JP4948762B2 - 半導体装置 - Google Patents
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一方、ビスマス系強誘電体の代表的な材料はSBT(SrBi2 Ta2 O9 )であるが、それ以外にもBIT(Bi4 Ti3 O12)などがある。
即ち、高温・高湿の環境下ではチップをモールドする樹脂が吸湿することによって発生する膨張応力が、強誘電体が分極反転する際の変形で生ずる発生力Fを低減する方向に作用して分極反転が起こらない場合が発生するという問題がある。
なお、図における符号2は、強誘電体キャパシタを構成する下部電極である。
図1参照
上記課題を解決するために、本発明は、半導体装置において、強誘電体キャパシタ1の上部電極4に接続する配線7を含む多層配線構造の最表面がモールド樹脂で被覆された半導体装置であって、上部電極4に接続する配線7の延在方向に沿って、強誘電体キャパシタ1を挟んで2つのプラグ5,6を配置し、2つのプラグ5,6と上部電極4に接続する配線7とを接続してモールド樹脂の吸湿に伴う膨張応力により強誘電体キャパシタ1に印加される応力を緩和することを特徴とする。
S・sinθ/D≦1.5
の関係を満たすようにさせてモールド樹脂の吸湿に伴う膨張応力により強誘電体キャパシタ1に印加される応力を緩和することを特徴とする。
S・sinθ/D≦1
の関係を満たすように傾斜させたものである。
まず、強誘電体の分極反転に伴って発生する応力と強誘電体膜に外部からかかる応力の釣り合いを検討してみたので、図2乃至図6を参照して説明する。
図2は、強誘電体膜のヒステリス特性と形状変化の説明図であり、左図はヒステリシス特性図であり、右図は形状変化図であり、強誘電体膜は分極反転の時に変形し、電圧を0にすると元の形に戻る性質を有している。
これは、強誘電体キャパシタ構造にした場合に、強誘電体膜の下面が固定されているためである。
図3は、強誘電体キャパシタにおける応力の釣合いを示す模式図であり、強誘電体キャパシタに対してはz軸方向においてH+Gの力が印加される。
この場合、Gは、層間絶縁膜などが弾性変形によって生じる力であり、Hは後述するモールド樹脂による力である。
Hs =7.6×107 Pa(対角2.73mmチップ)〜8.3×106 Pa(対角2.275mmチップ)
となり、この力Hs が縦a=1μm、横b=2μmの強誘電体キャパシタに作用した場合に、強誘電体キャパシタの受ける力Hは、kを強誘電体膜にかかる割合とした場合、
H=k×a×b×Hs
で表される。
なお、ここでは、樹脂として通常のFeRAMに用いられているエポキシ系の熱硬化性樹脂を想定している。
H=k×a×b×Hs =k×1×2×Hs
=k×1.63×10-5N〜1.52×10-4N
=2.49×10-5N〜2.28×10-4N(k=1.5)
≒1.18×10-5N〜1.08×10-4N(k=0.71)
となる。
k=1.5の場合には、
端部で1.1×108 Pa、内部で1.2×107 Pa
k=0.71の場合には、
端部で5.4×107 Pa、内部で5.9×106 Pa
となる。
F=a×b×d33×V/(h×sE33)〜4.1×10-4N
となり、強誘電体キャパシタに印加される応力Pは、
P=F/(a×b)=4.1×10-4N/2×10-12 m2
=2.05×108 N/m2 ≒2.1Pa
となる。
H/F≒1.18×10-5N/4.1×10-4N≒3×10-2(=3%)
となり、問題なく分極反転は可能である。
H/F≒2.27×10-4N/4.1×10-4N≒55.4×10-2(=55.4%)となり、発生力Fが45%劣化した場合には発生力Fと樹脂の吸湿によって発生する力Hが等しくなり分極反転が起こらなくなる。
即ち、分極反転しようした場合、形状変化が必要になるが、この形状変化が樹脂の吸湿によって発生する力Hによる妨げられるため、分極反転することができなくなる。
図4参照
図4は、シミュレーションに用いた強誘電体キャパシタ近傍の概略的断面図であり、シリコン基板11をSiO2 からなる第1層間絶縁膜12で覆ったのち、TiN膜13及びTi膜14を介して厚さが、例えば、180nmのPt下部電極15、厚さが、例えば、120nmのPZT膜16、及び、厚さが、例えば、150nmのIrO2 上部電極17を設ける。
なお、この時、IrO2 上部電極17の上面の配線層の延在方向に沿った長さSを1.5μmとする。
図5は、各部材のヤング率を代入して各部位にかかる応力分布をシミュレーションして求めたものであり、ここでは、各部材のヤング率としては、
SiO2 68.6GPa
Pt 168GPa
PZT 100GPa
IrO2 528GPa(Irのヤング率を借用)
W 411GPa
TiN 600GPa
Al−Cu 70GPa
Si 157GPa
Ti 116GPa
Al2 O3 400GPa
を用いた。
図6参照
図6は、上部電極とTiN膜との接触部近傍の概念的構成図であり、TiN膜22の傾斜角をθとして、TiN膜22の膜厚をDとし、上部電極の上面の長さをSとする。
そうすると、奥行き方向については単位長さで考えると、上部電極との接触部におけるTiN膜22の面積STiN は、
STiN =D/sinθ
となる。
P=H/STiN =H/(D/sinθ)
となる。
となり、k・sinθ=1の場合に、TiN膜22が完全に水平な状態で接触した場合と同様な状態となる。
但し、安全率を見込んでk・sinθ=1.5(上述のD,Sの関係の場合には、θ=30°)までならば樹脂の吸湿による膨張応力による分極反転劣化を充分に抑制することができる。
図7参照 図7は、本発明の実施例1のFeRAMのメモリセルの概略的断面図であり、まず、p型シリコン基板31の所定領域にSTI構造の素子分離領域32を形成したのち、露出した素子形成領域にBを注入してp型ウエル領域33を形成し、次いで、、p型ウエル領域33にゲート絶縁膜34を介してWSiからなるゲート電極35を形成し、このゲート電極35をマスクとしてPをイオン注入することによってn型エクステンション領域36を形成する。
図8参照
図8は、本発明の実施例2のFeRAMのメモリセルの概略的断面図であり、局所内部配線53を支えるプラグを両方ダミープラグ52,57としたものであり、ダミープラグ52の形成工程において、ダミープラグ57を形成するものである。
図9参照
図9は、本発明の実施例3のFeRAMのメモリセルの概略的断面図であり、n型ソース領域39に接続するプラグの上部を径の大きなプラグ58を形成するとともに、ダミープラグを除去したものである。
図10参照
図10は本発明の実施例4のFeRAMのメモリセルの概念的断面図であり、上部電極に対するコンタクトホールを形成する際に、ウェット・エッチングを用いたテーパエッチングによりコンタクトホールの傾斜角θを局所内部配線を構成するTiN膜の膜厚Dと上部電極47の上面の長さSとの関係で、
(S/D)×sinθ≦1.5
になるようにしたものである。
上述のように、D=0.5μm、S=1.5μmの場合には、θ≦30°となり、D=0.5μm、S=1.0μmの場合には、θ≦49°となる。
再び、図1参照
(付記1) 強誘電体キャパシタ1の上部電極4に接続する配線7を含む多層配線構造の最表面がモールド樹脂で被覆された半導体装置であって、前記上部電極4に接続する配線7の延在方向に沿って、前記強誘電体キャパシタ1を挟んで2つのプラグ5,6を配置し、前記2つのプラグ5,6と前記上部電極4に接続する配線7とを接続して、モールド樹脂の吸湿に伴う膨張応力により強誘電体キャパシタ1に印加される応力を緩和することを特徴とする半導体装置。
(付記2) 前記2つのプラグ5,6が、電気的接続に寄与しないダミープラグであることを特徴とする付記1記載の半導体装置。
(付記3) 強誘電体キャパシタ1の上部電極4に接続する配線7を含む多層配線構造の最表面がモールド樹脂で被覆された半導体装置であって、前記上部電極4に接続する配線7に接続するプラグ5と、前記上部電極4のプラグ5側の端部との距離を0.50μm以下にして、モールド樹脂の吸湿に伴う膨張応力により強誘電体キャパシタ1に印加される応力を緩和することを特徴とする半導体装置。
(付記4) 前記プラグ5を、ソース・ドレイン領域と接続する相対的に径の小さな下部プラグと、前記下部プラグより径の大きな上部プラグの2段構造にしたことを特徴とする付記3記載の半導体装置。
(付記5) 前記上部電極4に接続する配線7が多層構造配線7からなり、前記多層構造の内の前記上部電極4と直接接触する最下層8が、前記強誘電体キャパシタ1を構成する強誘電体材料よりヤング率の大きな導電体材料からなることを特徴とする付記1乃至付記4のいずれか1に記載の半導体装置。
(付記6) 強誘電体キャパシタ1の上部電極4に接続する配線7を含む多層配線構造の最表面がモールド樹脂で被覆された半導体装置であって、前記上部電極4に接続する配線7を前記上部電極4と直接接触する最下層8が前記強誘電体キャパシタ1を構成する強誘電体材料よりヤング率の大きな導電体材料からなる多層構造とするとともに、前記最下層8と前記上部電極4の上面とのなす角θを前記最下層8の厚さをD、前記上部電極4の上面の長さをSとした場合、
S・sinθ/D≦1.5
の関係を満たすようにさせて、モールド樹脂の吸湿に伴う膨張応力により強誘電体キャパシタ1に印加される応力を緩和することを特徴とする半導体装置。
(付記7) 前記強誘電体キャパシタ1がメモリセルを構成するキャパシタであることを特徴とする付記1乃至付記6のいずれか1に記載の半導体装置。
2 下部電極
3 強誘電体膜
4 上部電極
5 プラグ
6 プラグ
7 配線
8 最下層
11 シリコン基板
12 第1層間絶縁膜
13 TiN膜
14 Ti膜
15 Pt下部電極
16 PZT膜
17 IrO2 上部電極
18 Al2 O3 保護膜
19 第2層間絶縁膜
20 Wプラグ
21 局所内部配線
22 TiN膜
23 Al−Cu膜
24 TiN膜
31 p型シリコン基板
32 素子分離領域
33 p型ウエル領域
34 ゲート絶縁膜
35 ゲート電極
36 n型エクステンション領域
37 サイドウォール
38 n型ドレイン領域
39 n型ソース領域
40 第1層間絶縁膜
41 プラグ
42 プラグ
43 SiN膜
44 SiO2 膜
45 下部電極
46 誘電体膜
47 上部電極
48 Al2 O3 保護膜
49 第2層間絶縁膜
50 プラグ
51 プラグ
52 ダミープラグ
53 局所内部配線
54 第3層間絶縁膜
55 プラグ
56 ビット線
57 ダミープラグ
58 プラグ
Claims (5)
- 強誘電体キャパシタの上部電極に接続する配線を含む多層配線構造の最表面がモールド樹脂で被覆された半導体装置であって、前記上部電極に接続する配線の延在方向に沿って、前記強誘電体キャパシタを挟んで2つのプラグを配置し、前記2つのプラグと前記上部電極に接続する配線とを接続して、前記モールド樹脂の吸湿に伴う膨張応力により前記強誘電体キャパシタに印加される応力を緩和することを特徴とする半導体装置。
- 強誘電体キャパシタの上部電極に接続する配線を含む多層配線構造の最表面がモールド樹脂で被覆された半導体装置であって、前記上部電極に接続する配線に接続するプラグと、前記上部電極のプラグ側の端部との距離を0.50μm以下にして、前記モールド樹脂の吸湿に伴う膨張応力により前記強誘電体キャパシタに印加される応力を緩和することを特徴とする半導体装置。
- 前記上部電極に接続する配線が多層構造配線からなり、前記多層構造の内の前記上部電極と直接接触する最下層が、前記強誘電体キャパシタを構成する強誘電体材料よりヤング率の大きな導電体材料からなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 強誘電体キャパシタの上部電極に接続する配線を含む多層配線構造の最表面がモールド樹脂で被覆された半導体装置であって、前記上部電極に対するコンタクトホールを介して接続する配線を前記上部電極と直接接触する最下層が前記強誘電体キャパシタを構成する強誘電体材料よりヤング率の大きな導電体材料からなる多層構造とするとともに、前記最下層の前記コンタクトホールにおける傾斜角θを前記最下層の厚さをD、前記上部電極の上面の長さをSとした場合、
S・sinθ/D≦1.5
の関係を満たすようにさせて、前記モールド樹脂の吸湿に伴う膨張応力により前記強誘電体キャパシタに印加される応力を緩和することを特徴とする半導体装置。 - 前記強誘電体キャパシタがメモリセルを構成するキャパシタであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置。
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