JP3460347B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP3460347B2 JP3460347B2 JP32766794A JP32766794A JP3460347B2 JP 3460347 B2 JP3460347 B2 JP 3460347B2 JP 32766794 A JP32766794 A JP 32766794A JP 32766794 A JP32766794 A JP 32766794A JP 3460347 B2 JP3460347 B2 JP 3460347B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- film
- platinum
- gas
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 214
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 202
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 101
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 92
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 46
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 9
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 6
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 6
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 188
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 33
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 17
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 11
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 6
- 229910003446 platinum oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910015801 BaSrTiO Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100496858 Mus musculus Colec12 gene Proteins 0.000 description 2
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- MNNJUOUZAXINJW-UHFFFAOYSA-N molecular hydrogen;hydrobromide Chemical compound Br.[H][H] MNNJUOUZAXINJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路のチップ
に内蔵される高誘電体膜または強誘電体膜を容量絶縁膜
とする容量素子を備える半導体装置の製造方法に関す
る。
に内蔵される高誘電体膜または強誘電体膜を容量絶縁膜
とする容量素子を備える半導体装置の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、電磁波雑音である不要輻射低減対
策に有効な高誘電体容量素子内蔵マイコンや、低動作電
圧、かつ高速書き込み・読み出し可能な強誘電体不揮発
性ＲＡＭの開発がさかんに行われている。これら高誘電
体または強誘電体材料は主に金属酸化物の焼結体からな
り、反応性に富む酸素を多く含有している。このような
誘電体薄膜よりなる容量絶縁膜を用いて容量素子を形成
する場合、電極にはきわめて反応性が少ない白金やパラ
ジウム等の貴金属電極が必要となる。従来、白金やパラ
ジウムのエッチングは王水によるウエットエッチングや
Ａｒによるイオンミリング等の等方性エッチングが行わ
れてきた。しかしながら、王水によるウェットエッチン
グ、およびイオンミリングは等方性エッチングであるた
めに加工精度が悪くなるという問題がある。特にイオン
ミリングでは白金と酸化珪素等の下地のエッチング速度
がほぼ同じであるため、下地もエッチングされるという
問題がある。
策に有効な高誘電体容量素子内蔵マイコンや、低動作電
圧、かつ高速書き込み・読み出し可能な強誘電体不揮発
性ＲＡＭの開発がさかんに行われている。これら高誘電
体または強誘電体材料は主に金属酸化物の焼結体からな
り、反応性に富む酸素を多く含有している。このような
誘電体薄膜よりなる容量絶縁膜を用いて容量素子を形成
する場合、電極にはきわめて反応性が少ない白金やパラ
ジウム等の貴金属電極が必要となる。従来、白金やパラ
ジウムのエッチングは王水によるウエットエッチングや
Ａｒによるイオンミリング等の等方性エッチングが行わ
れてきた。しかしながら、王水によるウェットエッチン
グ、およびイオンミリングは等方性エッチングであるた
めに加工精度が悪くなるという問題がある。特にイオン
ミリングでは白金と酸化珪素等の下地のエッチング速度
がほぼ同じであるため、下地もエッチングされるという
問題がある。
【０００３】そのため近年、加工精度を向上させるた
め、ドライエッチングによる白金膜や金属酸化物誘電体
薄膜の微細加工技術に関する研究開発が盛んに行われて
おり、エッチングガスとして塩素（Ｃｌ2）や臭化水素
（ＨＢｒ）を用いたものが報告されている（１９９１年
秋期応用物理学会予稿集９ｐ−ＺＦ−１７第５１６ペー
ジ、１９９３年春期応用物理学会予稿集３０ａ−ＺＥ−
３第５７７ページ）。
め、ドライエッチングによる白金膜や金属酸化物誘電体
薄膜の微細加工技術に関する研究開発が盛んに行われて
おり、エッチングガスとして塩素（Ｃｌ2）や臭化水素
（ＨＢｒ）を用いたものが報告されている（１９９１年
秋期応用物理学会予稿集９ｐ−ＺＦ−１７第５１６ペー
ジ、１９９３年春期応用物理学会予稿集３０ａ−ＺＥ−
３第５７７ページ）。
【０００４】以下従来の半導体装置の製造方法につい
て、図面を参照しながら説明する。図８（ａ）〜（ｃ）
は従来の半導体装置の製造方法を説明するためのもので
あり、図８（ａ）に示すように、回路素子１および配線
２等が形成されたシリコン基板３の上面に絶縁膜として
酸化珪素膜４が設けられ、さらにその上面に第１の白金
膜５、高誘電体または強誘電体よりなる膜（以下誘電体
膜という）６および第２の白金膜７が順次形成されてい
る。
て、図面を参照しながら説明する。図８（ａ）〜（ｃ）
は従来の半導体装置の製造方法を説明するためのもので
あり、図８（ａ）に示すように、回路素子１および配線
２等が形成されたシリコン基板３の上面に絶縁膜として
酸化珪素膜４が設けられ、さらにその上面に第１の白金
膜５、高誘電体または強誘電体よりなる膜（以下誘電体
膜という）６および第２の白金膜７が順次形成されてい
る。
【０００５】なお、図８（ａ）および図８（ｂ）に示す
ように、製造工程において酸化珪素膜４は回路素子１ま
たは配線２の形状に応じてその表面に凹部８または凸部
９を生じており、その凹凸面上に誘電体膜６がスピンコ
ート法により設けられているため、酸化珪素膜４の凹部
８の部分の誘電体膜６はその膜厚が厚くなり、凸部９の
上面にある誘電体膜６の膜厚は薄くなっている。
ように、製造工程において酸化珪素膜４は回路素子１ま
たは配線２の形状に応じてその表面に凹部８または凸部
９を生じており、その凹凸面上に誘電体膜６がスピンコ
ート法により設けられているため、酸化珪素膜４の凹部
８の部分の誘電体膜６はその膜厚が厚くなり、凸部９の
上面にある誘電体膜６の膜厚は薄くなっている。
【０００６】つぎに図８（ｂ）に示すように、第２の白
金膜７と誘電体膜６が塩素（Ｃｌ2）や臭化水素（ＨＢ
ｒ）をエッチングガスとするドライエッチング法により
エッチングされて上電極７ａ、容量絶縁膜６ａが形成さ
れる。エッチング装置としては、マグネトロンＲＩＥ
（リアクティブ・イオン・エッチング）モードのドライ
エッチング装置が使用される。つぎに同様のエッチング
法を用いて第１の白金膜５をエッチングすることにより
下電極５ａが得られ、容量素子が形成される。つぎに図
に示さない以降の工程において容量素子の保護膜、電極
配線、電極配線上の保護膜が順次形成されて半導体装置
が完成する。
金膜７と誘電体膜６が塩素（Ｃｌ2）や臭化水素（ＨＢ
ｒ）をエッチングガスとするドライエッチング法により
エッチングされて上電極７ａ、容量絶縁膜６ａが形成さ
れる。エッチング装置としては、マグネトロンＲＩＥ
（リアクティブ・イオン・エッチング）モードのドライ
エッチング装置が使用される。つぎに同様のエッチング
法を用いて第１の白金膜５をエッチングすることにより
下電極５ａが得られ、容量素子が形成される。つぎに図
に示さない以降の工程において容量素子の保護膜、電極
配線、電極配線上の保護膜が順次形成されて半導体装置
が完成する。
【０００７】つぎにエッチングガスとして塩素ガスを使
用したときの白金、高誘電体（ＢａＳｒＴｉＯ3、以下
ＢＳＴという）およびレジストのエッチング特性の一例
について説明する。
用したときの白金、高誘電体（ＢａＳｒＴｉＯ3、以下
ＢＳＴという）およびレジストのエッチング特性の一例
について説明する。
【０００８】図９はエッチングガスとして塩素ガスを使
用したときの白金、ＢＳＴ、レジストのエッチング速度
の高周波電力依存性を示すものである。
用したときの白金、ＢＳＴ、レジストのエッチング速度
の高周波電力依存性を示すものである。
【０００９】この図において、横軸は高周波電力、縦軸
は白金、ＢＳＴおよびレジストのエッチング速度をそれ
ぞれ示している。
は白金、ＢＳＴおよびレジストのエッチング速度をそれ
ぞれ示している。
【００１０】エッチング装置としては、マグネトロンＲ
ＩＥ（リアクティティブ イオンエッチング）モードの
ドライエッチング装置を使用した。
ＩＥ（リアクティティブ イオンエッチング）モードの
ドライエッチング装置を使用した。
【００１１】このときのエッチング条件は、塩素ガス流
量２０ｓｃｃｍ、ガス圧力は１Ｐａ、高周波電力は２０
０Ｗから６００Ｗの範囲とし、エッチング中の基板温度
は基板裏面Ｈｅ冷却方式を用いているため２０℃以下と
なっている。
量２０ｓｃｃｍ、ガス圧力は１Ｐａ、高周波電力は２０
０Ｗから６００Ｗの範囲とし、エッチング中の基板温度
は基板裏面Ｈｅ冷却方式を用いているため２０℃以下と
なっている。
【００１２】この図より明らかなように、高周波電力を
２００Ｗから６００Ｗまで上昇するにつれて、白金のエ
ッチング速度は３０ｎｍ／分から１００ｎｍ／分に速く
なり、また、ＢＳＴのエッチング速度は２０ｎｍ／分か
ら７０ｎｍ／分に、レジストのエッチング速度は２００
ｎｍ／分から３５０ｎｍ／分にというようにそれぞれ速
くなっていることが分かる。
２００Ｗから６００Ｗまで上昇するにつれて、白金のエ
ッチング速度は３０ｎｍ／分から１００ｎｍ／分に速く
なり、また、ＢＳＴのエッチング速度は２０ｎｍ／分か
ら７０ｎｍ／分に、レジストのエッチング速度は２００
ｎｍ／分から３５０ｎｍ／分にというようにそれぞれ速
くなっていることが分かる。
【００１３】このときの白金のレジストに対するエッチ
ング速度比（白金／レジスト）は高周波電力を２００Ｗ
から６００Ｗと、高くするにつれて０.１５から０.２９
と上昇している。またＢＳＴのレジストに対するエッチ
ング速度比（ＢＳＴ／レジスト）は０.１０から０.２０
となっているが、いずれの条件においてもレジストのエ
ッチング速度は、白金およびＢＳＴに比べて非常に速
い。
ング速度比（白金／レジスト）は高周波電力を２００Ｗ
から６００Ｗと、高くするにつれて０.１５から０.２９
と上昇している。またＢＳＴのレジストに対するエッチ
ング速度比（ＢＳＴ／レジスト）は０.１０から０.２０
となっているが、いずれの条件においてもレジストのエ
ッチング速度は、白金およびＢＳＴに比べて非常に速
い。
【００１４】高周波電力を６００Ｗ印加した際の条件下
で白金（膜厚２００ｎｍ）とＢＳＴ（膜厚２００ｎｍ）
をエッチングするのに要する時間は４分５２秒である。
このエッチング時間中におけるレジストの膜減り量はレ
ジストのエッチング速度から換算して１７０３ｎｍと非
常に大きい値となる。
で白金（膜厚２００ｎｍ）とＢＳＴ（膜厚２００ｎｍ）
をエッチングするのに要する時間は４分５２秒である。
このエッチング時間中におけるレジストの膜減り量はレ
ジストのエッチング速度から換算して１７０３ｎｍと非
常に大きい値となる。
【００１５】したがって、レジストの膜厚が１７００ｎ
ｍ以下では、白金とＢＳＴのエッチング中にレジストが
すべてエッチングされてしまうこととなる。これを防止
するには厚膜レジスト（約３μｍ以上）の使用が必要で
あった。
ｍ以下では、白金とＢＳＴのエッチング中にレジストが
すべてエッチングされてしまうこととなる。これを防止
するには厚膜レジスト（約３μｍ以上）の使用が必要で
あった。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述のよ
うにエッチングガスとして塩素ガスを使用した場合、白
金およびＢＳＴのエッチング速度に比べて、レジストの
エッチング速度が非常に速いため、必要とする膜厚の白
金およびＢＳＴをエッチングする間にレジスト膜もいち
じるしくエッチングされることとなり、したがって、厚
膜レジストを用いる必要があった。しかしながら、厚膜
レジストを用いると、解像度が悪くなり、微細パターン
形成が非常に困難になる。
うにエッチングガスとして塩素ガスを使用した場合、白
金およびＢＳＴのエッチング速度に比べて、レジストの
エッチング速度が非常に速いため、必要とする膜厚の白
金およびＢＳＴをエッチングする間にレジスト膜もいち
じるしくエッチングされることとなり、したがって、厚
膜レジストを用いる必要があった。しかしながら、厚膜
レジストを用いると、解像度が悪くなり、微細パターン
形成が非常に困難になる。
【００１７】また、酸化珪素膜に対するエッチング速度
は白金膜に対するエッチング速度より約２.５倍も速
く、図８（ｃ）に示すように、下電極５ａを形成すると
きに、その下地である酸化珪素膜４が大きくエッチング
されてしまうという課題を有していた。
は白金膜に対するエッチング速度より約２.５倍も速
く、図８（ｃ）に示すように、下電極５ａを形成すると
きに、その下地である酸化珪素膜４が大きくエッチング
されてしまうという課題を有していた。
【００１８】すなわち、図８（ｂ），（ｃ）に示すよう
に、酸化珪素膜４の凹部８の上面にある第１の白金膜５
の厚い部分を完全にエッチング除去する前に、酸化珪素
膜４の凸部９の上面にある第１の白金膜５の薄い部分を
エッチングしてしまったエッチングガスは、急速にその
下にある酸化珪素膜４をエッチングし、回路素子１のゲ
ート電極１ａや配線２に到達すると、これらをエッチン
グして、トランジスタ等の回路素子１を動作不能として
しまうという課題を有していた。
に、酸化珪素膜４の凹部８の上面にある第１の白金膜５
の厚い部分を完全にエッチング除去する前に、酸化珪素
膜４の凸部９の上面にある第１の白金膜５の薄い部分を
エッチングしてしまったエッチングガスは、急速にその
下にある酸化珪素膜４をエッチングし、回路素子１のゲ
ート電極１ａや配線２に到達すると、これらをエッチン
グして、トランジスタ等の回路素子１を動作不能として
しまうという課題を有していた。
【００１９】またアルゴンガスをエッチングガスとする
イオンミリングでは、第２の白金膜７および誘電体膜６
と酸化珪素膜４よりなるその下地とのエッチング速度比
が低く、そのため上電極用の第２の白金膜７、誘電体膜
６および下電極用の第１の白金膜５で構成された容量素
子のエッチングを第２の白金膜７および誘電体膜６のエ
ッチング工程と、第１の白金膜５のエッチング工程との
２工程で行う場合、第１の白金膜５上でエッチングを停
止することが非常にむずかしいものとなる。
イオンミリングでは、第２の白金膜７および誘電体膜６
と酸化珪素膜４よりなるその下地とのエッチング速度比
が低く、そのため上電極用の第２の白金膜７、誘電体膜
６および下電極用の第１の白金膜５で構成された容量素
子のエッチングを第２の白金膜７および誘電体膜６のエ
ッチング工程と、第１の白金膜５のエッチング工程との
２工程で行う場合、第１の白金膜５上でエッチングを停
止することが非常にむずかしいものとなる。
【００２０】さらにドライエッチングによる白金と強誘
電体のエッチングには、エッチング速度が遅く、そのた
め装置のスループットが低いという課題もあった。
電体のエッチングには、エッチング速度が遅く、そのた
め装置のスループットが低いという課題もあった。
【００２１】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
であり、レジストのエッチング速度を遅くし、白金およ
び誘電体のレジストに対するエッチング速度比を大きく
することにより、また白金と誘電体を速いエッチング速
度で選択的にドライエッチングすることにより得ること
ができる容量素子を備える半導体装置の製造方法を提供
することを目的とする。
であり、レジストのエッチング速度を遅くし、白金およ
び誘電体のレジストに対するエッチング速度比を大きく
することにより、また白金と誘電体を速いエッチング速
度で選択的にドライエッチングすることにより得ること
ができる容量素子を備える半導体装置の製造方法を提供
することを目的とする。
【００２２】さらにこの容量素子の下電極を形成する工
程でオーバーエッチング時間を十分に確保しても下地の
酸化珪素膜はほとんどエッチングされず、したがって回
路素子や配線等が完全に保護され、信頼性に優れた半導
体装置を得ることができる製造方法を提供することを目
的とする。
程でオーバーエッチング時間を十分に確保しても下地の
酸化珪素膜はほとんどエッチングされず、したがって回
路素子や配線等が完全に保護され、信頼性に優れた半導
体装置を得ることができる製造方法を提供することを目
的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、回路素子や配線等が形成された基板上に絶
縁膜、第１の金属膜、誘電体膜および第２の金属膜を形
成し、第２の金属膜および誘電体膜をドライエッチング
して上電極および容量絶縁膜を形成した後、第１の金属
膜をドライエッチングして下電極を形成する工程を有
し、かつ少なくとも第２の金属膜のドライエッチングに
使用するエッチングガスとしてハロゲン化水素と酸素を
含有する混合ガスを用いたものであり、エッチングガス
中のハロゲン化水素と酸素の総量に対する酸素の比率が
１０％〜３５％としたものである。
に本発明は、回路素子や配線等が形成された基板上に絶
縁膜、第１の金属膜、誘電体膜および第２の金属膜を形
成し、第２の金属膜および誘電体膜をドライエッチング
して上電極および容量絶縁膜を形成した後、第１の金属
膜をドライエッチングして下電極を形成する工程を有
し、かつ少なくとも第２の金属膜のドライエッチングに
使用するエッチングガスとしてハロゲン化水素と酸素を
含有する混合ガスを用いたものであり、エッチングガス
中のハロゲン化水素と酸素の総量に対する酸素の比率が
１０％〜３５％としたものである。
【００２４】またハロゲン化水素として臭化水素を使用
するものであり、またクロロホルム等の炭化水素を含む
ガスをエッチングガスとして使用するものである。
するものであり、またクロロホルム等の炭化水素を含む
ガスをエッチングガスとして使用するものである。
【００２５】また本発明は基板上に設けた絶縁膜として
酸化珪素膜を使用し、第１の金属膜および第２の金属膜
として白金膜またはパラジウム膜を使用するものであ
り、第２の金属膜および誘電体膜のドライエッチングを
そのエッチンング速度が速くなるところの５Ｐａを越え
ない低圧力領域で行うものである。
酸化珪素膜を使用し、第１の金属膜および第２の金属膜
として白金膜またはパラジウム膜を使用するものであ
り、第２の金属膜および誘電体膜のドライエッチングを
そのエッチンング速度が速くなるところの５Ｐａを越え
ない低圧力領域で行うものである。
【００２６】さらに本発明は、回路素子や配線等が形成
された基板上に絶縁膜、第１の金属膜、誘電体膜および
第２の金属膜を形成し、第２の金属膜および誘電体膜を
エッチング速度の速い低圧力領域でドライエッチングし
て上電極および容量絶縁膜を形成した後、第１の金属膜
が露出したところでその第１の金属膜上に残った誘電体
膜の未エッチング部分を金属膜のエッチング速度が遅い
高圧力領域で除去したのちマスクパターンを形成し、第
１の金属膜をエッチング速度の速い低圧力領域でドライ
エッチングして下電極を形成するものである。
された基板上に絶縁膜、第１の金属膜、誘電体膜および
第２の金属膜を形成し、第２の金属膜および誘電体膜を
エッチング速度の速い低圧力領域でドライエッチングし
て上電極および容量絶縁膜を形成した後、第１の金属膜
が露出したところでその第１の金属膜上に残った誘電体
膜の未エッチング部分を金属膜のエッチング速度が遅い
高圧力領域で除去したのちマスクパターンを形成し、第
１の金属膜をエッチング速度の速い低圧力領域でドライ
エッチングして下電極を形成するものである。
【００２７】
【作用】したがって本発明によれば、エッチングガスと
してハロゲン化水素と酸素の混合ガスを使用しているた
めに、酸化珪素膜に対するエッチング速度を白金膜やパ
ラジウム膜よりなる第２の金属膜に対するエッチング速
度よりも十分遅くすることができるため、第２の金属膜
の下地の酸化珪素膜の過度なエッチングを防止すること
ができ、酸化珪素膜の下部に設けられている回路素子や
配線へのダメージをなくすことが可能となり、したがっ
て信頼性に優れた半導体装置を歩留まり良く製造するこ
とができる。また白金と強誘電体のエッチング速度を制
御することによって装置のスループットを向上すること
ができる。
してハロゲン化水素と酸素の混合ガスを使用しているた
めに、酸化珪素膜に対するエッチング速度を白金膜やパ
ラジウム膜よりなる第２の金属膜に対するエッチング速
度よりも十分遅くすることができるため、第２の金属膜
の下地の酸化珪素膜の過度なエッチングを防止すること
ができ、酸化珪素膜の下部に設けられている回路素子や
配線へのダメージをなくすことが可能となり、したがっ
て信頼性に優れた半導体装置を歩留まり良く製造するこ
とができる。また白金と強誘電体のエッチング速度を制
御することによって装置のスループットを向上すること
ができる。
【００２８】さらにレジストに対するエッチング速度を
遅くし、白金および誘電体のレジストに対するエッチン
グ速度比を大きくすることができる。したがって従来の
厚膜レジスト（約３μｍ以上）の代わりに、通常のレジ
スト膜厚（一般的に約１.２μｍから約２.０μｍ）のマ
スク材料を用いて白金および誘電体のエッチングをする
ことが可能となる。
遅くし、白金および誘電体のレジストに対するエッチン
グ速度比を大きくすることができる。したがって従来の
厚膜レジスト（約３μｍ以上）の代わりに、通常のレジ
スト膜厚（一般的に約１.２μｍから約２.０μｍ）のマ
スク材料を用いて白金および誘電体のエッチングをする
ことが可能となる。
【００２９】
【実施例】以下本発明の第１の実施例について、図１、
図２とともに図８と同一部分には同一符号を付して説明
を省略し、相違する点について説明する。
図２とともに図８と同一部分には同一符号を付して説明
を省略し、相違する点について説明する。
【００３０】図１（ａ）〜（ｄ）および図２（ａ）〜
（ｃ）は本発明の第１の実施例における半導体装置の製
造方法を示す工程断面図であり、本図では図８に示す回
路素子１および配線２は省略し、容量素子の部分につい
てのみ説明する。
（ｃ）は本発明の第１の実施例における半導体装置の製
造方法を示す工程断面図であり、本図では図８に示す回
路素子１および配線２は省略し、容量素子の部分につい
てのみ説明する。
【００３１】まず、図１（ａ）に示すように、シリコン
等よりなる基板３の上面に酸化珪素膜等の絶縁膜４を設
け、さらにその上面に第１の白金膜５を２００ｎｍの厚
さで設け、その上に高誘電体または強誘電体などよりな
る誘電体膜６を２００ｎｍの厚さで、さらにその上に第
２の白金膜７を２００ｎｍの厚さで形成する。なお、誘
電体膜６はスピンコート法で形成した。つぎに第２の白
金膜７上に設けた第１のレジスト膜１０を介して第２の
白金膜７および誘電体膜６をドライエッチング法により
エッチングして上電極７ａ、容量絶縁膜６ａを形成する
ことにより、図１（ｂ）に示すような形状に加工され
る。つぎに図１（ｃ）に示すように、この上電極７ａ、
容量絶縁膜６ａおよび第１の白金膜５の一部を第２のレ
ジスト膜１１により被覆して臭化水素と酸素との混合ガ
スを用いて第１の白金膜５をエッチングし、図１（ｄ）
に示すように下電極５ａを形成する。
等よりなる基板３の上面に酸化珪素膜等の絶縁膜４を設
け、さらにその上面に第１の白金膜５を２００ｎｍの厚
さで設け、その上に高誘電体または強誘電体などよりな
る誘電体膜６を２００ｎｍの厚さで、さらにその上に第
２の白金膜７を２００ｎｍの厚さで形成する。なお、誘
電体膜６はスピンコート法で形成した。つぎに第２の白
金膜７上に設けた第１のレジスト膜１０を介して第２の
白金膜７および誘電体膜６をドライエッチング法により
エッチングして上電極７ａ、容量絶縁膜６ａを形成する
ことにより、図１（ｂ）に示すような形状に加工され
る。つぎに図１（ｃ）に示すように、この上電極７ａ、
容量絶縁膜６ａおよび第１の白金膜５の一部を第２のレ
ジスト膜１１により被覆して臭化水素と酸素との混合ガ
スを用いて第１の白金膜５をエッチングし、図１（ｄ）
に示すように下電極５ａを形成する。
【００３２】つぎに図２（ａ）に示すように層間絶縁膜
１２を全面に塗布した後、下電極５ａの上部と上電極７
ａの上部の層間絶縁膜１２にそれぞれコンタクトホール
１３ａ，１３ｂを開口し（図２（ｂ））、これらのコン
タクトホール１３ａ，１３ｂを介してそれぞれ下電極５
ａまたは上電極７ａと接続する電極配線１４ａ，１４ｂ
を形成して容量素子が完成する（図２（ｃ））。
１２を全面に塗布した後、下電極５ａの上部と上電極７
ａの上部の層間絶縁膜１２にそれぞれコンタクトホール
１３ａ，１３ｂを開口し（図２（ｂ））、これらのコン
タクトホール１３ａ，１３ｂを介してそれぞれ下電極５
ａまたは上電極７ａと接続する電極配線１４ａ，１４ｂ
を形成して容量素子が完成する（図２（ｃ））。
【００３３】つぎに、酸化珪素膜４と白金膜５，７をド
ライエッチングする工程において、エッチングガスとし
て臭化水素と酸素との混合ガスを使用する場合について
説明する。
ライエッチングする工程において、エッチングガスとし
て臭化水素と酸素との混合ガスを使用する場合について
説明する。
【００３４】図３は臭化水素と酸素との混合ガスを使用
したときの白金および酸化珪素の被エッチング速度を示
す。図において、左側縦軸は白金および酸化珪素の被エ
ッチング速度、右側縦軸は白金と酸化珪素とのエッチン
グ選択比（白金のエッチング速度／酸化珪素のエッチン
グ速度）、横軸は臭化水素と酸素よりなるエッチングガ
ス総流量に占める酸素流量の割合を示している。なお、
エッチング装置としてはマグネトロンＲＩＥ（リアクテ
ィブ・イオン・エッチング）モードのドライエッチング
装置を使用し、エッチング時の高周波電力は４００Ｗ、
圧力は１.３３Ｐａである。
したときの白金および酸化珪素の被エッチング速度を示
す。図において、左側縦軸は白金および酸化珪素の被エ
ッチング速度、右側縦軸は白金と酸化珪素とのエッチン
グ選択比（白金のエッチング速度／酸化珪素のエッチン
グ速度）、横軸は臭化水素と酸素よりなるエッチングガ
ス総流量に占める酸素流量の割合を示している。なお、
エッチング装置としてはマグネトロンＲＩＥ（リアクテ
ィブ・イオン・エッチング）モードのドライエッチング
装置を使用し、エッチング時の高周波電力は４００Ｗ、
圧力は１.３３Ｐａである。
【００３５】図３に示すように、臭化水素のみをエッチ
ングガスとして使用した場合の酸化珪素に対するエッチ
ング速度は８０ｎｍ／分となり、クロロホルムをエッチ
ングガスとして使用する場合に比べて約１／２に減少し
ており、かつ白金に対するエッチング速度（９０ｎｍ／
分）とほぼ同じレベルとなっている。すなわち白金と酸
化珪素とのエッチング選択比は約１まで改善される。
ングガスとして使用した場合の酸化珪素に対するエッチ
ング速度は８０ｎｍ／分となり、クロロホルムをエッチ
ングガスとして使用する場合に比べて約１／２に減少し
ており、かつ白金に対するエッチング速度（９０ｎｍ／
分）とほぼ同じレベルとなっている。すなわち白金と酸
化珪素とのエッチング選択比は約１まで改善される。
【００３６】さらにエッチングガスの総流量に対して約
３０％の酸素を臭化水素に混合させると、臭化水素のみ
の場合に比べて白金に対するエッチング速度にほとんど
変化はないが、酸化珪素に対するエッチング速度は約１
／３に減少する。すなわち白金と酸化珪素とのエッチン
グ選択比は３以上に改善される。なお、実用上は選択比
が１.５以上あれば安定した工程維持ができるため、エ
ッチングガスの総流量に対する酸素の量は１０％〜３５
％の範囲から選択してよい。
３０％の酸素を臭化水素に混合させると、臭化水素のみ
の場合に比べて白金に対するエッチング速度にほとんど
変化はないが、酸化珪素に対するエッチング速度は約１
／３に減少する。すなわち白金と酸化珪素とのエッチン
グ選択比は３以上に改善される。なお、実用上は選択比
が１.５以上あれば安定した工程維持ができるため、エ
ッチングガスの総流量に対する酸素の量は１０％〜３５
％の範囲から選択してよい。
【００３７】したがって、白金を臭化水素と酸素との混
合ガスを用いてドライエッチングすることにより、酸化
珪素が臭素および酸素と反応して不揮発性化合物を生
じ、酸化珪素膜４上に堆積されて酸化珪素膜４に対する
エッチング速度を低下させ、第１の白金膜５のみを選択
的にエッチングすることができる。すなわち、第１の白
金膜５を完全にエッチング除去しても酸化珪素膜４は従
来のように大きくエッチングされることがなく、酸化珪
素膜４の下部に設けられている回路素子や配線へのダメ
ージをなくすことが可能となる。
合ガスを用いてドライエッチングすることにより、酸化
珪素が臭素および酸素と反応して不揮発性化合物を生
じ、酸化珪素膜４上に堆積されて酸化珪素膜４に対する
エッチング速度を低下させ、第１の白金膜５のみを選択
的にエッチングすることができる。すなわち、第１の白
金膜５を完全にエッチング除去しても酸化珪素膜４は従
来のように大きくエッチングされることがなく、酸化珪
素膜４の下部に設けられている回路素子や配線へのダメ
ージをなくすことが可能となる。
【００３８】なお、本実施例では上電極７ａおよび下電
極５ａとして白金膜を用いた場合について説明したが、
パラジウム等の反応性が少ない金属を使用しても同様の
効果を得ることができる。
極５ａとして白金膜を用いた場合について説明したが、
パラジウム等の反応性が少ない金属を使用しても同様の
効果を得ることができる。
【００３９】さらに臭化水素に混合するガスとして酸素
ガスを用いたが、酸素を含む化合物ガスを用いることも
可能である。
ガスを用いたが、酸素を含む化合物ガスを用いることも
可能である。
【００４０】このように本実施例によれば、白金等より
なる下電極５ａの形成時にエッチングガスとして臭化水
素等のハロゲン化水素と酸素との混合ガスを使用してい
るために、白金等の第１の金属膜５のみを選択的にエッ
チング除去し、酸化珪素膜４のエッチングが抑制され、
酸化珪素等の絶縁膜４の下部に設けられている回路素子
や配線等が損傷されることがない。
なる下電極５ａの形成時にエッチングガスとして臭化水
素等のハロゲン化水素と酸素との混合ガスを使用してい
るために、白金等の第１の金属膜５のみを選択的にエッ
チング除去し、酸化珪素膜４のエッチングが抑制され、
酸化珪素等の絶縁膜４の下部に設けられている回路素子
や配線等が損傷されることがない。
【００４１】つぎに本発明の第２の実施例について説明
する。本実施例における半導体装置の製造方法は図１お
よび図２に示した第１の実施例の場合と同様であり、第
１の実施例と相違する点は白金および誘電体のエッチン
グガスとしてクロロホルムを使用する点である。
する。本実施例における半導体装置の製造方法は図１お
よび図２に示した第１の実施例の場合と同様であり、第
１の実施例と相違する点は白金および誘電体のエッチン
グガスとしてクロロホルムを使用する点である。
【００４２】以下、本実施例における白金および誘電体
のドライエッチングにおいてエッチングガスとしてクロ
ロホルム（ＣＨＣｌ3）を使用する場合について説明す
る。
のドライエッチングにおいてエッチングガスとしてクロ
ロホルム（ＣＨＣｌ3）を使用する場合について説明す
る。
【００４３】図４はエッチングガスとして、クロロホル
ム（ＣＨＣｌ3）を使用したときの白金、ＢＳＴおよび
レジストに関するエッチング速度の高周波電力依存性を
示すものである。図４において、横軸は高周波電力、縦
軸は白金、ＢＳＴ、レジストのそれぞれエッチング速度
を示している。
ム（ＣＨＣｌ3）を使用したときの白金、ＢＳＴおよび
レジストに関するエッチング速度の高周波電力依存性を
示すものである。図４において、横軸は高周波電力、縦
軸は白金、ＢＳＴ、レジストのそれぞれエッチング速度
を示している。
【００４４】エッチング装置としては、マグネトロンＲ
ＩＥ（リアクティティブ イオンエッチング）モードの
ドライエッチング装置を使用した。
ＩＥ（リアクティティブ イオンエッチング）モードの
ドライエッチング装置を使用した。
【００４５】このときのエッチング条件は、クロロホル
ム（ＣＨＣｌ3）流量２０ｓｃｃｍ、ガス圧力は１Ｐ
ａ、高周波電力は２００Ｗから６００Ｗの範囲である。
ム（ＣＨＣｌ3）流量２０ｓｃｃｍ、ガス圧力は１Ｐ
ａ、高周波電力は２００Ｗから６００Ｗの範囲である。
【００４６】図４に示すように、高周波電力が２００Ｗ
から６００Ｗへと上昇するにつれて白金のエッチング速
度が１０ｎｍ／分から７０ｎｍ／分に速くなることがわ
かる。ＢＳＴのエッチング速度は１５ｎｍ／分から７５
ｎｍ／分に、レジストのエッチング速度は４０ｎｍ／分
から８０ｎｍ／分にそれぞれ速くなっている。
から６００Ｗへと上昇するにつれて白金のエッチング速
度が１０ｎｍ／分から７０ｎｍ／分に速くなることがわ
かる。ＢＳＴのエッチング速度は１５ｎｍ／分から７５
ｎｍ／分に、レジストのエッチング速度は４０ｎｍ／分
から８０ｎｍ／分にそれぞれ速くなっている。
【００４７】このときの白金のレジストに対するエッチ
ング速度比（白金／レジスト）は、高周波電力を２００
Ｗから６００Ｗに高くするにつれて０.２５から０.８８
と大きくなる。ＢＳＴのレジストに対するエッチング速
度比（ＢＳＴ／レジスト）は０.３８から０.９４と大き
くなる。
ング速度比（白金／レジスト）は、高周波電力を２００
Ｗから６００Ｗに高くするにつれて０.２５から０.８８
と大きくなる。ＢＳＴのレジストに対するエッチング速
度比（ＢＳＴ／レジスト）は０.３８から０.９４と大き
くなる。
【００４８】白金（膜厚２００ｎｍ）とＢＳＴ（膜厚２
００ｎｍ）をエッチングするのに要する時間は、高周波
電力６００Ｗ負荷の条件下で５分３２秒である。このエ
ッチング時間におけるレジストの膜減り量はレジストの
エッチング速度換算から４４３ｎｍとなり、従来のレジ
ストの膜減り量１７０３ｎｍに比較していちじるしく改
善されていることがわかる。
００ｎｍ）をエッチングするのに要する時間は、高周波
電力６００Ｗ負荷の条件下で５分３２秒である。このエ
ッチング時間におけるレジストの膜減り量はレジストの
エッチング速度換算から４４３ｎｍとなり、従来のレジ
ストの膜減り量１７０３ｎｍに比較していちじるしく改
善されていることがわかる。
【００４９】以上のように本実施例によれば、白金、Ｂ
ＳＴのエッチングにエッチングガスとしてクロロホルム
（ＣＨＣｌ3）を使用することにより、レジストのエッ
チング速度を遅くし、白金およびＢＳＴのレジストとの
エッチング速度比を大きくすることができる。このこと
によって、従来、マスク材料として厚膜レジスト（約３
μｍ以上）を使用していたが、通常のレジスト膜厚（一
般的に約１.２μｍから約２.０μｍ）で、白金およびＢ
ＳＴのエッチングが可能となる。
ＳＴのエッチングにエッチングガスとしてクロロホルム
（ＣＨＣｌ3）を使用することにより、レジストのエッ
チング速度を遅くし、白金およびＢＳＴのレジストとの
エッチング速度比を大きくすることができる。このこと
によって、従来、マスク材料として厚膜レジスト（約３
μｍ以上）を使用していたが、通常のレジスト膜厚（一
般的に約１.２μｍから約２.０μｍ）で、白金およびＢ
ＳＴのエッチングが可能となる。
【００５０】したがって、レジストの解像度を劣化させ
ることなく、加工精度のよい微細パターンの形成が可能
となる。
ることなく、加工精度のよい微細パターンの形成が可能
となる。
【００５１】塩素ガスを用いた場合、レジストの構成元
素である炭素（Ｃ）および水素（Ｈ）が塩素ガスと反応
し、ＣＣｌ4、ＨＣｌが生成、離脱、排気されることで
エッチングが進むと考えられ、したがってレジストのエ
ッチング速度が速くなる。
素である炭素（Ｃ）および水素（Ｈ）が塩素ガスと反応
し、ＣＣｌ4、ＨＣｌが生成、離脱、排気されることで
エッチングが進むと考えられ、したがってレジストのエ
ッチング速度が速くなる。
【００５２】一方、クロロホルムガスを用いた場合、ガ
ス中にＣ、Ｈが含まれているため、レジスト中の炭素お
よび水素との反応性が低いか、またはエッチング中にＣ
Ｈからなる膜が重合され、レジスト上に堆積されながら
エッチングが進行するため、エッチング速度が遅くなる
と考えられる。
ス中にＣ、Ｈが含まれているため、レジスト中の炭素お
よび水素との反応性が低いか、またはエッチング中にＣ
Ｈからなる膜が重合され、レジスト上に堆積されながら
エッチングが進行するため、エッチング速度が遅くなる
と考えられる。
【００５３】本実施例では、エッチングガスとしてクロ
ロホルム（ＣＨＣｌ3）単体を使用した例について述べ
たが、クロロホルム以外の炭化水素を含むガスを用いて
も同様の効果を得ることができる。
ロホルム（ＣＨＣｌ3）単体を使用した例について述べ
たが、クロロホルム以外の炭化水素を含むガスを用いて
も同様の効果を得ることができる。
【００５４】また塩素ガスとクロロホルムの混合ガス、
臭化水素とクロロホルムの混合ガスについても同様の効
果が得られる。
臭化水素とクロロホルムの混合ガスについても同様の効
果が得られる。
【００５５】つぎに本発明の第３の実施例について図
５、図６および図７を用いて説明する。図５は本実施例
においてエッチングガスとして塩素ガスとクロロホルム
の混合ガスを使用したときの白金のエッチング速度のガ
ス圧力依存性を示すものであり、同図において横軸はガ
ス圧力、縦軸は白金のエッチング速度を示している。
５、図６および図７を用いて説明する。図５は本実施例
においてエッチングガスとして塩素ガスとクロロホルム
の混合ガスを使用したときの白金のエッチング速度のガ
ス圧力依存性を示すものであり、同図において横軸はガ
ス圧力、縦軸は白金のエッチング速度を示している。
【００５６】エッチング装置としては、マグネトロンＲ
ＩＥ（リアクティティブ・イオン・エッチング）モード
のドライエッチング装置を使用した。
ＩＥ（リアクティティブ・イオン・エッチング）モード
のドライエッチング装置を使用した。
【００５７】このときのエッチング条件は、エッチング
ガス流量が２０ｓｃｃｍ、高周波電力が６００Ｗであ
る。エッチング中の基板の温度は、基板裏面ヘリウム
（Ｈｅ）冷却方式を用いているため、２０℃以下であ
る。
ガス流量が２０ｓｃｃｍ、高周波電力が６００Ｗであ
る。エッチング中の基板の温度は、基板裏面ヘリウム
（Ｈｅ）冷却方式を用いているため、２０℃以下であ
る。
【００５８】この図から明らかなように、白金のエッチ
ング速度はガス圧力が５Ｐａから１Ｐａへと低くなるに
従って３０ｎｍ／分から１００ｎｍ／分へと急激に速く
なる。一方、ガス圧力が５Ｐａから５０Ｐａへと高くな
るに従って、そのエッチング速度が３０ｎｍ／分以下か
ら５ｎｍ／分へと遅くなる。
ング速度はガス圧力が５Ｐａから１Ｐａへと低くなるに
従って３０ｎｍ／分から１００ｎｍ／分へと急激に速く
なる。一方、ガス圧力が５Ｐａから５０Ｐａへと高くな
るに従って、そのエッチング速度が３０ｎｍ／分以下か
ら５ｎｍ／分へと遅くなる。
【００５９】以下、白金のエッチング速度のガス圧力領
域による違いについて説明する。白金のドライエッチン
グでは１〜５Ｐａの低圧力領域では物理的なスパッタエ
ッチングが強くなり、圧力が低くなるにつれて急激にエ
ッチング速度が速くなる。また、５〜５０Ｐａの高圧力
領域では、物理的なスパッタエッチングが弱く、エッチ
ングガスと白金との化学的なエッチングが進行している
と考えられるが、そのエッチング速度は非常に遅い。
域による違いについて説明する。白金のドライエッチン
グでは１〜５Ｐａの低圧力領域では物理的なスパッタエ
ッチングが強くなり、圧力が低くなるにつれて急激にエ
ッチング速度が速くなる。また、５〜５０Ｐａの高圧力
領域では、物理的なスパッタエッチングが弱く、エッチ
ングガスと白金との化学的なエッチングが進行している
と考えられるが、そのエッチング速度は非常に遅い。
【００６０】このように本実施例によれば、白金のエッ
チングにおいて、エッチング中の圧力を１Ｐａから５Ｐ
ａの低圧力領域で行うことにより白金のエッチング速度
を急激に速くすることができる。
チングにおいて、エッチング中の圧力を１Ｐａから５Ｐ
ａの低圧力領域で行うことにより白金のエッチング速度
を急激に速くすることができる。
【００６１】つぎに図６は、エッチングガスとして塩素
ガスとクロロホルムの混合ガスを使用したときの、誘電
体のエッチング速度のガス圧力依存性を示すものであ
り、同図において横軸はガス圧力で、縦軸は誘電体のエ
ッチング速度を示している。
ガスとクロロホルムの混合ガスを使用したときの、誘電
体のエッチング速度のガス圧力依存性を示すものであ
り、同図において横軸はガス圧力で、縦軸は誘電体のエ
ッチング速度を示している。
【００６２】本実施例では誘電体としてＢａＳｒＴｉＯ
3（ＢＳＴ）を用いた例について説明する。エッチング
装置としてはマグネトロンＲＩＥモードのドライエッチ
ング装置を使用した。このときのエッチング条件は、エ
ッチングガス流量が２０ｓｃｃｍ、高周波電力が６００
Ｗである。エッチング中の基板温度は、基板裏面Ｈｅ冷
却方式を用いているため、２０℃以下である。
3（ＢＳＴ）を用いた例について説明する。エッチング
装置としてはマグネトロンＲＩＥモードのドライエッチ
ング装置を使用した。このときのエッチング条件は、エ
ッチングガス流量が２０ｓｃｃｍ、高周波電力が６００
Ｗである。エッチング中の基板温度は、基板裏面Ｈｅ冷
却方式を用いているため、２０℃以下である。
【００６３】図から明らかなように、誘電体のエッチン
グ速度はガス圧力が５Ｐａから１Ｐａへと低くなるに従
って３０ｎｍ／分から６０ｎｍ／分へと速くなる。一
方、ガス圧力が５Ｐａから５０Ｐａへと高くなるに従っ
て、そのエッチング速度は３０ｎｍ／分から１５ｎｍ／
分へと徐々に遅くなる。
グ速度はガス圧力が５Ｐａから１Ｐａへと低くなるに従
って３０ｎｍ／分から６０ｎｍ／分へと速くなる。一
方、ガス圧力が５Ｐａから５０Ｐａへと高くなるに従っ
て、そのエッチング速度は３０ｎｍ／分から１５ｎｍ／
分へと徐々に遅くなる。
【００６４】つぎに誘電体のエッチング速度のガス圧力
領域による違いについて説明する。誘電体のドライエッ
チングでは１〜５Ｐａの低圧力領域では物理的なスパッ
タエッチングが強くなり、圧力が低くなるにつれて急激
にエッチング速度が速くなる。また５〜５０Ｐａの高圧
力領域では、物理的なスパッタエッチングは弱くなり、
エッチングガスと誘電体との化学的なエッチングが進行
していると考えられる。
領域による違いについて説明する。誘電体のドライエッ
チングでは１〜５Ｐａの低圧力領域では物理的なスパッ
タエッチングが強くなり、圧力が低くなるにつれて急激
にエッチング速度が速くなる。また５〜５０Ｐａの高圧
力領域では、物理的なスパッタエッチングは弱くなり、
エッチングガスと誘電体との化学的なエッチングが進行
していると考えられる。
【００６５】図７に誘電体エッチング中の発光強度のガ
ス圧力依存性を示す。このときのエッチング条件は図６
で示したエッチング条件と同様である。図において横軸
はガス圧力、縦軸は発光強度を示している。
ス圧力依存性を示す。このときのエッチング条件は図６
で示したエッチング条件と同様である。図において横軸
はガス圧力、縦軸は発光強度を示している。
【００６６】エッチング中の発光は波長３９６.１ｎｍ
のＳｒＣｌの発光と波長４１９.２ｎｍのＴｉＣｌの発
光が観察された。
のＳｒＣｌの発光と波長４１９.２ｎｍのＴｉＣｌの発
光が観察された。
【００６７】エッチング中の発光強度はＳｒＣｌの発光
強度がガス圧力に関係なく０.５で一定であり、ＴｉＣ
ｌの発光強度もガス圧力に依存せず０.６で一定であ
る。
強度がガス圧力に関係なく０.５で一定であり、ＴｉＣ
ｌの発光強度もガス圧力に依存せず０.６で一定であ
る。
【００６８】このことから、誘電体のエッチングメカニ
ズムは、エッチング速度がほぼ一定の５〜５０Ｐａの高
圧力領域では化学的エッチングによるものであることが
わかる。またエッチング速度が急激に速くなる１〜５Ｐ
ａの低圧力領域では図７に示す発光強度が高圧力領域と
変わらないために、化学的な反応性エッチングに物理的
なスパッタエッチングによる効果が加わったものである
といえる。したがって、この効果分だけ低圧力領域では
エッチング速度が速くなる。
ズムは、エッチング速度がほぼ一定の５〜５０Ｐａの高
圧力領域では化学的エッチングによるものであることが
わかる。またエッチング速度が急激に速くなる１〜５Ｐ
ａの低圧力領域では図７に示す発光強度が高圧力領域と
変わらないために、化学的な反応性エッチングに物理的
なスパッタエッチングによる効果が加わったものである
といえる。したがって、この効果分だけ低圧力領域では
エッチング速度が速くなる。
【００６９】このことから１〜５Ｐａの低圧力領域で条
件設定することにより、エッチング速度を速くすること
ができ、装置のスループットを向上することが可能とな
る。
件設定することにより、エッチング速度を速くすること
ができ、装置のスループットを向上することが可能とな
る。
【００７０】このように本実施例によれば、誘電体をエ
ッチングする場合、１〜５Ｐａの低圧力領域で誘電体の
エッチング速度を急激に速くすることができ、また５〜
５０Ｐａの高圧力領域において化学的なエッチングを行
うことができる。
ッチングする場合、１〜５Ｐａの低圧力領域で誘電体の
エッチング速度を急激に速くすることができ、また５〜
５０Ｐａの高圧力領域において化学的なエッチングを行
うことができる。
【００７１】つぎに本発明の第４の実施例について説明
する。本実施例の半導体装置の製造方法における工程は
図１に示すものと同様であるため、以下製造方法の条件
と手段について説明する。
する。本実施例の半導体装置の製造方法における工程は
図１に示すものと同様であるため、以下製造方法の条件
と手段について説明する。
【００７２】シリコン等の基板上に形成した絶縁膜４上
に、まず下電極用の第１の白金膜５を２００ｎｍの厚さ
に堆積し、この第１の白金膜５上に誘電体膜６を１８０
ｎｍの厚さに堆積したのち、この誘電体膜６上に上電極
用の第２の白金膜７を２００ｎｍの厚さに形成する。
に、まず下電極用の第１の白金膜５を２００ｎｍの厚さ
に堆積し、この第１の白金膜５上に誘電体膜６を１８０
ｎｍの厚さに堆積したのち、この誘電体膜６上に上電極
用の第２の白金膜７を２００ｎｍの厚さに形成する。
【００７３】つぎに第２の白金膜７上に第１のレジスト
膜１０を形成し、第２の白金膜７と誘電体膜６のエッチ
ングをし、第１の白金膜５が露出した時点でエッチング
を停止する。このとき誘電体膜６とその下にある第１の
白金膜５とのエッチング速度比が高いことが必要とな
る。つぎに下電極５ａを形成するための第２のレジスト
１１を形成し、第１の白金膜５のエッチングをする。こ
の工程において第２の白金膜７および第１の白金膜５の
２箇所で層間絶縁膜１２を介してその上層に設けられる
電極配線１４ａ，１４ｂとコンタクトをとるため、第１
の白金膜５の面積を広くする必要がある。
膜１０を形成し、第２の白金膜７と誘電体膜６のエッチ
ングをし、第１の白金膜５が露出した時点でエッチング
を停止する。このとき誘電体膜６とその下にある第１の
白金膜５とのエッチング速度比が高いことが必要とな
る。つぎに下電極５ａを形成するための第２のレジスト
１１を形成し、第１の白金膜５のエッチングをする。こ
の工程において第２の白金膜７および第１の白金膜５の
２箇所で層間絶縁膜１２を介してその上層に設けられる
電極配線１４ａ，１４ｂとコンタクトをとるため、第１
の白金膜５の面積を広くする必要がある。
【００７４】したがって、第２の白金膜７および誘電体
膜６をエッチングする工程では、最初、第２の白金膜７
については、白金のエッチング速度が速くなる低圧力領
域でエッチングをする。このときのエッチング条件はエ
ッチングガスの流量が２０ｓｃｃｍ、ガス圧力が１Ｐ
ａ、高周波電力が６００Ｗ、エッチング時間が２分であ
る。つぎに誘電体膜６のエッチングを最初エッチング速
度が速くなる低圧力領域で行う。このときのエッチング
条件はエッチングガスの流量が２０ｓｃｃｍ、ガス圧力
が１Ｐａ、高周波電力が６００Ｗ、エッチング時間が３
分である。つぎに第１の白金膜５が露出したところで、
その白金膜５の上面にエッチングされずに残っている誘
電体膜６を白金膜５がエッチングされない高圧力領域に
おいて化学的なエッチングによってエッチング除去す
る。
膜６をエッチングする工程では、最初、第２の白金膜７
については、白金のエッチング速度が速くなる低圧力領
域でエッチングをする。このときのエッチング条件はエ
ッチングガスの流量が２０ｓｃｃｍ、ガス圧力が１Ｐ
ａ、高周波電力が６００Ｗ、エッチング時間が２分であ
る。つぎに誘電体膜６のエッチングを最初エッチング速
度が速くなる低圧力領域で行う。このときのエッチング
条件はエッチングガスの流量が２０ｓｃｃｍ、ガス圧力
が１Ｐａ、高周波電力が６００Ｗ、エッチング時間が３
分である。つぎに第１の白金膜５が露出したところで、
その白金膜５の上面にエッチングされずに残っている誘
電体膜６を白金膜５がエッチングされない高圧力領域に
おいて化学的なエッチングによってエッチング除去す
る。
【００７５】このときのエッチング条件は、エッチング
ガスの流量を２０ｓｃｃｍ、ガス圧力を５０Ｐａ、高周
波電力を６００Ｗ、エッチング時間を１分とした。
ガスの流量を２０ｓｃｃｍ、ガス圧力を５０Ｐａ、高周
波電力を６００Ｗ、エッチング時間を１分とした。
【００７６】本実施例において、誘電体と白金とのエッ
チング速度比は、ガス圧力１Ｐａから５０Ｐａへと高く
なるに従って、０.６から３へと高くなる。
チング速度比は、ガス圧力１Ｐａから５０Ｐａへと高く
なるに従って、０.６から３へと高くなる。
【００７７】このようにエッチングガスの圧力領域を変
えることにより、白金と誘電体の選択的なエッチングが
可能となる。
えることにより、白金と誘電体の選択的なエッチングが
可能となる。
【００７８】つぎに第１の白金膜５をエッチングする工
程では、白金のエッチング速度が速い低圧力領域でエッ
チングをする。このときのエッチング条件は、エッチン
グガスの流量を２０ｓｃｃｍ、ガス圧力を１Ｐａ、高周
波電力を６００Ｗ、エッチン時間を２分とした。
程では、白金のエッチング速度が速い低圧力領域でエッ
チングをする。このときのエッチング条件は、エッチン
グガスの流量を２０ｓｃｃｍ、ガス圧力を１Ｐａ、高周
波電力を６００Ｗ、エッチン時間を２分とした。
【００７９】なお、上記第３、第４の実施例においては
エッチングガスとして塩素ガスとクロロホルムの混合ガ
スを用いた例について説明したが、エッチングガスとし
て塩素ガスを単体で使用した場合でも、ドライエッチン
グの過程において圧力領域を上記第３、第４の実施例と
同様に制御することにより同等の効果を得ることは可能
である。
エッチングガスとして塩素ガスとクロロホルムの混合ガ
スを用いた例について説明したが、エッチングガスとし
て塩素ガスを単体で使用した場合でも、ドライエッチン
グの過程において圧力領域を上記第３、第４の実施例と
同様に制御することにより同等の効果を得ることは可能
である。
【００８０】このように本実施例によれば、エッチング
ガスの圧力領域を制御することにより、必要とする白金
と誘電体のエッチング速度を得ることができ、また必要
とする白金と誘電体のエッチング速度比を得ることも可
能である。
ガスの圧力領域を制御することにより、必要とする白金
と誘電体のエッチング速度を得ることができ、また必要
とする白金と誘電体のエッチング速度比を得ることも可
能である。
【００８１】このことにより、上電極用の第２の白金膜
７、誘電体６および下電極用の第１の白金膜５より構成
される容量素子を精度よく、かつ容易に形成することが
できる。
７、誘電体６および下電極用の第１の白金膜５より構成
される容量素子を精度よく、かつ容易に形成することが
できる。
【００８２】
【発明の効果】本発明は、回路素子や配線等が形成され
た基板上に絶縁膜、第１の金属膜、誘電体膜および第２
の金属膜を形成し、前記第２の金属膜および誘電体膜を
ドライエッチングして上電極および容量絶縁膜を形成し
た後、第１の金属膜をドライエッチングして下電極を形
成する工程を有し、かつ少なくとも第２の金属膜をハロ
ゲン化水素と酸素を含有する混合ガスを用いてドライエ
ッチングして下電極を形成することにより、酸化珪素よ
りなる絶縁膜のエッチング速度を低下させることがで
き、絶縁膜の下に形成されている回路素子や配線に悪影
響を与えることなく、したがってきわめて信頼性に優れ
た半導体装置を製造することができる。
た基板上に絶縁膜、第１の金属膜、誘電体膜および第２
の金属膜を形成し、前記第２の金属膜および誘電体膜を
ドライエッチングして上電極および容量絶縁膜を形成し
た後、第１の金属膜をドライエッチングして下電極を形
成する工程を有し、かつ少なくとも第２の金属膜をハロ
ゲン化水素と酸素を含有する混合ガスを用いてドライエ
ッチングして下電極を形成することにより、酸化珪素よ
りなる絶縁膜のエッチング速度を低下させることがで
き、絶縁膜の下に形成されている回路素子や配線に悪影
響を与えることなく、したがってきわめて信頼性に優れ
た半導体装置を製造することができる。
【００８３】また金属膜、誘電体膜のエッチングガスと
してクロロホルム（ＣＨＣｌ3）を使用することで、レ
ジストのエッチング速度を遅くすることができ、かつ金
属膜および誘電体膜のエッチング速度を速くすることが
できる。そのため厚膜レジスト（約３μｍ以上）を必要
とせず、通常のレジスト膜厚（約１.２μｍ〜約２μ
ｍ）で金属膜および誘電体膜のエッチングが可能とな
る。
してクロロホルム（ＣＨＣｌ3）を使用することで、レ
ジストのエッチング速度を遅くすることができ、かつ金
属膜および誘電体膜のエッチング速度を速くすることが
できる。そのため厚膜レジスト（約３μｍ以上）を必要
とせず、通常のレジスト膜厚（約１.２μｍ〜約２μ
ｍ）で金属膜および誘電体膜のエッチングが可能とな
る。
【００８４】したがって、レジストの解像度の劣化を防
止することができ、加工精度のよい微細パターンの形成
が可能となる半導体装置の製造方法を実現できる。
止することができ、加工精度のよい微細パターンの形成
が可能となる半導体装置の製造方法を実現できる。
【００８５】さらに本発明によれば従来、非常にエッチ
ング速度の遅い金属膜および誘電体のエッチング速度を
速くすることができ、したがって装置のスループットを
向上することができる。
ング速度の遅い金属膜および誘電体のエッチング速度を
速くすることができ、したがって装置のスループットを
向上することができる。
【００８６】また、エッチングガスの圧力領域を制御す
ることで、金属膜と誘電体に対する必要なエッチング速
度が得られ、また必要とする金属膜と誘電体のエッチン
グ速度比を得ることが可能となり、上電極用の金属膜、
誘電体膜および下電極用の金属膜よりなる容量素子を精
度よく、容易に形成することができる。
ることで、金属膜と誘電体に対する必要なエッチング速
度が得られ、また必要とする金属膜と誘電体のエッチン
グ速度比を得ることが可能となり、上電極用の金属膜、
誘電体膜および下電極用の金属膜よりなる容量素子を精
度よく、容易に形成することができる。
【図１】本発明の第１の実施例の前半工程を説明する工
程断面図
程断面図
【図２】本発明の第１の実施例の後半工程を説明する工
程断面図
程断面図
【図３】本発明の第１の実施例において使用したエッチ
ングガスとエッチング速度との関係を示す特性図
ングガスとエッチング速度との関係を示す特性図
【図４】本発明の第２の実施例においてエッチングガス
としてクロロホルムを使用したときの白金、ＢＳＴ、レ
ジストのエッチング速度と高周波電力との関係を示す特
性図
としてクロロホルムを使用したときの白金、ＢＳＴ、レ
ジストのエッチング速度と高周波電力との関係を示す特
性図
【図５】本発明の第３の実施例において白金のエッチン
グ速度とエッチングガス圧力との関係を示す特性図
グ速度とエッチングガス圧力との関係を示す特性図
【図６】本発明の第３の実施例において誘電体のエッチ
ング速度とエッチングガス圧力との関係を示す特性図
ング速度とエッチングガス圧力との関係を示す特性図
【図７】本発明の第３の実施例において誘電体エッチン
グ中の発光強度とエッチングガス圧力との関係を示す特
性図
グ中の発光強度とエッチングガス圧力との関係を示す特
性図
【図８】従来の半導体装置の製造方法を説明する工程断
面図
面図
【図９】従来の製造方法においてエッチングガスとして
塩素ガスを使用したときの白金、ＢＳＴ、レジストのエ
ッチング速度と高周波電力との関係を示す特性図
塩素ガスを使用したときの白金、ＢＳＴ、レジストのエ
ッチング速度と高周波電力との関係を示す特性図
１ 回路素子
２ 配線
３ シリコン基板（基板）
５ 第１の白金膜（第１の金属膜）
５ａ 下電極
６ 誘電体膜
６ａ 容量絶縁膜
７ 第２の白金膜（第２の金属膜）
７ａ 上電極
フロントページの続き
(72)発明者 井筒 康文
大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工
業株式会社内
(56)参考文献 特開 平５−90607（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−288367（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−234116（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−217955（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−67624（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−127428（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−151383（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/3065
H01L 21/822
Claims (5)
- 【請求項１】 回路素子や配線等が形成された基板上に
絶縁膜、第１の金属膜、高誘電体または強誘電体よりな
る誘電体膜および白金膜またはパラジウム膜である第２
の金属膜を形成し、前記第２の金属膜上にレジスト膜を
形成し、前記レジスト膜をマスクとして前記第２の金属
膜および誘電体膜をドライエッチングして上電極および
容量絶縁膜を形成した後、第１の金属膜をドライエッチ
ングして下電極を形成する工程を有し、かつ少なくとも
前記第２の金属膜および誘電体膜のドライエッチングに
使用するエッチングガスとして炭化水素を含むガスを用
いた半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 炭化水素を含むガスがクロロホルムであ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項３】 炭化水素を含むガスがクロロホルムと塩
素ガスの混合ガスであることを特徴とする請求項１記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 炭化水素を含むガスがクロロホルムと臭
化水素の混合ガスであることを特徴とする請求項１記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 回路素子や配線等が形成された基板上に
絶縁膜、第１の金属膜、誘電体膜および第２の金属膜を
形成し、前記第２の金属膜および前記誘電体膜をエッチ
ング速度の速い低圧力領域でドライエッチングして上電
極および容量絶縁膜を形成した後、前記第１の金属膜が
露出したところでその第１の金属膜上に残っている前記
誘電体膜の未エッチング部分を第１の金属膜のエッチン
グ速度が遅い高圧力領域で除去したのちマスクパターン
を形成し、前記第１の金属膜をエッチング速度の速い低
圧力領域でドライエッチングして下電極を形成すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32766794A JP3460347B2 (ja) | 1994-03-30 | 1994-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
| TW084102580A TW297925B (ja) | 1994-03-30 | 1995-03-17 | |
| KR1019950006825A KR100188445B1 (ko) | 1994-03-30 | 1995-03-29 | 반도체장치의 제조방법 |
| US08/412,563 US5527729A (en) | 1994-03-30 | 1995-03-29 | Method of manufacturing a capacitor having metal electrodes |
| CN95103180A CN1076517C (zh) | 1994-03-30 | 1995-03-30 | 半导体器件的制造方法 |
| US08/571,732 US5599424A (en) | 1994-03-30 | 1995-12-13 | Method of manufacturing semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-60883 | 1994-03-30 | ||
| JP6088394 | 1994-03-30 | ||
| JP6-86686 | 1994-04-25 | ||
| JP8668694 | 1994-04-25 | ||
| JP32766794A JP3460347B2 (ja) | 1994-03-30 | 1994-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817806A JPH0817806A (ja) | 1996-01-19 |
| JP3460347B2 true JP3460347B2 (ja) | 2003-10-27 |
Family
ID=27297321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32766794A Expired - Fee Related JP3460347B2 (ja) | 1994-03-30 | 1994-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5527729A (ja) |
| JP (1) | JP3460347B2 (ja) |
| KR (1) | KR100188445B1 (ja) |
| CN (1) | CN1076517C (ja) |
| TW (1) | TW297925B (ja) |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69333864T2 (de) * | 1992-06-12 | 2006-06-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma | Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement mit Kondensator |
| JP2953974B2 (ja) * | 1995-02-03 | 1999-09-27 | 松下電子工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR0147639B1 (ko) * | 1995-05-29 | 1998-08-01 | 김광호 | 고유전율 캐패시터의 하부전극 형성방법 |
| CN1142587C (zh) | 1996-04-19 | 2004-03-17 | 松下电器产业株式会社 | 半导体器件 |
| JP3454058B2 (ja) * | 1996-12-11 | 2003-10-06 | 富士通株式会社 | 半導体メモリおよびその製造方法 |
| KR100224730B1 (ko) * | 1996-12-17 | 1999-10-15 | 윤종용 | 반도체장치의 패턴 형성방법 및 이를 이용한 커패시터 제조방법 |
| US5912044A (en) * | 1997-01-10 | 1999-06-15 | International Business Machines Corporation | Method for forming thin film capacitors |
| EP0865079A3 (en) * | 1997-03-13 | 1999-10-20 | Applied Materials, Inc. | A method for removing redeposited veils from etched platinum surfaces |
| JP3257587B2 (ja) | 1997-05-23 | 2002-02-18 | 日本電気株式会社 | 誘電体膜を用いた半導体装置の製造方法 |
| KR100244251B1 (ko) * | 1997-06-19 | 2000-02-01 | 김영환 | 반도체 소자의 커패시터 제조 방법 |
| US5846884A (en) * | 1997-06-20 | 1998-12-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Methods for metal etching with reduced sidewall build up during integrated circuit manufacturing |
| KR100252889B1 (ko) * | 1997-11-14 | 2000-04-15 | 김영환 | 백금식각방법 |
| US6919168B2 (en) | 1998-01-13 | 2005-07-19 | Applied Materials, Inc. | Masking methods and etching sequences for patterning electrodes of high density RAM capacitors |
| US6323132B1 (en) | 1998-01-13 | 2001-11-27 | Applied Materials, Inc. | Etching methods for anisotropic platinum profile |
| EP1048064A1 (en) | 1998-01-13 | 2000-11-02 | Applied Materials, Inc. | Etching methods for anisotropic platinum profile |
| US6265318B1 (en) | 1998-01-13 | 2001-07-24 | Applied Materials, Inc. | Iridium etchant methods for anisotropic profile |
| US6090656A (en) | 1998-05-08 | 2000-07-18 | Lsi Logic | Linear capacitor and process for making same |
| JP2000003991A (ja) * | 1998-06-15 | 2000-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6586790B2 (en) | 1998-07-24 | 2003-07-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US6204172B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-03-20 | Micron Technology, Inc. | Low temperature deposition of barrier layers |
| US6323081B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-11-27 | Micron Technology, Inc. | Diffusion barrier layers and methods of forming same |
| US6368517B1 (en) * | 1999-02-17 | 2002-04-09 | Applied Materials, Inc. | Method for preventing corrosion of a dielectric material |
| DE10104265B4 (de) * | 2001-01-31 | 2008-09-25 | Qimonda Ag | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterschaltungsanordnung |
| US6730609B2 (en) * | 2001-10-09 | 2004-05-04 | Micron Technology, Inc. | Etch aided by electrically shorting upper and lower sidewall portions during the formation of a semiconductor device |
| JP4865978B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2012-02-01 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6693017B1 (en) | 2003-04-04 | 2004-02-17 | Infineon Technologies Ag | MIMcap top plate pull-back |
| JP4111274B2 (ja) * | 2003-07-24 | 2008-07-02 | キヤノンアネルバ株式会社 | 磁性材料のドライエッチング方法 |
| US7100277B2 (en) * | 2004-07-01 | 2006-09-05 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Methods of forming printed circuit boards having embedded thick film capacitors |
| JP4515956B2 (ja) * | 2005-05-02 | 2010-08-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料のエッチング方法 |
| JP4708905B2 (ja) * | 2005-08-05 | 2011-06-22 | イビデン株式会社 | 薄膜エンベディッドキャパシタンス、その製造方法、及びプリント配線板 |
| US8696922B2 (en) * | 2009-06-22 | 2014-04-15 | Micron Technology, Inc. | Methods of plasma etching platinum-comprising materials, methods of processing semiconductor substrates in the fabrication of integrated circuitry, and methods of forming a plurality of memory cells |
| GB201016169D0 (en) * | 2010-09-27 | 2010-11-10 | Materialise Nv | Method for reducing differential shrinkage in stereolithography |
| US8765570B2 (en) * | 2012-06-12 | 2014-07-01 | Intermolecular, Inc. | Manufacturable high-k DRAM MIM capacitor structure |
| US8969169B1 (en) * | 2013-09-20 | 2015-03-03 | Intermolecular, Inc. | DRAM MIM capacitor using non-noble electrodes |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5258332A (en) * | 1987-08-28 | 1993-11-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor devices including rounding of corner portions by etching |
| NL9000602A (nl) * | 1990-03-16 | 1991-10-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met geheugenelementen vormende condensatoren met een ferroelectrisch dielectricum. |
| US5094712A (en) * | 1990-10-09 | 1992-03-10 | Micron Technology, Inc. | One chamber in-situ etch process for oxide and conductive material |
| US5173437A (en) * | 1991-08-01 | 1992-12-22 | Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd | Double polysilicon capacitor formation compatable with submicron processing |
| US5254217A (en) * | 1992-07-27 | 1993-10-19 | Motorola, Inc. | Method for fabricating a semiconductor device having a conductive metal oxide |
| US5286667A (en) * | 1992-08-11 | 1994-02-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Modified and robust self-aligning contact process |
| JPH06112169A (ja) * | 1992-09-28 | 1994-04-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 白金のエッチング方法 |
| US5439840A (en) * | 1993-08-02 | 1995-08-08 | Motorola, Inc. | Method of forming a nonvolatile random access memory capacitor cell having a metal-oxide dielectric |
-
1994
- 1994-12-28 JP JP32766794A patent/JP3460347B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-03-17 TW TW084102580A patent/TW297925B/zh active
- 1995-03-29 KR KR1019950006825A patent/KR100188445B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-03-29 US US08/412,563 patent/US5527729A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-30 CN CN95103180A patent/CN1076517C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1995-12-13 US US08/571,732 patent/US5599424A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100188445B1 (ko) | 1999-06-01 |
| TW297925B (ja) | 1997-02-11 |
| CN1112289A (zh) | 1995-11-22 |
| CN1076517C (zh) | 2001-12-19 |
| US5527729A (en) | 1996-06-18 |
| JPH0817806A (ja) | 1996-01-19 |
| US5599424A (en) | 1997-02-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3460347B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US4690728A (en) | Pattern delineation of vertical load resistor | |
| EP0439101B1 (en) | Dry etching method | |
| JPH06140396A (ja) | 半導体装置とその製法 | |
| WO2001014933A1 (en) | Silylation method for reducing critical dimension loss and resist loss | |
| JP3315287B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2001035841A (ja) | ペロブスカイト強誘電性材料のウェット・エッチング・プロセスと溶液 | |
| KR100363591B1 (ko) | 드라이 에칭 방법 | |
| JP3651557B2 (ja) | 半導体装置の白金膜蝕刻方法 | |
| JPH0817930A (ja) | エッチング・ストップ層を利用する半導体装置構造とその方法 | |
| JP2003133414A (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
| US5318665A (en) | Method for etching polysilicon film | |
| JP3348553B2 (ja) | 接続孔の形成方法 | |
| EP0936679B1 (en) | Method of manufacturing semiconductor devices having a built-in capacitor | |
| US7566644B2 (en) | Method for forming gate electrode of semiconductor device | |
| JP2932488B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP2926050B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3414013B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TWI236072B (en) | Multilevel poly-Si tiling for semiconductor circuit manufacture | |
| JP3771841B2 (ja) | チタンハードマスクを用いて金の金属層をエッチングするための方法および装置 | |
| KR100243281B1 (ko) | 커패시터의 스토리지 전극 형성 방법 | |
| TW200828500A (en) | Method of manufacturing openings and via openings | |
| TWI229903B (en) | Improved polycide etch process | |
| JP3114640B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2882284B2 (ja) | 導電層形成法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070815 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080815 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080815 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090815 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090815 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100815 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120815 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |