 제조방법
US5439840A (en) * 1993-08-02 1995-08-08 Motorola, Inc. Method of forming a nonvolatile random access memory capacitor cell having a metal-oxide dielectric
DE69434606T8 (de) * 1993-08-05 2007-05-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Halbleiterbauelement mit Kondensator und dessen Herstellungsverfahren
JP3666893B2 (ja) * 1993-11-19 2005-06-29 株式会社日立製作所 半導体メモリ装置
KR0171060B1 (ko) * 1993-12-28 1999-03-30 스기야마 카즈히코 반도체장치의 제조방법
JP3460347B2 (ja) * 1994-03-30 2003-10-27 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法
KR0135803B1 (ko) * 1994-05-13 1998-04-24 김광호 상.하로 분리된 커패시터를 갖는 반도체 메모리장치 및 그 제조방법
JP2982855B2 (ja) * 1994-09-20 1999-11-29 日本電気株式会社 半導体装置とその製造方法
KR0168346B1 (ko) * 1994-12-29 1998-12-15 김광호 고유전율 재료를 이용한 커패시터 및 그 제조방법
US5622882A (en) * 1994-12-30 1997-04-22 Lsi Logic Corporation Method of making a CMOS dynamic random-access memory (DRAM)
US5567636A (en) * 1995-02-27 1996-10-22 Motorola Inc. Process for forming a nonvolatile random access memory array
US5789323A (en) * 1995-04-25 1998-08-04 Ramtron International Corporation Fabrication of metal-ferroelectric-metal capacitors with a two step patterning sequence
KR0161785B1 (ko) * 1995-04-29 1998-12-01 주승기 강유전체 박막소자의 제조방법
JP3480866B2 (ja) * 1995-05-18 2003-12-22 松下電器産業株式会社 半導体装置およびその製造方法
US5654223A (en) * 1995-06-27 1997-08-05 Lg Semicon Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor memory element
KR0147655B1 (ko) * 1995-07-13 1998-08-01 김광호 반도체 장치의 캐패시터 제조방법
KR0183739B1 (ko) * 1995-09-19 1999-03-20 김광호 감결합 커패시터를 포함하는 반도체 장치 및 그 제조방법
US5744866A (en) * 1997-03-11 1998-04-28 Nec Corporation Low resistance ground wiring in a semiconductor device
SG54456A1 (en) * 1996-01-12 1998-11-16 Hitachi Ltd Semconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same
US6004839A (en) * 1996-01-17 1999-12-21 Nec Corporation Semiconductor device with conductive plugs
US5926359A (en) * 1996-04-01 1999-07-20 International Business Machines Corporation Metal-insulator-metal capacitor
US6660610B2 (en) * 1996-07-08 2003-12-09 Micron Technology, Inc. Devices having improved capacitance and methods of their fabrication
US5838530A (en) * 1996-07-22 1998-11-17 Zhang; Guobiao Applications of protective ceramics
DE19640211A1 (de) * 1996-09-30 1998-04-02 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung barrierenfreier Halbleiterspeicheranordnungen
DE19640413A1 (de) 1996-09-30 1998-04-02 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung barrierenfreier Halbleiterspeicheranordnungen
US5923056A (en) * 1996-10-10 1999-07-13 Lucent Technologies Inc. Electronic components with doped metal oxide dielectric materials and a process for making electronic components with doped metal oxide dielectric materials
US5712813A (en) * 1996-10-17 1998-01-27 Zhang; Guobiao Multi-level storage capacitor structure with improved memory density
JP3512959B2 (ja) * 1996-11-14 2004-03-31 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
KR100227843B1 (ko) * 1997-01-22 1999-11-01 윤종용 반도체 소자의 콘택 배선 방법 및 이를 이용한 커패시터 제조방법
TW378345B (en) * 1997-01-22 2000-01-01 Hitachi Ltd Resin package type semiconductor device and manufacturing method thereof
KR100295568B1 (ko) * 1997-02-03 2001-09-07 니시무로 타이죠 반도체 장치 및 그의 제조방법
JPH10229174A (ja) * 1997-02-18 1998-08-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置の製造方法
US5750419A (en) * 1997-02-24 1998-05-12 Motorola, Inc. Process for forming a semiconductor device having a ferroelectric capacitor
US5893731A (en) * 1997-05-23 1999-04-13 Industrial Technology Research Institute Method for fabricating low cost integrated resistor capacitor combinations
US6054340A (en) * 1997-06-06 2000-04-25 Motorola, Inc. Method for forming a cavity capable of accessing deep fuse structures and device containing the same
JP3028080B2 (ja) * 1997-06-18 2000-04-04 日本電気株式会社 半導体装置の構造およびその製造方法
TW396454B (en) 1997-06-24 2000-07-01 Matsushita Electrics Corporati Semiconductor device and method for fabricating the same
US6130182A (en) * 1997-07-25 2000-10-10 International Business Machines Corporation Dielectric catalyst structures
US6197267B1 (en) 1997-07-25 2001-03-06 International Business Machines Corporation Catalytic reactor
US6193832B1 (en) 1997-07-25 2001-02-27 International Business Machines Corporation Method of making dielectric catalyst structures
JP3090198B2 (ja) * 1997-08-21 2000-09-18 日本電気株式会社 半導体装置の構造およびその製造方法
FR2768852B1 (fr) * 1997-09-22 1999-11-26 Sgs Thomson Microelectronics Realisation d'un condensateur intermetallique
US6432793B1 (en) 1997-12-12 2002-08-13 Micron Technology, Inc. Oxidative conditioning method for metal oxide layer and applications thereof
US6072711A (en) * 1997-12-12 2000-06-06 Lg Semicon Co., Ltd. Ferroelectric memory device without a separate cell plate line and method of making the same
US6344413B1 (en) 1997-12-22 2002-02-05 Motorola Inc. Method for forming a semiconductor device
US6320214B1 (en) * 1997-12-24 2001-11-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device having a ferroelectric TFT and a dummy element
US6207465B1 (en) * 1998-04-17 2001-03-27 Symetrix Corporation Method of fabricating ferroelectric integrated circuit using dry and wet etching
US6348411B1 (en) * 1998-09-03 2002-02-19 Micron Technology, Inc. Method of making a contact structure
CN1087871C (zh) * 1998-09-16 2002-07-17 张国飙 集成电路中的似电容元件
US6249014B1 (en) 1998-10-01 2001-06-19 Ramtron International Corporation Hydrogen barrier encapsulation techniques for the control of hydrogen induced degradation of ferroelectric capacitors in conjunction with multilevel metal processing for non-volatile integrated circuit memory devices
JP3517876B2 (ja) * 1998-10-14 2004-04-12 セイコーエプソン株式会社 強誘電体薄膜素子の製造方法、インクジェット式記録ヘッド及びインクジェットプリンタ
US6174735B1 (en) * 1998-10-23 2001-01-16 Ramtron International Corporation Method of manufacturing ferroelectric memory device useful for preventing hydrogen line degradation
US6038163A (en) * 1998-11-09 2000-03-14 Lucent Technologies Inc. Capacitor loaded memory cell
JP2000183295A (ja) * 1998-12-16 2000-06-30 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
KR100293713B1 (ko) 1998-12-22 2001-07-12 박종섭 메모리소자의 커패시터 제조방법
US20010013660A1 (en) * 1999-01-04 2001-08-16 Peter Richard Duncombe Beol decoupling capacitor
US6252275B1 (en) 1999-01-07 2001-06-26 International Business Machines Corporation Silicon-on-insulator non-volatile random access memory device
US6255157B1 (en) 1999-01-27 2001-07-03 International Business Machines Corporation Method for forming a ferroelectric capacitor under the bit line
US6180456B1 (en) * 1999-02-17 2001-01-30 International Business Machines Corporation Triple polysilicon embedded NVRAM cell and method thereof
US6316797B1 (en) * 1999-02-19 2001-11-13 Advanced Technology Materials, Inc. Scalable lead zirconium titanate(PZT) thin film material and deposition method, and ferroelectric memory device structures comprising such thin film material
US6218256B1 (en) 1999-04-13 2001-04-17 Micron Technology, Inc. Electrode and capacitor structure for a semiconductor device and associated methods of manufacture
US6124199A (en) 1999-04-28 2000-09-26 International Business Machines Corporation Method for simultaneously forming a storage-capacitor electrode and interconnect
US6284551B1 (en) 1999-06-14 2001-09-04 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Capacitor and method for fabricating the same
US6509592B2 (en) * 1999-12-09 2003-01-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Ferroelectric memory
US6452251B1 (en) 2000-03-31 2002-09-17 International Business Machines Corporation Damascene metal capacitor
US6717193B2 (en) * 2001-10-09 2004-04-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure and methods of fabricating same
US6971165B1 (en) * 2002-04-17 2005-12-06 Borealis Technical Limited Method for fabrication of separators for electrode pairs in diodes
US6916722B2 (en) * 2002-12-02 2005-07-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method to fabricate high reliable metal capacitor within copper back-end process
US6967154B2 (en) 2002-08-26 2005-11-22 Micron Technology, Inc. Enhanced atomic layer deposition
US20040166678A1 (en) * 2003-02-24 2004-08-26 Hall Lindsey H. Wet clean method for PZT capacitors
JP4342833B2 (ja) * 2003-05-16 2009-10-14 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 容量セルと半導体装置及びその製造方法
US7101785B2 (en) * 2003-07-22 2006-09-05 Infineon Technologies Ag Formation of a contact in a device, and the device including the contact
WO2005074032A1 (ja) * 2004-01-28 2005-08-11 Fujitsu Limited 半導体装置及びその製造方法
JP4948762B2 (ja) * 2004-12-27 2012-06-06 富士通株式会社 半導体装置
JP4189378B2 (ja) * 2004-12-27 2008-12-03 株式会社東芝 強誘電体メモリ
EP1677371A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-05 STMicroelectronics S.r.l. Dual resistance heater for phase change devices and manufacturing method thereof
KR100718267B1 (ko) * 2005-03-23 2007-05-14 삼성전자주식회사 강유전체 구조물, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 반도체장치 및 그 제조 방법
KR100717813B1 (ko) 2005-06-30 2007-05-11 주식회사 하이닉스반도체 나노믹스드 유전막을 갖는 캐패시터 및 그의 제조 방법
US7226831B1 (en) * 2005-12-27 2007-06-05 Intel Corporation Device with scavenging spacer layer
US8000131B2 (en) * 2009-04-29 2011-08-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Non-volatile field programmable gate array
US9846664B2 (en) 2010-07-09 2017-12-19 Cypress Semiconductor Corporation RFID interface and interrupt
US8723654B2 (en) 2010-07-09 2014-05-13 Cypress Semiconductor Corporation Interrupt generation and acknowledgment for RFID
US9092582B2 (en) 2010-07-09 2015-07-28 Cypress Semiconductor Corporation Low power, low pin count interface for an RFID transponder
JP6259023B2 (ja) 2015-07-20 2018-01-10 ウルトラテック インク 電極系デバイス用のａｌｄ処理のためのマスキング方法
US20210342659A1 (en) * 2020-05-01 2021-11-04 X-Celeprint Limited Hybrid documents with electronic indicia

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4251326A (en) * 1978-12-28 1981-02-17 Western Electric Company, Inc. Fabricating an RC network utilizing alpha tantalum
US5046043A (en) * 1987-10-08 1991-09-03 National Semiconductor Corporation Ferroelectric capacitor and memory cell including barrier and isolation layers
US5109357A (en) * 1988-04-22 1992-04-28 Ramtron Corporation DRAM memory cell and method of operation thereof for transferring increased amount of charge to a bit line
US5196912A (en) * 1988-10-28 1993-03-23 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor having memory function and method for using thin film transistor as memory element
EP0370407A1 (en) * 1988-11-18 1990-05-30 Nec Corporation Semiconductor memory device of one transistor - one capacitor memory cell type
US4952904A (en) * 1988-12-23 1990-08-28 Honeywell Inc. Adhesion layer for platinum based sensors
DE69022621T2 (de) * 1989-05-05 1996-05-30 Ramtron Corp Integrierter ferro-elektrischer Kondensator.
US5005102A (en) * 1989-06-20 1991-04-02 Ramtron Corporation Multilayer electrodes for integrated circuit capacitors
US5116776A (en) * 1989-11-30 1992-05-26 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Method of making a stacked copacitor for dram cell
US5196909A (en) * 1989-11-30 1993-03-23 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Capacitor for DRAM cell
DE4041271C2 (de) * 1989-12-25 1998-10-08 Toshiba Kawasaki Kk Halbleitervorrichtung mit einem ferroelektrischen Kondensator
US5146299A (en) * 1990-03-02 1992-09-08 Westinghouse Electric Corp. Ferroelectric thin film material, method of deposition, and devices using same
JPH03296262A (ja) * 1990-04-13 1991-12-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体メモリセル
US5313090A (en) * 1990-06-29 1994-05-17 Nec Corporation Bipolar memory cell having capacitors
JPH0479266A (ja) * 1990-07-20 1992-03-12 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
US5237188A (en) * 1990-11-28 1993-08-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device with nitrided gate insulating film
EP0516031A1 (en) * 1991-05-29 1992-12-02 Ramtron International Corporation Stacked ferroelectric memory cell and method
US5142437A (en) * 1991-06-13 1992-08-25 Ramtron Corporation Conducting electrode layers for ferroelectric capacitors in integrated circuits and method
US5257238A (en) * 1991-07-11 1993-10-26 Micron Technology, Inc. Dynamic memory having access transistor turn-off state
US5164808A (en) * 1991-08-09 1992-11-17 Radiant Technologies Platinum electrode structure for use in conjunction with ferroelectric materials
US5283462A (en) * 1991-11-04 1994-02-01 Motorola, Inc. Integrated distributed inductive-capacitive network
JP3207227B2 (ja) * 1991-11-08 2001-09-10 ローム株式会社 不揮発性半導体記憶装置
US5142438A (en) * 1991-11-15 1992-08-25 Micron Technology, Inc. Dram cell having a stacked capacitor with a tantalum lower plate, a tantalum oxide dielectric layer, and a silicide buried contact
JPH05190797A (ja) * 1992-01-08 1993-07-30 Seiko Epson Corp 半導体記憶装置
US5329486A (en) * 1992-04-24 1994-07-12 Motorola, Inc. Ferromagnetic memory device
US5185689A (en) * 1992-04-29 1993-02-09 Motorola Inc. Capacitor having a ruthenate electrode and method of formation
US5191510A (en) * 1992-04-29 1993-03-02 Ramtron International Corporation Use of palladium as an adhesion layer and as an electrode in ferroelectric memory devices
US5313089A (en) * 1992-05-26 1994-05-17 Motorola, Inc. Capacitor and a memory cell formed therefrom
US5254217A (en) * 1992-07-27 1993-10-19 Motorola, Inc. Method for fabricating a semiconductor device having a conductive metal oxide
KR0140691B1 (ko) * 1992-08-20 1998-06-01 문정환 반도체 장치의 마스크롬 제조방법
US5350705A (en) * 1992-08-25 1994-09-27 National Semiconductor Corporation Ferroelectric memory cell arrangement having a split capacitor plate structure
US5426561A (en) * 1992-09-29 1995-06-20 The United States Of America As Represented By The United States National Aeronautics And Space Administration High energy density and high power density ultracapacitors and supercapacitors
US5258093A (en) * 1992-12-21 1993-11-02 Motorola, Inc. Procss for fabricating a ferroelectric capacitor in a semiconductor device
US5381302A (en) * 1993-04-02 1995-01-10 Micron Semiconductor, Inc. Capacitor compatible with high dielectric constant materials having a low contact resistance layer and the method for forming same
US5407855A (en) * 1993-06-07 1995-04-18 Motorola, Inc. Process for forming a semiconductor device having a reducing/oxidizing conductive material
US5439840A (en) * 1993-08-02 1995-08-08 Motorola, Inc. Method of forming a nonvolatile random access memory capacitor cell having a metal-oxide dielectric

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100346668B1 (ko) * 1995-12-22 2003-03-06 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 절연측벽캐패시터

Also Published As

Publication number Publication date
JP4008047B2 (ja) 2007-11-14
DE69428487D1 (de) 2001-11-08
SG48908A1 (en) 1998-05-18
KR100372969B1 (ko) 2003-09-06
JPH0778890A (ja) 1995-03-20
CN1051403C (zh) 2000-04-12
TW293181B (ko) 1996-12-11
US5696394A (en) 1997-12-09
DE69428487T2 (de) 2002-05-08
CN1108433A (zh) 1995-09-13
US5439840A (en) 1995-08-08
EP0637845B1 (en) 2001-10-04
US5583068A (en) 1996-12-10
EP0637845A1 (en) 1995-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950007117A (ko) 금속 산화물 유전체를 갖는 커패시터
KR100389032B1 (ko) 강유전체 메모리 장치 및 그의 제조 방법
KR970054168A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR950007118A (ko) 전극사이에서 향상된 절연성을 갖는 반도체 기억장치 및 그의 제조방법
KR100442892B1 (ko) 스택 셀을 위한 보호 베리어를 갖는 반도체 장치
KR960043218A (ko) 반도체 장치의 커패시터 및 그 제조방법
US20020011618A1 (en) Structure of a capacitor section of a dynamic random-access memory
KR960015908A (ko) 커패시터를 가지는 반도체 장치
KR970030842A (ko) 메모리 셀 장치 및 그 제조 방법
KR940012615A (ko) 반도체메모리장치 및 그 제조방법
KR100263396B1 (ko) 반도체장치
KR100491580B1 (ko) 배리어 없는 반도체 메모리 장치의 제조 방법
TWI267978B (en) Memory-capacitor and related contacting-structure, memory element as well as a method for its manufacturing
KR100197566B1 (ko) 강유전체 메모리 장치
KR100326494B1 (ko) 배리어 없는 반도체 메모리 장치의 제조 방법
KR19980070914A (ko) 집적 회로 구조의 제조 방법
KR100624884B1 (ko) 반도체 기억장치
JP3898766B2 (ja) 埋め込みプレート電極を備えた集積半導体メモリ装置
JPH1098166A (ja) 半導体記憶装置及びその製造方法
JPH05190797A (ja) 半導体記憶装置
KR100209710B1 (ko) 디램 및 그의 제조 방법
KR20030028044A (ko) 강유전체 메모리 소자 및 그 제조방법
JPH046867A (ja) 半導体装置
KR19980049912A (ko) 강유전체 커패시터 제조방법
KR20000036201A (ko) 배리어 없는 반도체 메모리 장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060106

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee